一、霍耳磁敏传感器二、磁敏二极管和磁敏三极管三、磁敏电阻

第六章半导体磁敏传感器 一、霍耳磁敏传感器二、磁敏二极管和磁敏三极管三、磁敏电阻

一、霍耳磁敏传感器 （一）霍耳效应通电的导体或半导体，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势的现象。Ｂ d －－－－－－ + + I + + VH + + w + + + + + + l 霍耳效应原理图

（二）霍耳磁敏传感器工作原理 设霍耳片的长度为l，宽度为w，厚度为d。又设电子以均匀的速度v运动，则在垂直方向施加的磁感应强度B的作用下，它受到洛仑兹力 q—电子电量(1.62×10-19C)； v—电于运动速度。同时，作用于电子的电场力当达到动态平衡时

电流密度 j=nqv n—N型半导体中的电子浓度 N型半导体 p—P型半导体中的孔穴浓度 P型半导体霍耳电势VH与 I、B的乘积成正比，而与d成反比。于是可改写成： —霍耳系数，由载流材料物理性质决定。ρ—材料电阻率 μ—载流子迁移率,μ=v/E,即单位电场强度作用下载流子的平均速度。金属材料，电子μ很高但ρ很小，绝缘材料，ρ很高但μ很小。故为获得较强霍耳效应，霍耳片全部采用半导体材料制成。

VH＝ KHI B 设 KH=RH / d KH—霍耳器件的乘积灵敏度。它与载流材料的物理性质和几何尺寸有关，表示在单位磁感应强度和单位控制电流时霍耳电势的大小。若磁感应强度B的方向与霍耳器件的平面法线夹角为θ时，霍耳电势应为： VH＝ KH I B cosθ 注意：当控制电流的方向或磁场方向改变时，输出霍耳电势的方向也改变。但当磁场与电流同时改变方向时，霍耳电势并不改变方向。

D R1 R2 B A R4 R3 C （三）霍耳磁敏传感器（霍耳器件）电流极霍耳电极 D s A B 5.4 d 2.1 2.7 w C l 0.3 0.5 0.2 R4 （a）（b）（c） • 霍耳器件片 • a)实际结构(mm)；(b)简化结构；(c)等效电路 • 外形尺寸:6.4×3.1×0.2;有效尺寸：5.4×2.7×0.2

C C C A B A B B A H D D D 图2.6-4 霍耳器件符号器件电流(控制电流或输入电流):流入到器件内的电流。电流端子A、B相应地称为器件电流端、控制电流端或输入电流端。霍耳输出端的端子C、D相应地称为霍耳端或输出端。若霍耳端子间连接负载,称为霍耳负载电阻或霍耳负载。电流电极间的电阻，称为输入电阻，或者控制内阻。霍耳端子间的电阻，称为输出电阻或霍耳侧内部电阻。关于霍耳器件符号，名称及型号，国内外尚无统一规定，为叙述方便起见，暂规定下列名称的符号。

IH I B R3 VH V R E 霍耳器件的基本电路控制电流I；霍耳电势VH；控制电压V；输出电阻R2；输入电阻R1；霍耳负载电阻R3；霍耳电流IH。图中控制电流I由电源E供给,R为调节电阻,保证器件内所需控制电流I。霍耳输出端接负载R3,R3可是一般电阻或放大器的输入电阻、或表头内阻等。磁场B垂直通过霍耳器件,在磁场与控制电流作用下，由负载上获得电压。实际使用时,器件输入信号可以是I或B，或者IB,而输出可以正比于I或B, 或者正比于其乘积IB。

设霍耳片厚度d均匀，电流I和霍耳电场的方向分别平行于长、短边界，则控制电流I和霍耳电势VH的关系式设霍耳片厚度d均匀，电流I和霍耳电场的方向分别平行于长、短边界，则控制电流I和霍耳电势VH的关系式同样，若给出控制电压V，由于V=R1I，可得控制电压和霍耳电势的关系式上两式是霍耳器件中的基本公式。即：输入电流或输入电压和霍耳输出电势完全呈线性关系。如果输入电流或电压中任一项固定时，磁感应强度和输出电势之间也完全呈线性关系。

