LED 裸晶光學特性之自動量測

1. A19 LED裸晶光學特性之自動量測 前言 研究方法 研究成果 結論與建議

2. 輸入論文編號，字型為80號陰影粗體 A19 輸入論文名稱，字型為80~95號陰影粗體 LED裸晶光學特性之自動量測 輸入作者資訊，字型為32~40號粗體 標題包含「前言」、「研究方法」、「研究成果」、「結論與建議」，字型為60號陰影粗體 前言 內文字型為45號 在國際市場上LED(Light Emitting Diode)主要用於交通號誌、照明、戶外看板、顯示器背光源(如手機、PDA) 及汽車等產品等等，包含的範圍相當的廣。LED 的製作流程簡介如下：首先上游工廠從事單晶片與磊晶片的製造，中游則是晶粒製作;，下游進行封裝。細部上，在晶粒製作後，必須先經過嚴密的量測分級，下游工廠再依照需求進行封裝。本文即是針對未封裝、崩裂後之裸晶的檢測相關系統進行整合。其中主要的部份可分為四軸定位系統、影像定位系統與LED檢測系統並制定彼此溝通介面與除錯機制，以維持系統架構的完整。 研究方法 次標題字型為50號粗體 本系統中結合了影像定位系統、四軸定位系統與LED檢測系統。整體系統架構如圖1。 一、影像定位系統：影像定位系統乃透過同軸落射之紅光光源，使攝影機與影像擷取卡取得LED晶圓影像，再交付軟體計算以定位各晶粒之位置，並將位置資料存入資料庫系統，提供後續量測LED時使用。 二、四軸定位系統：由於影像定位系統與四軸定位系統中富有相當程度的關連性，因此將其整合入同一台電腦中將可省略掉多許相關的溝通介面，進行排除錯誤的機制，如:RS-232、USB…，系統也可即時進行位移補正等相關事項，減少錯誤的產生 三、LED檢測系統：LED檢測系統與定位的相關性較低，著重在檢測數據的正確性以及相關的硬體規範。其次對探針座而言，系統中將針壓感測的部份交由定位系統與軸卡，作為控制。而電性部分則連接到LED檢測系統上，獨立由另一台電腦計算與控制。 圖片解析度請達1024×768 圖1：系統架構圖 圖2：晶粒量測結果 圖表標題字型為45號粗體 研究成果 本系統統計十次的測試中，掃描晶粒以定位的時間約為5分鐘，而取像的次數約為 800 多次。以實驗用的晶元做統計(約14000顆LED chips)，確實取像次數為為813到817次。影響量測結果的因素，主要來自於第一顆晶粒的圈選大小與位置，其次為攝影機雜訊所造成的誤判。晶粒量測結果如圖2。在晶粒單檢的測試中，包含平臺移動，下針通電，及量出光電特性等相關事件，所能達到檢測LED chips的速度為 3.5 (顆/秒)。 結論與建議 此項成果可以提供給LED下游廠商，做崩裂後的LED光學特性量測，以便對LED做分級之用。並可搭配自動分類機台，將所量測完成之LED做檢取並以光學特性，將其分類收集。