微型计算机原理及其应用 —— 第五章：存储器及其接口

1. 微型计算机原理及其应用——第五章：存储器及其接口微型计算机原理及其应用——第五章：存储器及其接口 合肥工业大学计算机与信息学院

2. 第五章：存储器及其接口 • 概述 • 只读存储器ROM • 随机存储器RAM • 存储器芯片的扩展及其与系统总线的连接 • 典型的半导体芯片举例

3. 第五章：存储器及其接口 • 概述 • 只读存储器ROM • 随机存储器RAM • 存储器芯片的扩展及其与系统总线的连接 • 典型的半导体芯片举例

4. 第五章：存储器及其接口——概述 存储器是计算机(包括微机)硬件系统的重要组成部分，有了存储器，计算机才具有“记忆”功能，才能把程序及数据的代码保存起来，才能使计算机系统脱离人的干预，而自动完成信息处理的功能。

5. 第五章：存储器及其接口——概述

6. 第五章：存储器及其接口——概述 • 存储器的分类 • 按存储介质分类——磁芯存储器、半导体存储器、光电存储器、磁膜、磁泡和其它磁表面存储器以及光盘存储器等。 • 按存取方式分类——随机存储器(内存和硬盘)、顺序存储器(磁带)。 • 按存储器的读写功能分类——只读存储器(ROM)、随机存储器(RAM)。 • 按信息的可保存性分类——非永久记忆的存储器、永久性记忆的存储器。 • 按在计算机系统中的作用分类——主存储器、辅助存储器、缓冲存储器、控制存储器等。

7. 第五章：存储器及其接口——概述 • 存储器的性能指标 存储器系统的三项主要性能指标是【容量】、【速度】和【可靠性】。 • 存储容量：是存储器系统的首要性能指标，因为存储容量越大，则系统能够保存的信息量就越多，相应计算机系统的功能就越强； • 存取速度：直接决定了整个微机系统的运行速度，因此，存取速度也是存储器系统的重要的性能指标； • 存储器可靠性：也是存储器系统的重要性能指标。通常用平均故障间隔时间来衡量。 为了在存储器系统中兼顾以上三个方面的指标，目前在计算机系统中通常采用三级存储器结构，即使用高速缓冲存储器、主存储器和辅助存储器，由这三者构成一个统一的存储系统。从整体看，其速度接近高速缓存的速度，其容量接近辅存的容量，而其成本则接近廉价慢速的辅存平均价格。

8. 第五章：存储器及其接口——概述 • 微机系统存储体结构

9. 第五章：存储器及其接口——概述 • 存储器的分类

10. 第五章：存储器及其接口——概述 • 半导体存储器 什么叫半导体？导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，叫做半导体．例如：锗、硅、砷化镓等． 半导体在科学技术，工农业生产和生活中有着广泛的应用．（例如： 电视、半导体收音机、电子计算机等） 半导体的一些电学特性：①压敏性：有的半导体在受到压力后电阻发生较大的变化． 用途：制成压敏元件，接入电路，测出电流变化，以确定压力的变化． ②热敏性：有的半导体在受热后电阻随温度升高而迅速减小． 用途：制成热敏电阻，用来测量很小范围内的温度变化．

11. 第五章：存储器及其接口——概述 SRAM RAM DRAM 半导体存储器 掩膜ROM PROM ROM EPROM EEPROM Flash ROM • 半导体存储器的分类

12. 第五章：存储器及其接口 • 概述 • 只读存储器ROM • 随机存储器RAM • 存储器芯片的扩展及其与系统总线的连接 • 典型的半导体芯片举例

13. 第五章：存储器及其接口——只读存储器ROM SRAM RAM DRAM 半导体存储器 掩膜ROM PROM ROM EPROM EEPROM Flash ROM • 只读存储器(Read Only Memory,ROM)：内容只可读出不可写入，最大优点是所存信息可长期保存，断电时，ROM中的信息不会消失。主要用于存放固定的程序和数据，通常用它存放引导装入程序。

