1 / 84

FIELD EFFECT TRANSISTOR

Bahan Kuliah Elektronika Dasar Pertemuan ke 11. FIELD EFFECT TRANSISTOR. oleh Ir.Bambang Sutopo,M.Phil Jurusan Teknik Elektro FT-UGM 2007. DIODA freewheel. DRIVER RELAY ( diskusi tugas lalu). RELAY. V CC. I B-JENUH = arus basis yang membuat transistor dalam kondisi jenuh. R B.

jemima-young
Download Presentation

FIELD EFFECT TRANSISTOR

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Bahan Kuliah Elektronika Dasar Pertemuan ke 11 FIELD EFFECT TRANSISTOR oleh Ir.Bambang Sutopo,M.Phil Jurusan Teknik Elektro FT-UGM 2007

  2. DIODA freewheel DRIVER RELAY(diskusi tugas lalu) RELAY VCC IB-JENUH = arus basis yang membuat transistor dalam kondisi jenuh. RB Relay membutuhkan arus sekitar 50 sampai 100 mili Amper

  3. TRANSISTOR SBG BUFER OP-AMP Input 1 relay + R Input 2 _ R harus bisa membatasi arus agar arus yang dikeluarkan op-amp tak terlalu besar. R harus masih dapat membuat transistor jenuh.

  4. Pilihan R tergantung kemampuan IC mengeluarkan arus (source)ataudimasuki arus(sink) R 25mA 100mA R 200mA relay relay relay

  5. Daerah Tak stabil Eka Ardi

  6. Eka Ardi BC107

  7. IB 1 2 VCE 3

  8. LM 339/239 VCC OPEN COLLECTOR Rpull-up Beban

  9. 12V AND 1K + _ + _

  10. 12V 4,7K 1K + 8,2K _ Lampu Vin 12V + 4,7K _ 1K

  11. IC 555

  12. LM 741

  13. LM 358

  14. TOTEM POLE OUTPUT LM 358

  15. SOURCE CURRENT

  16. SINK CURRENT

  17. LM 124/234/324

  18. IC 555

  19. PROYEK KITA relay R DIODA FOTO KOMPARATOR SCHMITT

  20. Field Effect Transistor - FET Mengapa kita masih perlu transistor jenis lain? BJT mempunyai sedikit masalah. BJT selalu memerlukan arus basis IB, walaupun arus ini kecil, tetapi tidak bisa diabaikan, terutama sekali saat BJT digunakan sebagai saklar, pasti dibutuhkan arus yang cukup besar untk membuat transistor jenuh.

  21. Field Effect Transistor - FET Apakah ada jenis transistor lain yang bisa digerakkan dengan tegangan tanpa membutuhkan arus ? Jawabannya ada di FET. Dengan perantaraan FET, kita dapat menghubungkan peralatan komputer atau transduser yang tidak bisa menghasilkan arus, dengan alat yang lebih besar. FET bisa digunakan sbg bufer, sehingga tidak membutuhkan arus dari komputer/trasduser. Teknologi modern pembuatan IC, ternyata dimensi transistor FET bisa dibuat sangat kecil, sehingga pembuatan IC saat ini berdasarkan transistor FET ini.

  22. FET vs BJT BJT Base (B) Collector (C) Emitter (E) Base current Collector current Collector-Emitter Voltage FET Gate (G) Drain(D) Source(S) Gate Voltage Drain current Drain-source voltage

  23. Jenis-jenis FET • JFET (Junction FET) • MOSFET (Metal Oxide Silikon FET) • PMOS ( MOS saluran P) • NMOS (MOS saluran N) • Masih banyak lagi

  24. ID VDS FET VGS IS FET Parameter FET : ID, VGS, VDS. Dasar pemikiran FET: Ada arus ID = IS yang mengalir melalui saluran, yang besarnya saluran dikendalikan oleh tegangan VGS. Karena arus lewat saluran (yang berupa hambatan) maka ada tegangan VDS.

  25. Junction FETs

  26. JFET saluran N

  27. Daerah deplesi membesar dengan bertambahnya tegangan balik

  28. Saluran N

  29. Arus Drain current vs tegangan drain-ke-source (tegangan gate-source = 0)

  30. n-Channel FET for vGS = 0.

  31. Typical drain characteristics of an n-channel JFET.

  32. If vDG exceeds the breakdown voltage VB, drain current increases rapidly.

  33. KURVA KARAKTERISTIK Junction FET Hubungan VGS dan ID k: konstanta VP : tegangan pinch-off atau threshold. Arus dibatasi hanya saat tegangan VGS = 0

  34. VDD RLoad RS Junction FET – Sumber Arus Kurva tak dipengaruhi tegangan VDS. Arus hanya dipengaruhi VGS bukan VDS. RS membuat VGS selalu negatip. Misalnya RS = 4K,  VGS = -4 V. Arus di Rload = 1 mA.

  35. KURVA VDS-ID Junction FET Ada dua daerah operasi : saturation linear. Linear Saturation Linear Saturation

  36. VDD RD RG VGS VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE, (Volts) JFET - variable resistor For low values of VDSthe slopes, change from a resistance (~5v/2.7mA~1.9k) to a resistance (5v/10mA~0.5k). A resistance is controlled by an input voltage. This makes it possible to have an element in a circuit that can be electronically adjusted.

  37. VDD RD RG VGS JFET - variable resistor (2) Now lets analyze the circuit. In the linear region we had a relationship between IDand VDS. To find the effective resistance this is the voltage across the channel divided by the current through the channel. If it wasn’t for the last term, we would have a value of 1/RDSthat was proportional to VGS, the control voltage and didn’t depend on VDS(remember VT is a constant of the FET, the pinch off voltage). This is like a resistor, and it forms a VOLTAGE DIVIDER with RD.

  38. n-Channel depletion MOSFET.

  39. n-Channel enhancement MOSFET showing channel length L and channel width W.

  40. n-Channel depletion MOSFET showing channel length L and channel width W.

  41. enhancement-mode n-channel MOSFET

  42. vGS < Vtopn junction antara drain dan body  reverse biased  iD=0.

  43. Terbentuk saluran N vGS < Vtopn junction antara drain dan body  reverse biased  iD=0.

More Related