（四）、基本特性 1、直线性：指霍耳器件的输出电势VH分别和基本参数I、V、B之间呈线性关系。 2、灵敏度：可以用乘积灵敏度或磁场灵敏度以及电流灵敏度、电势灵敏度表示： VH=KHBI KH——乘积灵敏度，表示霍耳电势VH与磁感应强度B和控制电流I乘积之间的比值，通常以mV/(mA·0.1T)。因为霍耳元件的输出电压要由两个输入量的乘积来确定,故称为乘积灵敏度。

若控制电流值固定，则： VH＝KBB KB——磁场灵敏度，通常以额定电流为标准。磁场灵敏度等于霍耳元件通以额定电流时每单位磁感应强度对应的霍耳电势值。常用于磁场测量等情况。若磁场值固定，则： VH＝KI I KI——电流灵敏度，电流灵敏度等于霍耳元件在单位磁感应强度下电流对应的霍耳电势值。

3、额定电流：霍耳元件的允许温升规定着一个最大控制电流。3、额定电流：霍耳元件的允许温升规定着一个最大控制电流。 4、最大输出功率在霍耳电极间接入负载后，元件的功率输出与负载的大小有关，当霍耳电极间的内阻R2等于霍耳负载电阻R3时，霍耳输出功率为最大。 5、最大效率霍耳器件的输出与输入功率之比，称为效率，和最大输出对应的效率，称为最大效率，即： 6、负载特性当霍耳电极间串接有负载时，因为流过霍耳电流，在其内阻上将产生压降，故实际霍耳电势比理论值小。由于霍耳电极间内阻和磁阻效应的影响，霍耳电势和磁感应强度之间便失去了线性关系。如图所示。

霍耳电势随负载电阻值而改变的情况 VH/mV 80 λ=∞ 理论值 λ=R3/R2 λ=7.0 60 实际值 λ=3.0 λ=1.5 40 R3 VH 20 I 0 0.2 0.4 0.8 1.0 0.6 B/T 霍耳电势的负载特性

7、温度特性：指霍耳电势或灵敏度的温度特性，以及输入阻抗和输出阻抗的温度特性。它们可归结为霍耳系数和电阻率（或电导率）与温度的关系。7、温度特性：指霍耳电势或灵敏度的温度特性，以及输入阻抗和输出阻抗的温度特性。它们可归结为霍耳系数和电阻率（或电导率）与温度的关系。双重影响：元件电阻，采用恒流供电；载流子迁移率，影响灵敏度。二者相反。 ρ/7×10-3Ω·cm RH/cm2/℃﹒A-1 6 LnAs 250 200 4 LnAs 150 100 2 LnSb LnSb 50 0 0 T/℃ 40 80 120 160 200 T/℃ 50 100 150 200 霍耳材料的温度特征（a）RH与温度的关系；（b）ρ与温度的关系

8、频率特性 • 磁场恒定，而通过传感器的电流是交变的。器件的频率特性很好，到10kHz时交流输出还与直流情况相同。因此,霍耳器件可用于微波范围,其输出不受频率影响。 • 磁场交变。霍耳输出不仅与频率有关，而且还与器件的电导率、周围介质的磁导率及磁路参数(特别是气隙宽度)等有关。这是由于在交变磁场作用下，元件与导体一样会在其内部产生涡流的缘故。总之，在交变磁场下，当频率为数十kHz时，可以不考虑频率对器件输出的影响，即使在数MHz时，如果能仔细设计气隙宽度，选用合适的元件和导磁材料，仍然可以保证器件有良好的频率特性的。

（五）霍耳开关集成传感器 霍耳开关集成传感器是利用霍耳效应与集成电路技术结合而制成的一种磁敏传感器，它能感知一切与磁信息有关的物理量，并以开关信号形式输出。霍耳开关集成传感器具有使用寿命长、无触点磨损、无火花干扰、无转换抖动、工作频率高、温度特性好、能适应恶劣环境等优点。

