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國立中正大學電機系專題展 專題名稱：靜態隨機存取記憶體單元之設計 指導教授：王進賢教授 參展學生：楊佳評

國立中正大學電機系專題展 專題名稱：靜態隨機存取記憶體單元之設計 指導教授：王進賢教授 參展學生：楊佳評. Architecture. Half-Selected Problem. 傳統 6T SRAM cell. 架構. 讀取模式. 寫入前. 寫入後. Design Flow Chart. 10T DRS SRAM cell. 架構. 讀取模式. 針對最糟的 SNM 設立一個目標 ，並進行第二次的 Sizing 以達成目標. 了解 SRAM 的特性與操作，並對不同架構進行分析. 降低供應電壓，並測試 Word line 電壓是否能下降.

javier
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國立中正大學電機系專題展 專題名稱：靜態隨機存取記憶體單元之設計 指導教授：王進賢教授 參展學生：楊佳評

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  1. 國立中正大學電機系專題展 專題名稱：靜態隨機存取記憶體單元之設計 指導教授：王進賢教授 參展學生：楊佳評 Architecture Half-Selected Problem • 傳統6T SRAM cell • 架構 • 讀取模式 • 寫入前 • 寫入後 Design Flow Chart • 10TDRSSRAM cell • 架構 • 讀取模式 針對最糟的SNM設立一個目標 ，並進行第二次的Sizing以達成目標 了解 SRAM的特性與操作，並對不同架構進行分析 降低供應電壓，並測試Wordline電壓是否能下降 比較各個情況的SNM，並找出最糟的SNM 最後各個情況SNM是否≥ Thermal Voltage 測量出Half-Selected之下的SNM 測量出Read SNM Write SNM ≥ Thermal Voltage? Write margin ≥ 0? • 寫入前 • 寫入後 測試PMOS與NMOS的Ion與Ioff，找出合適的長度 測試反相器不同比例的趨勢，並找出合適的尺寸 • 10TPPNSRAM cell 否 • 架構 • 讀取模式 第一次Sizing，並對其進行分析及測量 是 將Word line電壓提升 否 Hold SNM ≥ Thermal Voltage? 是 • 寫入前 • 寫入後 再將Word line電壓提升 否 Finish 是 Comparison Static Noise Margin

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