14. 第五章：存储器及其接口——只读存储器ROM • 掩膜ROM 在出厂前由芯片厂家将程序写到rom里，以后永远不能修改。 如图是一个简单的4×4位的MOS ROM存储阵列，两位地址输入，经译码后，输出四条字选择线，每条字选择线选中一个字，此时位线的输出即为这个字的每一位。此时，若有管子与其相连（如位线1和位线4），则相应的MOS管就导通，输出低电平，表示逻辑“0”；否则（如位线2和位线3）输出高电平，表示逻辑“1”。(0110、0101、1010、0000)

15. 第五章：存储器及其接口——只读存储器ROM • 可编程的ROM(Programmable-ROM，PROM) 掩模ROM的存储单元在生产完成之后，其所保存的信息就已经固定下来了，这给使用者带来了不便。为了解决这个矛盾，设计制造了一种可由用户通过简易设备写入信息的ROM器件，即可编程的ROM，又称为PROM。 PROM 的类型有多种，如二极管破坏型PROM存储器，在出厂时，存储体中每条字线和位线的交叉处都是两个反向串联的二极管的PN结，字线与位线之间不导通，此时，意味着该存储器中所有的存储内容均为“1”。如果用户需要写入程序，则要通过专门的PROM写入电路，产生足够大的电流把要写入“1”的那个存储位上的二极管击穿，造成这个PN结短路，只剩下顺向的二极管跨连字线和位线，这时，此位 就意味着写入了“1”。读出的操作同掩模ROM。 除此之外，还有一种熔丝式PROM，用户编程时，靠专用写入电路产生脉冲电流，来烧断指定的熔丝，以达到写入“1”的目的。 对PROM来讲，这个写入的过程称之为固化程序。由于击穿的二极管不能再正常工作，烧断后的熔丝不能再接上，所以这种ROM器件只能固化一次程序，数据写入后，就不能再改变了。

16. 第五章：存储器及其接口——只读存储器ROM • 可擦除可编程ROM(Erasable Programmable ROM,EPROM) EPROM芯片有一个很明显的特征，在其正面的陶瓷封装上，开有一个玻璃窗口，透过该窗口，可以看到其内部的集成电路，紫外线透过该孔照射内部芯片就可以擦除其内的数据，完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器。一般擦除信息需用紫外线照射l5~20分钟。

17. 第五章：存储器及其接口——只读存储器ROM • 电可擦除可编程ROM (Electronic Erasible Programmable ROM, EEPROM) EEPROM内资料的写入要用专用的编程器，并且往芯片中写内容时必须要加一定的编程电压(12—24V，随不同的芯片型号而定)。 EEPROM在写入数据时，仍要利用一定的编程电压，此时，只需用厂商提供的专用刷新程序就可以轻而易举地改写内容，所以，它属于双电压芯片。借助于EPROM芯片的双电压特性，可以使BIOS具有良好的防毒功能，在升级时，把跳线开关打至“ON”的位置，即给芯片加上相应的编程电压，就可以方便地升级；平时使用时，则把跳线开关打至“OFF”的位置，防止病毒对BIOS芯片的非法修改。

18. 第五章：存储器及其接口——只读存储器ROM • 快擦型存储器(Flash Memory) 快擦型存储器是不用电池供电的、高速耐用的非易失性半导体存储器，它以性能好、功耗低、体积小、重量轻等特点活跃于便携机存储器市场。 快擦型存储器具有EEPROM的特点，可在计算机内进行擦除和编程，它的读取时间与DRAM相似，而写时间与磁盘驱动器相当。快擦型存储器有5V或12V两种供电方式。对于便携机来讲，用5V电源更为合适。快擦型存储器操作简便，编程、擦除、校验等工作均已编成程序，可由配有快擦型存储器系统的中央处理机予以控制。 快擦型存储器可替代EEPROM，在某些应用场合还可取代SRAM，尤其是对于需要配备电池后援的SRAM系统，使用快擦型存储器后可省去电池。快擦型存储器的非易失性和快速读取的特点，能满足固态盘驱动器的要求，同时，可替代便携机中的ROM，以便随时写入最新版本的操作系统。快擦型存储器还可应用于激光打印机、条形码阅读器、各种仪器设备以及计算机的外部设备中。