VCC 1 输出霍耳元件放大 3 整形稳压 + H BT －地 2 霍耳开关集成传感器内部结构框图 1．霍耳开关集成传感器的结构及工作原理由稳压电路、霍耳元件、放大器、整形电路、开路输出五部分组成。稳压电路可使传感器在较宽的电源电压范围内工作；开路输出可使传感器方便地与各种逻辑电路接口。

+12V R=2kΩ 1 3020T 输出 Vout 3 2 1 2 3 （a）外型（b）应用电路霍耳开关集成传感器的外型及应用电路

2．霍耳开关集成传感器的工作特性曲线 从工作特性曲线上可以看出，工作特性有一定的磁滞BH，这对开关动作的可靠性非常有利。图中的BOP为工作点“开”的磁感应强度，BRP为释放点“关”的磁感应强度。该曲线反映了外加磁场与传感器输出电平的关系。当外加磁感强度高于BOP时，输出电平由高变低，传感器处于开状态。当外加磁感强度低于BRP时，输出电平由低变高，传感器处于关状态。 VOUT/V 12 ON OFF 0 BH BOP B BRP 霍耳开关集成传感器的工作特性曲线霍耳开关集成传感器的技术参数：工作电压、磁感应强度、输出截止电压、输出导通电流、工作温度、工作点。

Vcc Vcc VAC VAC RL 3．霍耳开关集成传感器的应用（1）霍耳开关集成传感器的接口电路

VAC Vcc Vcc K K VAC VAC Vcc VAC Vcc VOUT RL MOS 霍耳开关集成传感器的一般接口电路

B/T L1 0.10 0.08 S N 0.06 AlNiCo 磁铁Ф6.4×32 0.04 0.02 0 5 7.5 10 15 2.5 12.5 17.5 20 距离L1/mm 霍耳开关集成传感器的L1-B关系曲线（2）给传感器施加磁场的方式 ①磁铁轴心接近式在磁铁的轴心方向垂直于传感器并同传感器轴心重合的条件下，随磁铁与传感器的间隔距离的增加,作用在传感器表面的磁感强度衰减很快。当磁铁向传感器接近到一定位置时,传感器开关接通,而磁铁移开到一定距离时开关关断。应用时,如果磁铁已选定,则应按具体的应用场合,对作用距离作合适的选择。

B/T 0.10 AlNiCo 磁铁 Ф6.4×32 空隙2.05 0.08 S N 0.06 L2 0.04 0.02 0 2.5 7.5 10 12.5 15 17.5 20 5 距离L2/mm 霍耳开关集成传感器的L2-B关系曲线 ②磁铁侧向滑近式要求磁铁平面与传感器平面的距离不变，而磁铁的轴线与传感器的平面垂直。磁铁以滑近移动的方式在传感器前方通过。

铁底盘 磁铁 N S 磁力集中器传感器传感器磁铁磁力集中器 S N 在磁铁上安装铁底盘示意图磁力集中器安装示意图 ③采用磁力集中器增加传感器的磁感应强度在霍耳开关应用时，提高激励传感器的磁感应强度是一个重要方面。除选用磁感应强度大的磁铁或减少磁铁与传感器的间隔距离外，还可采用下列方法增强传感器的磁感应强度。

④激励磁场应用实例 (a)加磁力集中器的移动激励方式磁力集中器 0.10 0.08 磁感应强度B/T 传感器 0.06 0.04 S 0.02 N 磁铁 0 2.5 5 7.5 10 磁铁与中心线的距离L2/mm 带有磁力集中器的移动激励方式示意图 B-L2曲线的对比图

N S S N 传感器图2.6-20 推拉式激励磁场示意图 (b)推拉式两个磁铁的S极都面对传感器，这样可以得到如图所示的较为线性的特性。注意：磁铁S极作用于传感器背面，会抵消传感器正面磁铁S极的激励作用。 B/T 0.05 0 -0.05 -15 -10 -5 0 5 10 15 距离L1/mm 图2.6-21 推拉式L1-B关系曲线

