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Effect of P and aging on microstructure and shear strength of Sn–2.5Ag–2.0Ni/Ni(P) solder joints. 論文讀書心得報告. 學術單位 : 南台科技大學 指導教授 : 李洋憲老師 學號 :M99R0105 姓名 : 杜建緯. 前言.
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Effect of P and aging on microstructure and shear strength of Sn–2.5Ag–2.0Ni/Ni(P) solder joints 論文讀書心得報告 學術單位:南台科技大學 指導教授:李洋憲老師 學號:M99R0105 姓名:杜建緯
前言 科瓦合金被應用於微電子包裝、軍事以及航太產業但它固有缺點例如溫度傳導還有密度的問題,使得SiCp/Al複合材料取代科瓦合金,科瓦合金的傳統金屬表面加工是在上面電鍍上一層Ni/Au,然而對SiCp/Al複合材料電鍍是很困難的直到出現了SiC非金屬粉末。目前的SiCp/Al複合材料鍍膜是用化學的電鍍方法,但是目前工業用的化學電鍍液含P的含量都在9~10wt%,P的含量過高會使得銲點的可靠度下降為了解決這個問題我們將使用4wt%的P含量化學電鍍液,並且利用傳統的電鍍方法鍍上Ni作為這次實驗比較的基準。
實驗材料 此表中為這次的實驗所用的化學電鍍液以及其他相關液體的資料
實驗流程 先將欲鍍的基板作酸洗還有鹼洗後放入PdCl2活化,NiSO4·7H2O作為源鎳,然後以次磷酸鈉NaH2PO2·H2O作為還原劑,以NiSO4·6H2O240gL−1, NiCl2·6H2O28gL−1 H3BO335gL−1為電解液,並以氫氧化鈉跟硫酸調製PH值為4。 傳統電鍍上電流密度為0.08Acm-2、溫度45C、在電鍍過程中持續以600rpm攪拌。 將鍍層利用EDX確認沉積層的成份元素以及用EDM分析特徵並用 X-red分析相組成。將試件保持在溫度150度下0h、50h、250h、500h、1000h,然後分別用SEM觀察裂面以及計算鍍層的平均厚度用EDX觀察組成形態。 剪力實驗用RG3000Amicrotester速度0.2mmmin−1,用SEM觀察段口的結構。
實驗配置圖 圖一 標準樣品的銲接橫切面
銲料的DSC曲線 圖二 是銲料的DSC曲線,圖中表示銲料在吸熱峰280度熔融,所以銲接 過程在280度保持4分鐘。
微結構分析 圖中 是10wt%的P在各種時效老化的銲 接點SEM相片。
圖中 是4wt%的P在各種時效老化的銲 接點SEM相片。
圖中 是電鍍鎳各種時效老化的銲接點SEM相片。
IMC層的厚度 圖中 是各種條件下時效老化與IMC層厚度的關係圖
X-red的繞射 圖中 是4wt% 10wt%以及電鍍鎳的X光譜繞射圖
TEM特徵 圖中 是電鍍鎳TEM結構特徵,可以看到有許多的奈米鎳晶粒
圖中 是含4wt%P的鎳層TEM構特徵,可以看到有晶粒較上一張細微化
圖中 是含10wt%P的鎳層TEM構特徵,可以發現晶體過於細化最後變成沒有結晶特徵
剪力測試的斷面 圖中 是10wt%的P在各種時效老化的剪 力實驗斷口橫切面由a~e分別是在 150度下0、50、250、500、1000 小時持溫。
圖中 是含4wt%P的鎳層剪力測試的斷口照片,從a~d為0、250、500、 1000小時的150度持溫,可以看出持溫的時間越久會使得材料內 產生熱失配,讓先前製程中產生的裂紋變大或是產生新的缺陷。
圖中 是電鍍鎳層剪力測試的斷口照片,從a~d為0、250、500、 1000小時的150度持溫。
結論 IMC層中的Ni2SnP形成會降低銲點的可靠性,這可以經由降低鎳層的P含量來控制使得Ni2SnP不形成。 P的含量越高會讓鎳不容易組成奈米晶,造成擴散的加速使得Ni3Sn4IMC層成長快速,讓銲點的可靠性下降 P的含量多寡再沉積鎳層的銲點穩定上扮演著重要角色,當P的含量較高的時候會生成Ni2SnP相、生成P-rich Ni層和空洞介於鎳的沉積層和基板之間降低機械可靠性。 當鎳層P含量低的時候熱應力還有IMC層的裂縫是缺陷的主要原因,當鎳層P的含量為4wt%的時候可以有效的使Ni3Sn4IMC層速度變慢,還可以減少熱應力的影響。
參考資料 本篇讀書心得引用參考資料為此論文以級此論文的參考資料