19. 第五章：存储器及其接口 • 概述 • 只读存储器ROM • 随机存储器RAM • 存储器芯片的扩展及其与系统总线的连接 • 典型的半导体芯片举例

20. 第五章：存储器及其接口——随机存储器RAM SRAM RAM DRAM 半导体存储器 掩膜ROM PROM ROM EPROM EEPROM Flash ROM • 随机存储器(Random Access Memory,RAM)：在微机系统的工作过程中，可以随机地对其中的各个存储单元进行读／写操作。

21. 第五章：存储器及其接口——随机存储器RAM • 静态随机存储器(Static RAM,SRAM) SRAM其存储电路是以双稳态触发器为基础，只要不掉电，信息永不会丢失，不需要刷新电路。SRAM的主要性能是：存取速度快、功耗较大、容量较小。它一般适用于构成高速缓冲存储器（Cache）。

22. 第五章：存储器及其接口——随机存储器RAM • 动态随机存储器(Dynamic RAM,DRAM) DRAM是依靠电容来存储信息，电路简单集成度高，但电容漏电，信息会丢失，故需要专用电路定期进行刷新。DRAM的主要性能是：容量大、功耗较小、速度较慢。它被广泛地用作内存贮器的芯片。

23. 第五章：存储器及其接口 • 概述 • 只读存储器ROM • 随机存储器RAM • 存储器芯片的扩展及其与系统总线的连接 • 典型的半导体芯片举例

24. 第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接 • 存储器的系统结构 一般情况下，一个存储器系统由以下几部分组成。 • 基本存储单元：一个基本存储单元可以存放一位二进制信息，其内部具有两个稳定的且相互对立的状态，并能够在外部对其状态进行识别和改变。不同类型的基本存储单元，决定了由其所组成的存储器件的类型不同。 • 存储体：一个基本存储单元只能保存一位二进制信息，若要存放M×N个二进制信息，就需要用M×N个基本存储单元，它们按一定的规则排列起来，由这些基本存储单元所构成的阵列称为存储体或存储矩阵。 • 地址译码器：由于存储器系统是由许多存储单元构成的，每个存储单元一般存放8位二进制信息，为了加以区分，我们必须首先为这些存储单元编号，即分配给这些存储单元不同的地址。地址译码器的作用就是用来接受CPU送来的地址信号并对它进行译码，选择与此地址码相对应的存储单元，以便对该单元进行读/写操作。存储器地址译码有两种方式，通常称为单译码与双译码。单译码：单译码方式又称字结构，适用于小容量存储器。双译码：双译码结构中，将地址译码器分成两部分，即行译码器(又叫X译码器)和列译码器(又叫Y译码器)。X译码器输出行地址选择信号，Y译码器输出列地址选择信号，行列选择线交叉处即为所选中的单元。

25. 第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接 • 存储器的系统结构 4.片选与读/写控制电路：片选信号用以实现芯片的选择。对于一个芯片来讲，只有当片选信号有效时，才能对其进行读/写操作。片选信号一般由地址译码器的输出及一些控制信号来形成，而读/写控制电路则用来控制对芯片的读/写操作。 • I/O电路：I/O电路位于系统数据总线与被选中的存储单元之间，用来控制信息的读出与写入，必要时，还可包含对I/O信号的驱动及放大处理功能。 • 集电极开路或三态输出缓冲器：为了扩充存储器系统的容量，常常需要将几片RAM芯片的数据线并联使用或与双向的数据线相连，这就要用到集电极开路或三态输出缓冲器。 • 其它外围电路：对不同类型的存储器系统，有时，还专门需要一些特殊的外围电路，如动态RAM中的预充电及刷新操作控制电路等，这也是存储器系统的重要组成部分。

