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固体 solids 无定形体 : 玻璃、沥青、石蜡 …… 8.1 晶体的特征 8.2 晶体的基本类型及其结构 8.3 离子的极化. 第 8 章 晶体结构. 8.1 晶体的特征. 一、宏观特征 (一) 规则外形 (指天然或从溶液中生长的晶体,未经人工加工); (二) 固定熔点 ; (三) 各向异性 :导热、导电、膨胀系数、折射率等物理性质。 作为对比: 无定形体 (玻璃、沥青、石蜡等)冷却凝固时 无规则外形 、 无固定熔点 、物理性质是 各向同性 。. 8.1 晶体的特征 ( 续 ).
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固体 solids 无定形体: 玻璃、沥青、石蜡…… 8.1 晶体的特征 8.2 晶体的基本类型及其结构 8.3 离子的极化 第8章 晶体结构
8.1 晶体的特征 • 一、宏观特征 • (一)规则外形(指天然或从溶液中生长的晶体,未经人工加工); • (二)固定熔点; • (三)各向异性:导热、导电、膨胀系数、折射率等物理性质。 • 作为对比:无定形体(玻璃、沥青、石蜡等)冷却凝固时无规则外形、无固定熔点、物理性质是各向同性。
8.1 晶体的特征(续) • 二、结构特征(微观) • 晶体夹角守恒定律: 一个确定的晶体的表面夹角( ,,,简称晶角)保持不变,不管其形成条件和宏观外形是否有缺陷。 • 晶胞参数(点阵常数): (教材p.208图9-1) 3个边长(a,b,c) 3个晶面夹角(,,) : b、c 边夹角; : a、c边夹角; : a、b 边夹角
三、晶体7个晶系和14种晶格(点阵) • 按晶体对称性划分,把晶体分为7个晶系,每个晶系又分为若干种晶格,共14种晶格。 教材P.209, 表9.1 (补充“晶格”一栏): • 晶系晶格 ( Bravias点阵,教材p.210 图9-4) • 立方 3 (简单,体心,面心立方) • 四方 2 (四方,四方体心) • 正交 4 (正交 ,正交体心,正交底心,正交面心) • 单斜 2 (单斜 ,单斜底心) • 三斜 1 • 六方1 • 三方 1 小计:714 (金属晶体分属立方、六方2个晶系,共4种晶格:简单,体心,面心立方,六方)
7个晶系和14种晶格(点阵) • 立方 • 四方 • 正交 • 六方 三方 (右) • 单斜 • 三斜
7个晶系简单立方 四方 正交 三方
7个晶系(续)单斜 三斜 六方
四、晶体的内部结构 • (一)晶格(Crystal lattice)(几何概念) • ——指组成晶体的质点(原子、分子、离子、原子团等)在空间作有规则的周期性排列所组成的格子。 • 共14种晶格(见上),分属于7个晶系。 • (二)晶胞(Cell) • ——能表达晶体结构的最小重复单位。 • 换言之:胞晶在三维空间有规则地重复排列组成了晶体。 • (三)结点 • ——即晶格结构中固定的点。
五、晶体结构的实验测定: X-射线衍射分析(原理见: 教材p.211) Sir William (Henry) Bragg 1915 Nobel Prize in Physics
从DNA晶体的XRD衍射条纹推断出DNA的双螺旋结构(1950年代初)从DNA晶体的XRD衍射条纹推断出DNA的双螺旋结构(1950年代初)
8.2 晶体的基本类型及其结构 • 按占据晶格结点在质点种类及质点互相间作用力划分为4类。 • 晶格类型例 占据结点的质点 质点间作用力 金属晶体Na, Fe 金属原子、阳离子金属键 (不含自由电子) 离子晶体NaCl, CaF2阴离子、阳离子离子键 原子晶体 金刚石, Si, SiC 原子共价键 分子晶体N2, H2O, CO2 分子 范德华力(可能有氢键)
一、金属晶体 表9-1金属晶体的4种晶格(教材p.213 - 215)
一、金属晶体(续) • (一)堆积方式 • 简单立方堆积: A.A • 体心立方堆积: AB.AB (正方形) • 面心立方密堆积: ABC.ABC • 六方密堆积: AB.AB A层六角形, B层三角形, 不同于体心立方堆积中的正方形。
简单立方堆积 体心立方堆积A.A AB.AB (正方形)
六方密堆积: AB-AB排列堆积A层六角形,B层三角形,不同于体心立方堆积中的正方形(教材p. 213, 图9-10)。A层与B层之间存在两种类型的空隙,即四面体空隙及八面体空隙。