滑近传感器 S N S N 图2.6-22 双磁铁滑近式结构示意图 (c)双磁铁滑近式为激励传感器开关的接通，往往把磁铁的S极对着传感器正面，如果在传感器的背面也设置一磁铁，使它的N极对着传感器的背面，就会获得大得多的磁场。

片状筒状图2.6-23 翼片遮挡器的形状 (d)翼片遮挡式翼片遮挡方法就是把铁片放到磁铁与传感器之间，使磁力线被分流、傍路，遮挡磁场对传感器激励。当磁铁和传感器之间无遮挡时，传感器被磁铁激励而导通；当翼片转动到磁铁和传感器之间时，传感器被关断。

(e) 偏磁式在传感器背面放置固定的磁铁加入偏磁，就可以改变传感器的工作点或释放点。例如。将磁铁的N极粘附在传感器的背面，则传感器在正常情况下处于导通状态，必须在它的正面施加更强的负磁场，才能使它关断。 4.霍耳开关集成传感器的应用领域霍耳开关集成传感器的应用领域：点火系统、保安系统、转速、里程测定、机械设备的限位开关、按钮开关、电流的测定与控制、位置及角度的检测等等

（六）霍耳线性集成传感器 1．霍耳线性集成传感器的结构及工作原理霍耳线性集成传感器的输出电压与外加磁场成线性比例关系。这类传感器一般由霍耳元件和放大器组成，当外加磁场时,霍耳元件产生与磁场成线性比例变化的霍耳电压,经放大器放大后输出。在实际电路设计中，为了提高传感器的性能，往往在电路中设置稳压、电流放大输出级、失调调整和线性度调整等电路。霍耳开关集成传感器的输出有低电平或高电平两种状态，而霍耳线性集成传感器的输出却是对外加磁场的线性感应。因此霍耳线性集成传感器广泛用于位置、力、重量、厚度、速度、磁场、电流等的测量或控制。霍耳线性集成传感器有单端输出和双端输出两种，其电路结构如下图。

VCC 1 霍耳元件放大稳压 + H 输出 3 －地 2 单端输出传感器的电路结构框图 3 稳压 VCC 输出 H 1 5 8 7 6 输出双端输出传感器的电路结构框图 4 地单端输出的传感器是一个三端器件，它的输出电压对外加磁场的微小变化能做出线性响应，通常将输出电压用电容交连到外接放大器，将输出电压放大到较高的电平。其典型产品是SL3501T。双端输出的传感器是一个8脚双列直插封装的器件，它可提供差动射极跟随输出，还可提供输出失调调零。其典型产品是SL3501M。

5.6 4.6 输出电压U/V 3.6 2.6 1.6 -0.1 -0.3 -0.2 0 0.1 0.2 0.3 磁感应强度B/T SL3501T传感器的输出特性曲线 2．霍耳线性集成传感器的主要技术特性(1) 传感器的输出特性如下图：

2.5 2.0 输出电压U/V R=0 R=15Ω 1.5 R=100 Ω 1.0 0.5 0 0.04 0.08 0.16 0.20 0.24 0.28 0.32 0.12 磁感应强度B/T SL3501M传感器的输出特性曲线 2．霍耳线性集成传感器的主要技术特性(2) 传感器的输出特性如下图：

（七）霍耳磁敏传感器的应用 利用霍耳效应制作的霍耳器件，不仅在磁场测量方面，而且在测量技术、无线电技术、计算技术和自动化技术等领域中均得到了广泛应用。利用霍耳电势与外加磁通密度成比例的特性，可借助于固定元件的控制电流，对磁量以及其他可转换成磁量的电量、机械量和非电量等进行测量和控制。应用这类特性制作的器具有磁通计、电流计、磁读头、位移计、速度计、振动计、罗盘、转速计、无触点开关等。

利用霍耳传感器制作的仪器优点： (1) 体积小，结构简单、坚固耐用。 (2)无可动部件，无磨损，无摩擦热，噪声小。 (3)装置性能稳定，寿命长，可靠性高。 (4)频率范围宽，从直流到微波范围均可应用。 (5)霍耳器件载流子惯性小，装置动态特性好。霍耳器件也存在转换效率低和受温度影响大等明显缺点。但是，由于新材料新工艺不断出现，这些缺点正逐步得到克服。