26. 第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接 CPU 控制信号 时序/控制 M位地址总线 N位数据总线 MAR 地址 译码 器 存储体 MB 读写 驱动 器 MDR • 存储器的系统结构

27. 第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接 地 址 反 向 器 X 译 码 器 驱 动 器 32×32=1024 存储单元 控制 电路 I/O电路 输出 驱动 输出 输入 Y译码器 地址反向器 读/写 选片 • 存储器的系统结构

28. 第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接 • 基本存储器芯片模型 在微型系统中，CPU对存储器进行读写操作，首先要由地址总线给出地址信号，选择要进行读/写操作的存储单元，然后通过控制总线发出相应的读/写控制信号，最后才能在数据总线上进行数据交换。所以，存储器芯片与CPU之间的连接，实质上就是其与系统总线的连接，包括(1)地址线的连接；(2)数据线的连接；(3)控制线的连接。

29. 第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接 • 基本存储器芯片模型 • 地址线的位数：从图中可看出地址线的位数决定了芯片内可寻址的单元数目，如Intel2114(1K×4)有10条地址线，则可寻址的单元数为1024个；Intel2116(16K×1)有14条地址线，则可寻址的单元数为16K个。 • 数据线的根数：RAM芯片的数据线多数为1条，静态RAM芯片一般有4条和8条。若为1条数据线，则称为位片存贮芯片；若有4条数据线，则该芯片可作为数据的低4位或高4位；若有8条数据线，则该芯片正好作为一个字节数，其引脚已指定相应数据位的名称。 • 控制线：RAM芯片的控制引脚信号一般有：芯片选择信号、读/写控制信号，对动态RAM（DRAM）还有行、列地址选通信号。

30. 第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接 • 基本存储器芯片模型

31. 第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接 • 存储器芯片与CPU的连接 在实际应用中，进行存储器与CPU的连接需要考虑以下几个问题：①CPU的总线负载能力；②CPU与存储器之间的速度匹配；③存储器地址分配和片选；④控制信号的连接。 (1)控制线的连接：即如何用CPU的存储器读写信号同存储器芯片的控制信号线连接，以实现对存储器的读写操作。简单系统：CPU读写信号与存储器芯片的读写信号直接相连。复杂系统：CPU读写信号和其它信号组合后与存储器芯片的读写信号直接相连。CPU读信号最终和存储器的读信号相连，CPU写信号最终和存储器的写信号相连。

32. 第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接 8086 6116 D7 I/O8 D0 I/O1 2164(7) DIN(DOUT) 8086 D7 2164(6) D6 DIN(DOUT) 2164(0) D0 DIN(DOUT) • 存储器芯片与CPU的连接 (2) 数据线的连接：若一个芯片内的存储单元是8位，则它自身就作为一组，其引脚D0～D7可以和系统数据总线D0～D7或D8～D15直接相连。若一组芯片(4个或8个)才能组成8位存储单元的结构，则组内不同芯片应与不同的数据总线相连。

33. 第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接 16K×1 … D7 A0 CS CS CS CS WE WE WE WE D2 16K×1 … D1 D0 A13 D0 D1 D2 … D7 • 存储器芯片与CPU的连接——存储器芯片分组 位扩展(加大字长) [例] 用8个16K×1bit芯片组成16K×8bit的存储器。

34. 第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接 8086 译码器 A19~A12 2732 A11~A0 A11~A0 8086 译码器 A19~A11 6116 A10~A0 A10~A0 • 存储器芯片与CPU的连接 (3) 地址线的连接：将用以“字选”的低位地址总线直接与存贮芯片的地址引脚相连，将用以“片选”的高位地址总线送入译码器。 可以根据所选用的半导体存储器芯片地址线的多少，把CPU的地址线分为芯片外(指存储器芯片)地址和芯片内的地址，片外地址经地址译码器译码后输出。作为存储器芯片的片选信号，用来选中CPU所要访问的存储器芯片。片内地址线直接接到所要访问的存储器芯片的地址引脚，用来直接选中该芯片中的一个存储单元。对4K×8b的2732而言，片外地址线为A19～A12，片内地址线为A11～A0；对2K×8b的6116而言，片外地址线为A19～A11，片内地址线为A10～A0。