(二)空间利用率计算例1:求面心立方晶胞的空间利用率(二)空间利用率计算例1:求面心立方晶胞的空间利用率 • 解:晶胞边长为d,原子半径为r. • 据勾股定理: d 2 + d 2 = (4r)2 d = 2.83 r 每个面心立方晶胞含原子数目: 8 1/8 + 6 ½ = 4 8个顶点各1个原子,为8个晶胞共享; 6个面心,各1个原子,为2个晶胞共享. % = (4 4/3 r 3) / d 3 = (4 4/3 r 3) / (2.83 r )3 100 = 74
(二)空间利用率计算(续) • 例2:体心立方晶胞中金属原子的空间利用率计算 (教材p.213, 图9-10) • 空间利用率 = 晶胞含有原子的体积 / 晶胞体积 100% • (1)计算每个晶胞含有几个原子: 1 + 8 × 1/8 = 2 • 体心立方晶胞: 中心有1个原子, 8个顶点各1个原子,每个原子被8个 晶胞共享。
(二)空间利用率计算(续) • (2)原子半径r 与晶胞边长a 的关系: • 勾股定理: 2a 2 + a 2 = (4r) 2 • 底面对角线平方 垂直边长平方 斜边平方 • 得:
(二)空间利用率计算(续) • (3)空间利用率 = 晶胞含有原子的体积 / 晶胞体积 100% =
(三)金属晶体特点 • 多数采面心立方或六方密堆积,配位数高(12)、熔、沸点高。 • 少数例外:Na、K、Hg。
二、离子晶体 • (一)离子晶体的基本特征 • 1. 占据晶格结点的质点:正、负离子; • 质点间互相作用力:静电引力(离子键) • 2. 整个晶体的无限分子: • NaCl、CaF2 、 KNO3…为最简式。 • 3. 晶格能U↑,熔、沸点↑ U =[NAA Z +Z –e 2 (1 – 1/n)] / 40r0 U Z +Z –/r0(掌握玻恩-哈伯计算) • 4. 熔融或溶于水导电。
(二)5种最常见类型离子晶体的空间结构特征 (教材p. 218图9-15)
(二) 5种最常见类型离子晶体的空间结构特征(续) (教材p. 218图9-15)
5种最常见类型离子晶体(教材p.218,图9-15)NaCl型:Cl-面心立方晶格,Na+占据八面体空隙5种最常见类型离子晶体(教材p.218,图9-15)NaCl型:Cl-面心立方晶格,Na+占据八面体空隙
5种最常见类型离子晶体(续) • ZnS型: CaF2型: S2- 面心立方晶格, Zn2+占据1/2的四面体空隙 F- 简单立方晶格, Ca2+占据1/2的立方体空隙
5种最常见类型离子晶体(续) • TiO2型: O2- 近似六方密堆积排列晶格(假六方密堆积),Ti4+占据1/2八面体空隙。 (O2- 蓝色,C.N. = 3; Ti4+浅灰色,C.N. = 6)
(三)半径比规则 • 离子晶体为什么会有 C.N.不同的空间构型? • 这主要由正、负离子的半径比(r+/r -)决定。 • r+/r - ↑, 则C.N.↑;r+/r - ↓, 则 C.N. ↓ • 例:NaCl(面心立方)晶体 (教材p.219图9-16) • 令 r- = 1,则 • 据勾股定理: , • 得:
(三)半径比规则(续) • 即 r+ / r- = 0.414 / 1= 0.414时: • ① 正、负离子互相接触 • ② 负离子两两接触 1. 若r+ / r- = 0.414 - 0.732 , 6 : 6 配位 (NaCl型面心立方) 2. 若r+ / r-< 0.414, 则负离子互相接触(排斥力↑),而正、负离子接触不良,迫使晶体转为较小的配位数, 4 : 4 配位(立方ZnS型) (右上); 3.若 r+ / r-> 0.732, 正离子周围可以接触上更多的负离子,使配位数转为8:8 (CsCl型简单立方) (右下)。
(三)半径比规则说明: • 1.“半径比规则”把离子视为刚性球,适用于离子性很强的化合物,如NaCl、CsCl等。否则,误差大。 • 例:AgI(c) r + / r - = 0.583. • 按半径比规则预言为NaCl型,实际为立方ZnS型。 • 原因:Ag+与I-强烈互相极化,键共价性↑,晶型转为立方ZnS(C.N.变小,为4:4,而不是NaCl中的6:6) • 2.经验规则,例外不少。 • 例:RbCl(c), • 预言CsCl型,实为NaCl型。
