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Wafer Bonding Total Solution SUZHOU GUANGNIAN TECH, Co., Ltd 苏州广年科技有限公司
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Bonding基板简介 Moly基板 CuW镀金基板 si基板 厚度: 100μm 、150μm 、200μm 直径: 50.8±0.2mm 有平边 平坦度:±8%、±6.5%、±5% 成份:铜:11~14% 钨:86~89% Ra值:0.3~0.4um 镀膜: Ni/Au 0.4/0.2 um CuW基板与sapphire基板的热膨胀系数是6.7 ppm/K , GaAs 的热膨胀系数是5.5 ppm/K, Moly 的热膨胀系数是5.6 ppm/K .
Bonding机台介绍 • 高温高压 • 2”~4” • 已销售约30台 • Bonding 量率稳定 机台售价约8.5万美金