S 电位差计 mA R E N 图2.6-24 霍耳磁敏传感器测磁原理示意图测量磁场的大小和方向

0o 北 VH B0 φ 西东 R Ba 90o 270o E La Li 南 180o 磁通集束器原理图磁方向图图为均匀磁场中使用集束器(实线)和不使用磁集束器(用虚线表示)时的磁方向图磁通集束器图中Li为集束器的总长度，La为集束器中部的空隙距离，霍耳器件磁通密度Ba比外部磁通密度B0约增强Li/La倍。

表2.6-2 几种导体材料在低温下的性能 材料温度 (K) RH 78 46 0.05 27 110 InSb InAs 78 7.5 0.009 650 6.8 Si 78 1 50.0 50 70

二、磁敏二极管和磁敏三极管 磁敏二极管、三极管是继霍耳元件和磁敏电阻之后迅速发展起来的新型磁电转换元件。它们具有磁灵敏度高（磁灵敏度比霍耳元件高数百甚至数千倍）；能识别磁场的极性；体积小、电路简单等特点，因而正日益得到重视；并在检测、控制等方面得到普遍应用。

（一）磁敏二极管的工作原理和主要特性 1．磁敏二极管的结构与工作原理（1）磁敏二极管的结构有硅磁敏二级管和锗磁敏二级管两种。与普通二极管区别：普通二极管PN结的基区很短，以避免载流子在基区里复合，磁敏二级管的PN结却有很长的基区，大于载流子的扩散长度，但基区是由接近本征半导体的高阻材料构成的。一般锗磁敏二级管用ρ=40Ω•cm左右的P型或N型单晶做基区(锗本征半导体的ρ=50Ω•cm)，在它的两端有P型和N型锗，并引出，若γ代表长基区，则其PN结实际上是由Pγ结和Nγ结共同组成。以2ACM—1A为例，磁敏二级管的结构是P+—i—N+型。

+ （b）在高纯度锗半导体的两端用合金法制成高掺杂的P型和N型两个区域，并在本征区（i）区的一个侧面上，设置高复合区(r区)，而与r区相对的另一侧面，保持为光滑无复合表面。这就构成了磁敏二极管的管芯，其结构如图。电流 N+区 i区 r区 p+区 H+ H- （a）磁敏二极管的结构和电路符号 (a)结构; (b)电路符号

（2）磁敏二极管的工作原理 当磁敏二极管的P区接电源正极，N区接电源负极即外加正偏压时，随着磁敏二极管所受磁场的变化，空穴电子流过二极管的电流也在变化，也就是说二极管等效电阻随着磁场的不同而不同。为什么磁敏二极管会有这种特性呢?下面作一下分析。 → ← i → ← N P → （a） ← 电流 H=0 复合区 i N P （b）电流 H+ i N P （c）电流 H- 磁敏二极管的工作原理示意图

结论：随着磁场大小和方向的变化，可产生正负输出电压的变化、特别是在较弱的磁场作用下，可获得较大输出电压。若r区和r区之外的复合能力之差越大，那么磁敏二极管的灵敏度就越高。结论：随着磁场大小和方向的变化，可产生正负输出电压的变化、特别是在较弱的磁场作用下，可获得较大输出电压。若r区和r区之外的复合能力之差越大，那么磁敏二极管的灵敏度就越高。磁敏二极管反向偏置时，则在 r区仅流过很微小的电流，显得几乎与磁场无关。因而二极管两端电压不会因受到磁场作用而有任何改变。

