120 likes | 559 Views
sp 3 – гибридизация. Углерод. Дефекты в кристаллах. Классификация по размерам и протяжённости. Типы точечных дефектов. 1 - вакансия; 2 - межузельный атом; 3 - дефект по Френкелю; 4 - примесный атом замещения; 5 - примесный атом внедрения; 6 - атом замещения большей валентности.
E N D
Классификация по размерам и протяжённости
Типы точечных дефектов 1 - вакансия; 2 - межузельный атом; 3 - дефект по Френкелю; 4 - примесный атом замещения; 5 - примесный атом внедрения; 6 - атом замещения большей валентности
Основные механизмы образования точечных дефектов • Тепловые колебания атомов • Пластическая деформация • Облучение • Отклонения от стехиометрии
Дислокации • Дислокации– линейные дефекты кристаллической решётки типа обрыва или сдвига атомных плоскостей, нарушающие правильность их чередования. • Различают простые и сложные дислокации. К простым относятся краевые и винтовые
Контур и вектор Бюргерсакраевой дислокации
Объёмные дефекты • Зональные упругие напряжения– это напряжения, возникающие при макроскопически неоднородном характере поля внешних сил, действующих на кристалл, и уравновешивающиеся в макрообъёмах кристалла. • Поры– это объёмные пустоты макро размеров в кристаллической решётке. К появлению пор приводят скопления вакансий. Поры могут образовываться в ходе выращивания кристаллов или при их радиационном облучении. • Включения второй фазы – это частицы макро размеров, состав которых отличается от состава основного вещества. В кристаллах встречаются включения второй фазы двух типов: включения одного из компонентов соединения (например Pb в PbTe) или включения инородной фазы, образующейся при выращивании легированных кристаллов (например, CdTe в кристалле PbTe, легированном кадмием). • Тепловые колебаниякристаллической решётки…