1 / 17

В.С . Першенков

В.С . Першенков. использование КОНВЕРСИОННОЙ МОДЕЛИ ДЛЯ ПРОГНОЗИРОВАНИЯ ЭФФЕКТА НИЗКОЙ ИНТЕНСИВНОСТИ В БИПОЛЯРНЫХ ПРИБОРАХ. План выступления. Эффект низкой интенсивности в биполярных приборах Конверсионная модель встраивания поверхностных состояний Инверсная S – образная характеристика

may-mason
Download Presentation

В.С . Першенков

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. В.С.Першенков использование КОНВЕРСИОННОЙ МОДЕЛИ ДЛЯ ПРОГНОЗИРОВАНИЯ ЭФФЕКТА НИЗКОЙ ИНТЕНСИВНОСТИ В БИПОЛЯРНЫХ ПРИБОРАХ

  2. План выступления • Эффект низкой интенсивности в биполярных приборах • Конверсионная модель встраивания поверхностных состояний • Инверсная S –образная характеристика • Экстракция подстроечных параметров • Прогнозирование работоспообности биполярных приборов

  3. Эффект низкой интенсивности в биполярных транзисторах • Влияние мощности дозы на радационно-индуцированную деградацию коэффициента усиления. • Деградация коэффициента усиления значительно возрастает с уменьшением интенсивности ионизирующего излучения.

  4. Основное положение модели: эффект низкой интенсивности связан с аномальным накоплением поверхностных состояний

  5. Энергетическая диаграмма границы раздела окисел-полупроводник (SiO2-Si), иллюстрирующая конверсию положительного заряда захваченных дырок Qot

  6. Две группы ловушек: мелкие и глубокие

  7. Зависимость приращения плотности поверхностных состояний или приращения тока базы от интенсивности и времени облучения

  8. Проблема Экстракция параметров модели

  9. Послерадиационный отжиг

  10. Постоянная времени конверсииглубоких ловушек

  11. Экспериментальные данные EA = 0.48эВ, τГ0= 0.18·10-3 с (NPN BC817) EA = 0.38эВ, τГ0 = 4.5·10-3 с (PNP BC807)

  12. Специфика высокой интенсивности

  13. Глубокие ловушки Использование высокотемпературного облучения для экстракции концентрации глубоких ловушек

  14. Прогнозирование работы сложных ИМС Экстракция подстроечных параметров. Полное описание S–образной характеристики. Вычисление деградации тока базы для транзистора из состава данной ИМС при заданных условий функционирования на орбите: интенсивность и суммарная доза (возможен поэтапный набор дозы в разных радиационных поясах). Расчет постоянной времени конверсии для получения прогнозируемой деградации тока базы при интенсивности, соответствующей тестовым испытаниям. Расчет температуры облучения, при которой необходимо проведение тестовых испытаний.

  15. Прогнозирование температуры при высокоинтенсивных тестовых испытаниях • Экстракция Nг, τг, EA • Расчёт (ΔIб)орбита при интенсивности на орбите • Расчёт τг при тестовой интенсивности (ΔIб)орбита • Расчёт (Tобл)тест с использованием τг=τг0·exp(EA/kT)

  16. Температура при тестовых испытанияхсложных микросхем

  17. Спасибо за внимание

More Related