I/mA -0.2T -0.15T -0.1T -0.05T 0.05T 0 2 0.1T 0.15T 0.2T 0 U/V 9 5 1 7 3 （a） -0.2 -0.1 -0.3 I/mA -0.2 I/mA 0 -0.3 -0.1 5 5 0.1 0 0.1 0.2 3 3 0.2 0.3 0.3 0.4 0.4 1 1 U/V U/V 16 0 4 8 12 6 10 0 4 8 （c）（b）图2.6-29 磁敏二极管伏安特性曲线（a）锗磁敏二极管（b）、（c）硅二极管 2．磁敏二极管的主要特征（1）伏安特性在给定磁场情况下，磁敏二极管两端正向偏压和通过它的电流的关系曲线。

由图可见硅磁敏二极管的伏安特性有两种形式。一种如图2.6-29（b）所示，开始在较大偏压范围内，电流变化比较平坦，随外加偏压的增加，电流逐渐增加；此后，伏安特性曲线上升很快，表现出其动态电阻比较小。另一种如图2.6-29(c)所示。硅磁敏二极管的伏安特性曲线上有负阻现象，即电流急增的同时，有偏压突然跌落的现象。由图可见硅磁敏二极管的伏安特性有两种形式。一种如图2.6-29（b）所示，开始在较大偏压范围内，电流变化比较平坦，随外加偏压的增加，电流逐渐增加；此后，伏安特性曲线上升很快，表现出其动态电阻比较小。另一种如图2.6-29(c)所示。硅磁敏二极管的伏安特性曲线上有负阻现象，即电流急增的同时，有偏压突然跌落的现象。产生负阻现象的原因是高阻硅的热平衡载流子较少，且注入的载流子未填满复合中心之前，不会产生较大的电流，当填满复合中心之后，电流才开始急增之故。

ΔU/V ΔU/V 2.0 R 3kΩ 2.0 1.6 1.6 E=12V（18V） E 1.2 1.2 0.8 0.8 0.4 Td=20℃ 0.4 B / 0.1T 1.0 -2.0 -1.0 1.0 2.0 -2.0 -1.0 2.0 3.0 B / 0.1T -0.4 -0.4 -0.8 -0.8 -1.2 -1.2 -1.6 -1.6 -2.0 -2.0 （a）（b）图2.6-30 磁敏二极管的磁电特性曲线（a）单个使用时（b）互补使用时（2）磁电特性在给定条件下，磁敏二极管的输出电压变化量与外加磁场间的变化关系，叫做磁敏二极管的磁电特性。图2.6-30给出磁敏二极管单个使用和互补使用时的磁电特性曲线。

I/mA ΔU/V B = 0.1T 1.0 -5 E=6V ΔU -4 0.8 -3 0.6 -2 0.4 -1 0.2 I 60 -20 20 40 80 0 T/℃ 图2.6-31 磁敏二极管温度特性曲线 (单个使用时) （3）温度特性温度特性是指在标准测试条件下，输出电压变化量（或无磁场作用时中点电压）随温度变化的规律，如图所示。

由图可见，磁敏二极管受温度的影响较大。 反映磁敏二极管的温度特性好坏，也可用温度系数来表示。硅磁敏二极管在标准测试条件下，u0的温度系数小于＋20mV／℃，的温度系数小于0.6%/℃。而锗磁敏二极管u0的温度系数小于-60mV／℃，的温度系数小于1.5%/℃。所以，规定硅管的使用温度为-40～＋85℃，而锗管则现定为-40～＋65℃。

dB 0 -3 -6 -9 -12 10 1 0.1 0.01 f/kHz 图2.6-32 锗磁敏三极管频率特性（4）频率特性硅磁敏二极管的响应时间，几乎等于注入载流子漂移过程中被复合并达到动态平衡的时间。所以，频率响应时间与载流子的有效寿命相当。硅管的响应时间小于1 ，即响应频率高达1MHz。锗磁敏二极管的响应频率小于10kHz。

5）磁灵敏度 磁敏二极管的磁灵敏度有三种定义方法：（a）在恒流条件下，偏压随磁场而变化的电压相对磁灵敏度（hu），即： uo—磁场强度为零时，二极管两端的电压； uB—磁场强度为B时，二极管两端的电压。 (b)在恒压条件下，偏流随磁场变化的电流相对磁灵敏度（hi），即： (2.6-26) (2.6-27)

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