半径比规则说明: • 3. 半径比值位于“边界”位置附近时,相应化合物有2种构型。 • 例:GeO2 r + / r - = 53 pm / 132 pm = 0.40. 立方ZnS NaCl两种晶体空间构型均存在. • 4.离子晶体空间构型除了与r + / r -有关外,还与离子的电子构型、离子互相极化作用(如AgI)以至外部条件(如温度)等有关。 • 例1 R.T. CsCl 属于CsCl类型; • 高温 CsCl 转化NaCl型。
三、分子晶体 • (一)占据晶体结点质点:分子 • (二)各质点间作用力:范德华力(有的还有氢键,如H2O(s) ) • CH4晶体(右图). • (三)因范德华力和氢键作用比共价键能小,分子晶体熔点低、硬度小,不导电,是绝缘体。 • (四)有小分子存在 • 实例: H2、O2、 X2 …… H2O、HX、CO2 …… • 多数有机物晶体、蛋白质晶体、核酸晶体是分子晶体。
C60结构模型(左),其晶体是分子晶体;C纳米管晶体结构图(右)C60结构模型(左),其晶体是分子晶体;C纳米管晶体结构图(右)
C60结构模型(左)和C60,C70的正己烷溶液(右)C60结构模型(左)和C60,C70的正己烷溶液(右)
四、原子晶体(共价晶体) • (一)占据晶格结点的质点:原子 • (二)质点间互相作用力:共价健 • 熔沸点高,硬度大,延展性差。 • (三)整个晶体为一大分子 • (四)空间利用率低(共价健有方向性、饱和性) • 金刚石(C的C.N.= 4),空间利用率仅34%. • C 用sp 3杂化,与另4个C形成共价单键,键能达400 kJ•mol-1 (教材p.222图9-20) • 其他例子:GaN,InGaN(半导体),金刚砂(SiC),石英(SiO2) 金刚石
GaN(或InGaN)半导体发光二极管—新一代照明光源[GaN (InGaN) Based Light-emitting Diodes , LEDs) 1 W GaN LED手电筒 半导体LED应用
半导体发光二极管(LED)的优点 • 半导体发光二极管(semiconductive light-emitting diode, LED),即是在半导体p - n结或与其类似的结构加正向电流时以高效率发出可见光、近红外光或近紫外光的器件。 • LED的优点: • 耗能少 (比同光效的白炽灯少80%,比荧光灯少50%) • 低电压 (DC 3 ~ 12 V) ,安全 • 体积小 • 响应时间快(纳秒级) (白炽灯和荧光灯为毫秒级) • 抗震 • 对环境友好(不含Hg等有害物质) → 新一代照明技术
荧光转换型LED发光原理(phosphor-converted LED) 蓝色GaN LED芯片 + 黄色荧光粉→ 白光 BlueGaNLED chip + Yellow Phosphor → White light
半导体LED芯片发展历程 III – V 族半导体 1994 日亚 30-100 lm/W惠普 10 lm/W 1962 红光 0.1/ lm/W InGaN AlInGaP/GaP AlInGaP/GaAs 发 光 效 率 AlGaAs/GaAs GaAsP:N GaP:N GaP:ZnO GaAsP 2000 1990 1970 1980
五、混合型晶体(过渡型晶体) • 例1:石墨(graphite) • C 单质 • 石墨晶体:层状结构 (教材p.224图9-22) • 每层内:每个C作sp 2杂化,与另3个C以共价键结合,并有离域键(整层上、下) • 层与层之间:以范德华力结合 过渡型晶体 • 导电率:沿层的方向高、垂直于层的方向低。 • 可作润滑剂。
石墨(上)和金刚石(下,原子晶体)晶体结构石墨(上)和金刚石(下,原子晶体)晶体结构
五、混合型晶体(过渡型晶体) (续) • 例2: 石棉 • Ca2SiO4为主要成分 • Ca2+-SiO42-静电引力(离子键), • SiO42-四面体,Si-O共价健。 • 离子晶体与原子晶体之间的过渡型晶体。
8.3 离子的极化 • 把“分子间力”(范德华力)概念推广到离子-离子之间: • 阳离子 - 阴离子: 静电引力 + 范德华力
一、离子极化作用 • 离子极化作用(教材P.220图9-18) • 离子极化力 (Polarizing 主动) • 离子变形性 ( Polarizability, Polarized 被动) • 在异号离子电场作用下,离子的电子云发生变形,正、负电荷重心分离,产生“诱导偶极”,这个过程称为“离子极化”。 • 阳离子、阴离子既有极化力,又有变形性。 • 通常阳离子半径小,电场强,“极化力”显著。 • 阴离子半径大,电子云易变形,“变形性”显著。