35. 第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接 A14 译码器 1 2 A15 3 … … … 16K×4 16K×4 16K×4 16K×4 A0 WE CS WE CS WE CS CS WE D0 ~ D3 D0 ~ D3 D0 ~ D3 D0 ~ D3 … WE A13 D0 D1 D2 D3 • 存储器芯片与CPU的连接 字扩展(扩大地址)

36. 第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接 • 存储器芯片与CPU的连接 组成一个存储系统通常是由多个存储芯片组成。CPU每次访问内存只能对一个存储单元进行读或写，这个单元位于某个芯片中或一组芯片中。因此，首先要找到这个或这组芯片，这就是所谓的片选问题。换句话说，就是每当CPU访问内存，如何产生相应芯片的片选信号。指定一个存贮单元是由CPU给出的地址来决定的，硬件寻址的方法是将地址总线分成两部分。一部分直接送入芯片进行“片内地址译码”，确定片内单元的位置；另一部分送入译码器进行“片外地址译码”产生片选信号。 通常我们有三种片选方法：线选法、全译码法、部分译码法。

37. 第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接 A0~A9 （1） 1KB CS （2） 1KB CS （3） 1KB CS （4） 1KB CS A10 A11 A11 A13 • 存储器芯片与CPU的连接——线选法 在剩余的高位地址总线中，任选一位作为片选信号直接与存贮芯片的CS引脚相连，这种方式就称为线选法。其特点是无需译码器，但有较多的地址重叠区。该方法适用于存储器容量不大，所使用的存储芯片数量不多，而CPU寻址空间远远大于存储器容量。

38. 第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接 • 存储器芯片与CPU的连接——线选法 　 例5-1：用5片Intel6116(2K×8)组成10K×8位的存储器系统。求每块芯片的地址范围。 地址总线 A0--A10 RAM 2KB RAM 2KB RAM 2KB RAM 2KB RAM 2KB CS CS A11 A12 A13 A14 A15 CS CS （1） （3） （4） （5） （2） CS D0--D7 数据总线

39. 第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接 存储器5 地址范围 A15 A14 A13 A 12 A11 A10------------A0 地 址范围 0 1 1 1 1 0 0 7800H } 0 1 1 1 1 1 1 7FFFH 存储器4 地址范围 1 0 1 1 1 0 0 B800H } 1 0 1 1 1 1 1 BFFFH 1 1 0 1 1 0 0 C800H } 存储器3 地址范围 1 1 0 1 1 1 1 CFFFH 1 1 1 0 1 0 0 E800H } 1 1 1 0 1 1 1 EFFFH 1 1 1 1 0 0 0 F000H } 存储器2 地址范围 1 1 1 1 0 1 1 F7FFH 存储器1 地址范围 • 存储器芯片与CPU的连接——线选法

40. 第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接 A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 A 12 A11 A10------------A0 地 址范围 ?????????0 1 1 1 1 1 1 ?7FFFH ????????? 1 0 1 1 1 0 0 ?B800H ????????? 1 0 1 1 1 1 1 ?BFFFH ????????? 1 1 0 1 1 0 0 ?C800H ????????? 1 1 0 1 1 1 1 ?CFFFH ????????? 1 1 1 0 1 0 0 ?E800H ????????? 1 1 1 0 1 1 1 ?EFFFH ????????? 1 1 1 1 0 0 0 ?F000H ????????? 1 1 1 1 0 1 1 ?F7FFH ?????????0 1 1 1 1 0 0 ?7800H • 存储器芯片与CPU的连接——线选法

41. 第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接 A0~A12 8KB (1) CS 8KB (2) CS 8KB (8) CS Y0 Y1 Y7 3-8 译码器 A13~A15 … • 存储器芯片与CPU的连接——全译码法 除去与存储芯片直接相连的低位地址总线之外，将剩余的地址总线全部送入“片外地址译码器”中进行译码的方法就称为全译码法。其特点是物理地址与实际存储单元一一对应，但译码电路复杂。

