210 likes | 464 Views
Производство поликристаллических алмазных пленок методом осаждения из паровой фазы. Нижний Новгород, 2005г. CVD -алмаз – материал 21 века. Свойства CVD- алмаза. Процессы, протекающие в CVD реакторе. Схема реакций образования алмаза из газовой фазы.
E N D
Производство поликристаллических алмазных пленок методом осаждения из паровой фазы Нижний Новгород, 2005г.
Процессы, протекающие в CVD реакторе Схема реакций образования алмаза из газовой фазы
Схемы CVD реакторов с использованием газоразрядной плазмы MSU IAF ASTEX Площадь осаждения20 - 50 cm2 Скорость роста0.5 - 2m / h Рабочая частота 2.45 GHz СВЧ мощность < 6 kW
Особенности CVD реакторов на основе СВЧ разряда относительно высокая скорость роста (1 - 2 мкм/час) большая площадь осаждения (до 100 см2) высокая степень конверсии углерода в алмаз отсутствие электродов и посторонних примесей получение пленок различного качества: – для покрытия инструментов – с теплопроводностью 8-12 Вт/смК – с теплопроводностью 12-20 Вт/смК –оптически прозрачный белый алмаз
Промышленный 2,45 ГГц CVD реактор Общий вид установки Схема реактора
Синтез толстых алмазных дисков Алмазный диск диаметром 50 мм и толщиной 0,16 мм Алмазный диск диаметром 50 мм и толщиной 0,11 мм
Алмазный диск диаметром 75 мм и толщиной 1,5 мм в центре и 1,7 мм с краю диска, время осаждения 1060 часов со стороны поверхности роста со стороны подложки
Общий вид алмазного диска диаметром 75 мм после шлифовки Микрофотография в отраженном свете поверхности алмазного диска диаметром 50 мм после шлифовки
В ИПФ РАН разрабатывается CVD-технология высокоскоростного выращивания алмазных дисков • скорость роста – не менее 15 мкм/час • площадь диска – до 100 см2 • высокая теплопроводность – 17 - 18 Вт/К.см (натуральный алмаз имеет теплопроводность 20 Вт/К.см) • оптическая прозрачность Патент РФ №2215061 от 27 октября 2003 г. “Высокоскоростной способ осаждения алмазных пленок из газовой фазы в плазме СВЧ разряда и плазменный реактор для его реализации”. Приоритет от 30 сентября 2002 г.
Разработанный 20 кВт/30 ГГц CVD реактор • Достигнутые параметры роста: • скорость роста – 8-10 мкм/час • площадь роста – 60 см2 • высокая теплопроводность • оптическая прозрачность Схема реактора
Возможные применения алмазных пленок и дисков • теплопроводящие подложки для электронных устройств • алмазные режущие инструменты, сверла и буры с алмазным покрытием • применение CVD алмаза как полупроводникового материала (диоды, датчики) • в качестве акустического детектора • выходные окна технологических лазеров ИК-диапазона • лазерные и рентгеновские окна, линзы • выходные окна мощных генераторов миллиметрового диапазона (гиротронов)
Алмазные линзы [E. Woerner et al., Diamond and Related Materials 10 (2001) 557-560]
Алмазная нанокристаллическая фольга толщиной 1,4-1,6 мкм
Заключение На данном этапе - освоена CVD технология получения высококачественных алмазных пленок и пластин - выращены алмазные диски толщиной 2 мм, диаметром 75 мм, имеющие тангенс угла потерь не хуже (1-2) 10-5 - освоена шлифовка алмазных дисков - создана аппаратура для измерения сверхмалых диэлектрических потерь в алмазных дисках - освоен процесс высокотемпературной пайки алмазных дисков к медным тонким волноводам - разработана конструкция выходного окна гиротрона с алмазным диском
Заключение Ближайшие задачи - дальнейшее совершенствование процесса синтеза АП с целью повышения скорости осаждениядо 15 мкм/час - создание промышленной установки для синтеза алмазных дисков диаметром 110 мм на основе 20кВт/30ГГц гиротрона