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高 介电常数微波介质陶瓷改性与测试研究. 报告人:高正东. 学号: 2012204014. 一、高介电常数微波陶瓷的制备. 介电性能要求: Q.f ≥ 6000GHz ε r ≈ 200 Τ f ≈ 0 ppm/ ℃. Sr x Ca 1-x TiO 3. 一、高介电常数微波陶瓷的制备. Sr x Ca 1-x TiO 3. 难点一:样品微波介电性能无法测试 Φ 10 样品用常用闭式腔无法测量 压制 Φ 5 样品同样无法测量 选用最小腔体可以测试 Φ 10 样品的微波介电性能. 一 、 高介电常数微波陶瓷的制备.
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高介电常数微波介质陶瓷改性与测试研究 报告人:高正东 学号:2012204014
一、高介电常数微波陶瓷的制备 介电性能要求: • Q.f≥6000GHz • εr≈200 • Τf≈0 ppm/℃ SrxCa1-xTiO3
一、高介电常数微波陶瓷的制备 SrxCa1-xTiO3 难点一:样品微波介电性能无法测试 • Φ10样品用常用闭式腔无法测量 • 压制Φ5样品同样无法测量 • 选用最小腔体可以测试Φ10样品的微波介电性能
一、高介电常数微波陶瓷的制备 1250℃烧结Qf值和介电常数随SrxCa1-xTiO3中x值的变化
一、高介电常数微波陶瓷的制备 难点二:调节谐振频率温度系数τf (Sr0.1Ca0.9)TiO3的介电性能: εr=186.7, Qf=5789GHz, τf=+834.9ppm/℃ 调节谐振频率温度系数τf
一、高介电常数微波陶瓷的制备 调节SrxCa1-xTiO3谐振频率温度系数τf • 使用高负谐振频率温度系数材料与SrxCa1-xTiO3进行复合降低τf值; • 调整晶体结构降低体系τf值(容差因子t); • 寻找更适合的材料体系制备满足预期微波介电性能的陶瓷样品。
一、高介电常数微波陶瓷的制备 • 调节SrxCa1-xTiO3谐振频率温度系数τ • 钙钛矿的容差因子t对谐振频率温度系数τf的作用: • 钙钛矿中八面体的倾斜会使介电常数温度系数τε发生变化。 • 因为τf=-(1/2τε +α),所以谐振频率温度系数τf也会发生变化。 • 八面体的倾斜可以认为是有容差因子t控制的。
调节(Sr0.1Ca0.9)TiO3的谐振频率温度系数 CaTiO3的介电性能: εr=170, Qf=3600GHz, τf=+800ppm/℃ LnAlO3的微波介电性能
调节(Sr0.1Ca0.9)TiO3的谐振频率温度系数 (1-x)CaTiO3-xNdAlO3 X=0.3时性能最佳: εr=44, Qf=30000~44000GHz, τf=≈0ppm/℃ CaTiO3中引入半径小的Nd3+和Al3+,晶格被挤压体积变小。相对于纯NdAlO3,在0.7CaTiO3-0.3NdAlO3,TiO6八面体和AlO6八面体发生倾斜,Ca2+或Nd3+位置发生偏移,将容差因子t增大。 结论:从容差因子t对τf的影响是有一定作用的,但是体系的介电常数下降太多,必须找到介电常数较大的化合物进行复合。