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Classificazione difetti struttura cristallina:

Classificazione difetti struttura cristallina: difetti di punto : vacanze, interstiziali, sostituzionali difetti lineari: edge dislocation, screw dislocation difetti planari: grain boundaries, stacking faults. Difetti di punto. Vacanza. dislocazione. Interstiziale.

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Classificazione difetti struttura cristallina:

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Presentation Transcript

  1. Classificazione difetti struttura cristallina: • difetti di punto : vacanze, interstiziali, sostituzionali • difetti lineari: edge dislocation, screw dislocation • difetti planari: grain boundaries, stacking faults Dispositivi a semiconduttore

  2. Difetti di punto Dispositivi a semiconduttore

  3. Dispositivi a semiconduttore

  4. Vacanza dislocazione Interstiziale AFM image of the last PbSe layer of a 60-period PbSe/PbEuTe superlattice grown by MBE. The tensily strained PbSe layers relax via Stranski-Krastanow growth mode. The strain fields in the PbEuTe spacer layers induced by the PbSe islands lead to a nearly perfect hexagonal lateral ordering, disrupted only by point defects, such as vacancies (blue), dots at interstitional positions (green), or by additionally inserted dot rows ("dislocations", red). Dispositivi a semiconduttore

  5. DIFETTI DI LINEA: DISLOCAZIONI di Spigolo (edge dislocation) Dispositivi a semiconduttore

  6. Difetti di linea (screw dislocations) Dispositivi a semiconduttore

  7. Interfacce fra materiali diversi:Strain e misfit dislocation Dispositivi a semiconduttore

  8. Dispositivi a semiconduttore

  9. Cambia crescita, cambia qualità materiale Dispositivi a semiconduttore

  10. Edge dislocation: Burger vector linea dislocazione Screw dislocation: Burger vector \\ linea dislocazione Dispositivi a semiconduttore

  11. Difetti di superficie Materiale policristallino Dispositivi a semiconduttore

  12. Difetti di superficie Bordi di grano Materiale policristallino Dispositivi a semiconduttore

  13. Difetti di superficie Dispositivi a semiconduttore

  14. Stacking fault Con SF AB_FCC perfetto Dispositivi a semiconduttore

  15. Difetti di Volume Precipitati (es. Ossigeno in Silicio) Formazioni di cluster Dispositivi a semiconduttore

  16. P Difetti sostituzionali Impurezze sostituzionali non isovalenti Dispositivi a semiconduttore

  17. Impurezze sostituzionali non isovalenti Accettori Donori Dispositivi a semiconduttore

  18. 5P +e -e +e free -e D+ D0 Atomo di idrogeno ionizzato Atomo di idrogeno Dispositivi a semiconduttore

  19. Atomo di idrogeno Ry/4 Ry Dispositivi a semiconduttore

  20. Atomo di idrogeno Nei semiconduttori consideriamo solo lo stato 1s Dispositivi a semiconduttore

  21. Dispositivi a semiconduttore

  22. B B 3P 3P A- A0 Dispositivi a semiconduttore

  23. B B 3P 3P 3P 3P +e 3P -e A0 Stato vuoto localizzato intorno al Boro, ma non fisso. Atomo di antiidrogeno Linguaggio lacuna Dispositivi a semiconduttore

  24. B B 3P A- Tutti gli stati intorno al B sono pieni. +e +e Atomo di antiidrogeno ionizzato -e La lacuna è altrove Dispositivi a semiconduttore

  25. Dispositivi a semiconduttore

  26. Donori e accettori in Silicio Dispositivi a semiconduttore

  27. Accettori e donori ionizzati a 300K Dispositivi a semiconduttore

  28. Donori e accettori in GaAs Dispositivi a semiconduttore

  29. Transizioni elettroniche Dispositivi a semiconduttore

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