42. 第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接 • 存储器芯片与CPU的连接——全译码法 　 例5-2：用16片Intel6232(4K×8)组成64K×8位的存储器系统。求每块芯片的地址范围。 A0---A11 地址总线 Y0 CS 4KB (1) 4KB (2) 4KB (16) CS Y1 译 码 器 A15--A12 ……. . . . . CS Y15 D0---D7 数据总线

43. 第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接 存储器1 地址范围 A15 A14 A13 A 12 A11 A10---------A0 地 址范围 0 0 0 0 0 0 0 Y10000H--0FFFH 存储器2 地址范围 0 0 0 1 0 0 0 Y21000H--1FFFH 0 0 1 0 0 0 0 Y32000H--2FFFH 存储器3 地址范围 1 1 0 1 0 0 0 Y14D000H--DFFFH 存储器14 地址范围 1 1 1 0 0 0 0 Y15E000H--EFFFH 1 1 1 1 0 0 0 Y16F000H--FFFFH 存储器16 地址范围 存储器15 地址范围 • 存储器芯片与CPU的连接——全译码法

44. 第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接 • 存储器芯片与CPU的连接——部分译码法 除去与存储芯片直接相连的低位地址总线之外，剩余的部分不是全部参与译码的方法就称为部分译码。其特点是译码电路比较简单，但出现“地址重叠区”，一个存贮单元可以由多个地址对应。

45. 第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接 • 存储器芯片与CPU的连接——部分译码法 例5-3：用8片Intel6116(2K×8)组成16K×8位的存储器系统。求每块芯片的地址范围。 地址总线 A0---A10 Y0 CS 2KB (1) 2KB (2) 2KB (8) CS Y1 译 码 器 …….. A15--A11 . . . . CS 中任三根 Y7 D0---D7 数据总线

46. 第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接 • 存储器芯片与CPU的连接——地址译码器 将CPU与存储器连接时，首先根据系统要求，确定存储器芯片地址范围，然后进行地址译码，译码输出送给存储器的片选引脚CS。能够进行地址译码功能的部件叫做地址译码器。常见的地址译码器如74LS138电路。

47. 第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接 • 存储器芯片与CPU的连接——地址译码器 如图给出了该译码器的引脚和译码逻辑框图。由图可看到，译码器74LS138的工作条件是控制端G1=1,G2A*=0,G2B*=0，译码输入端为C、B、A，故输出有八种状态，因规定CS*低电平选中存储器，故译码器输出也是低电平有效。当不满足编译条件时，74LS138输出全为高电平，相当于译码器未工作。74LS138的真值表如下表。

48. G1 C B A 译码输出 第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接 1 0 0 0 0 0 =0，其余为1 1 0 0 0 0 1 =0，其余为1 1 0 0 0 1 0 =0，其余为1 1 0 0 0 1 1 =0，其余为1 1 0 0 1 0 0 =0，其余为1 1 0 0 1 0 1 =0，其余为1 1 0 0 1 1 0 =0，其余为1 1 0 0 1 1 1 =0，其余为1 不是上述情况 × × × ～ 全为1 • 存储器芯片与CPU的连接——地址译码器

49. 第五章：存储器及其接口 • 概述 • 只读存储器ROM • 随机存储器RAM • 存储器芯片的扩展及其与系统总线的连接 • 典型的半导体芯片举例

50. 第五章：存储器及其接口——典型的半导体芯片举例第五章：存储器及其接口——典型的半导体芯片举例 • SRAM芯片HM6116 6116芯片的容量为2 K×8 bit，有2048个存储单元，需11根地址线，7根用于行地址译码输入，4根用于列译码地址输入，每条列线控制8位，从而形成了128×128个存储阵列，即16 384个存储体。6116的控制线有三条，片选CS、输出允许OE和读写控制WE。