180 likes | 454 Views
NANOZNANOST U ELEKTRONICI. Adrijan Jakšić Mario Kuprešak Zagreb, siječanj 2014. SADRŽAJ. Tunel diode Tunelski tranzistor se efektom polja Grafenski tranzistor s efektom polja Tranzistor s jednim elektronom Hot electron transistor. UVOD.
E N D
NANOZNANOST U ELEKTRONICI Adrijan Jakšić Mario Kuprešak Zagreb, siječanj 2014.
SADRŽAJ • Tunel diode • Tunelski tranzistor se efektom polja • Grafenski tranzistor s efektom polja • Tranzistor s jednim elektronom • Hotelectrontransistor
UVOD • Silicij, germanij, bakar, ugljik, bor – elementi s ograničenjima • Ne mogu više pratiti razvoj današnje tehnologije
TUNEL DIODA • Dopirani elementi, kvantna svojstva • Negativni električki otpor • Odbijanje elektrona • Rezonantne tunel diode
TUNELSKI TRANZISTOR S EFEKTOM POLJA • TFET • Reverzno polarizirana PIN dioda s upravljačkom elektrodom • Brza promjena vodi/ne vodi
Usporedba s MOSFET tehnologijom • Može se koristiti u aplikacijama manje snage • Nagib tangente < 60 mV/dec
Grafenski tranzistor • grafen+ nanocijev • gate na negativnom potencijalu – šupljine = struja • pozitivan potecijal – smanjenje šupljina • CNTFET (Carbon Nano) • jednokanalni/višekanalni
Prednost i nedostatak • Velika pokretljivost nosilaca – kontrola sa Vg • Otpornost na efekt kratkog kanala • nanocijevi
GNRFET • Grafenske nanotrake • Nedostatak: nizak omjer struja Ion/Ioff – nema zabranjenog pojasa • Pojas se može stvoriti kombiniranjem nanotraka – ali opet mali omjer struja
Tranzistor s jednim elektronom • Gibanje elektrona jedan po jedan kroz barijeru • Prednost: puno manje energije za rad, manja disipacija snage, velika osjetljvost • Primjena: baterije, memorije, nanosenzori
Hot electron transistor • Injekcija brzih elektrona • Visoke frekvencije rada
ZAKLJUČAK • dosada teoretski • daljnirazvoj nanotehnologije u elektronici