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工程材料学. 第二讲 晶体结构. 金属的晶体结构. 固体的分类 : 按原子 ( 或分子 ) 的聚集状态分为晶体和非晶体(可以互相转换)。 晶体的特点 : 基本质点在空间规则排列 , 具有规则的外形; 具有一定熔点; 各向异性。. 金属的结构特征及金属键. 金属原子最外层电子数少,与原子核结合力弱,摆脱原子核束缚成为自由电子。 原子失去价电子变成正离子,并且按照一定的几何形式规则排列,在各自位置做轻微振动,电子在其间自由运动,形成电子云。. 金属键.
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工程材料学 第二讲 晶体结构
金属的晶体结构 固体的分类:按原子(或分子)的聚集状态分为晶体和非晶体(可以互相转换)。 晶体的特点: 基本质点在空间规则排列,具有规则的外形; 具有一定熔点; 各向异性。
金属的结构特征及金属键 金属原子最外层电子数少,与原子核结合力弱,摆脱原子核束缚成为自由电子。 原子失去价电子变成正离子,并且按照一定的几何形式规则排列,在各自位置做轻微振动,电子在其间自由运动,形成电子云。
金属键 金属晶体依靠正离子与自由电子之间的引力被牢固地结合起来,离子、电子之间的这种力相平衡,从而使金属处于稳定,该种结合方式称为金属键。 金属键对性能的影响:具有良好的导电性、导热性、正的电阻温度系数、不透明、塑性好和较高的强度。
其他类型的结合键 共价键是一种强吸引力的结合键。两个原子接近时借共用电子对所产生的力而结合。 离子键由正负电荷相互吸引造成,与正离子相邻的是负离子,与负离子相邻的是正离子。 分子键靠原子各自内部电子分布不均匀产生较弱的静电引力形成。 氢键是C-H、O-H或N-H键端部暴露的质子是没有电子屏蔽的,所以,这个正电荷可以吸引相邻分子的价电子而形成。
晶体的基本概念 为了研究晶体中原/分子的排列情况,将其抽象为几何点,并用直线连接起来形成的三维空间格架称为晶格,交点称为结点,组成晶格的最小几何单元称为晶胞,晶胞各边的尺寸a、b、c称为晶格常数,其大小通常以埃为计量单位,晶胞各边之间的相互夹角分别以α、β、γ表示。
晶体模型 简单立方晶体(a) 晶体结构 (b) 晶格 (c) 晶胞
配位数与致密度 为了描述晶格中原子排列的紧密程度,通常采用配位数和致密度(K)来表示。 配位数是指晶格中与任一原子处于相等距离并相距最近的原子数目; 致密度是指晶胞中原子本身所占的体积百分数,即晶胞中所包含的原子体积与晶胞体积(V)的比值,即K=nU/V(晶胞中包含原子数每个原子体积/晶胞体积)。
体心立方晶胞 (a) 模型; (b) 晶胞; (c) 晶胞原子数 晶格常数a=b=c;α=β=γ=90。在体心立方晶胞中,原子位于立方体的八个顶角和中心,配位数8,K=0.68。属于这类晶格的金属有α-Fe、Cr、V、W、Mo、Nb等。
面心立方晶胞 (a) 模型; (b) 晶胞; (c) 晶胞原子数 在面心立方晶胞中,原子位于立方体的八个顶角和六个面的中心,配位数12,K=0.74 。属于这类晶格的金属有γ-Fe、Al、Cu、Ni、Au、Ag、Pb等 。
密排立方晶胞 (a) 模型; (b) 晶胞; (c) 晶胞原子数 它是一个正六面柱体,在晶胞的12个角上各有一个原子,上底面和下底面的中心各有一个原子,上下底面的中间有三个原子,配位数12,K=0.74 。属于这类晶格的金属有Mg、Zn、Be、Cd等。
晶面指数与晶向指数 晶体中原子排列的规律性,可以从晶面和晶向上反映出来。晶体中各种方位上的原子面叫做晶面,各种方向上的原子列叫做晶向。金属的许多性能都和晶体中的特定晶面和晶向有密切联系,为了便于研究和表述不同晶面和晶向上原子排列情况与特征,有必要给各种晶面和晶向规定一定的符号,这种符号分别叫做“晶向指数”和“晶面指数” 。
晶面指数的确定 (1)设晶格中某一原子为原点,通过该点平行于晶胞的三棱边作OX、OY、OZ三坐标轴,以晶格常数a、b、c分别作为相应的三个坐标轴上的度量单位,求出所需确定的晶面在三坐标轴上的截距。(2)将所得三截距之值变为倒数。(3)再将这三个倒数按比例化为最小整数,并加上一圆括号,即为晶面指数,一般表示为(hkl)。
晶向指数的确定 (1)通过坐标原点引一直线,使其平行于所求的晶向。(2)求出该直线上任意一点的三个坐标值。(3)将三个坐标值按比例化为最小整数,加一方括号,即为所求的晶面指数,其一般形式为[uvw]。
由于同一晶格中不同晶面和晶向上原子排列的疏密程度不同,因而晶体在不同方向上表现的性能有所不同,即所谓晶体的“各向异性”。
实际金属的晶体结构 在实际金属中,不可避免地存在着一些原子偏离规则排列的不完整性区域,这就是晶体缺陷。一般说来,金属中这些偏离其规定位置的原子数很少,从总体来看,其结构还是接近完整的。但是这些晶体缺陷不但对金属及合金的性能有重大影响,而且还在扩散、相变、塑性变形和再结晶等过程中扮演重要角色。
(1)点缺陷 在三维方向上的尺寸都很小; 比如:空位、间隙原子。 原子脱离结点(形成空位) 进入晶格 (间隙原子), 在空位与间隙原子附近的平衡力场被破坏,使周围的原子偏离原来位置,造成晶格的局部弹性畸变,称为晶格“畸变”。
(2)线缺陷(位错) 一列或若干列原子发生有规律的错排现象。 刃型位错: EF为位错线。ABCD面上方的原子受到压应力,下方则受到拉应力。
位错密度 单位体积中所包含的位错线总长度。 位错密度与金属强度的关系
(3)面缺陷 晶界:晶粒与晶粒之间的界面,晶粒之间的过渡层。相邻晶粒之间位向差为20~40,其特点为: 晶界上晶格畸变大、规则性差;位错、杂质原子多,能量高。常温硬度、强度高,高温低,容易被腐蚀,原子扩散速度快。
亚晶界:晶粒内部也不是理想晶体,而是由位向差很小的称为嵌镶块的小块所组成,称为亚晶粒,尺寸为10-4~10-6cm。亚晶粒的交界称为亚晶界 。 晶粒大小一定,亚结构越细,强度越高。
晶体缺陷处晶格处于畸变状态,引起晶体内部产生内应力,导致材料塑性变形抗力的增大,从而使金属材料在常温下的强度、硬度提高。 例如,生产中常用的压力加工工艺.通过金属材料的塑性变形使晶体产生缺陷,达到金属强化。用产生塑性变形使金属得到强化的方法称为形变强化。
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