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第三章 逻辑门

第三章 逻辑门. 逻辑门电路：用来实现基本 逻辑运算 和复合逻辑运算的电子电路统称为逻辑门电路。. 基本和常用门电路有与门、或门、非门（反相器）、与非门、或非门、与或非门和异或门等。. 逻辑门是构成所有数字电路的基本单元电路。目前在数字电路中用的最多的是 CMOS 电路和 TTL 电路两种类型。. 3.1 MOS 管的开关特性. 1. N 沟道增强型 MOS 管 的结构和符号. 半导体层. PN 结. SiO 2 绝缘层. S (Source) ：源极 G (Gate) ：栅极 D (Drain) ：漏极 B (Substrate): 衬底.

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第三章 逻辑门

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  1. 第三章 逻辑门

  2. 逻辑门电路：用来实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的电子电路统称为逻辑门电路。逻辑门电路：用来实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的电子电路统称为逻辑门电路。 基本和常用门电路有与门、或门、非门（反相器）、与非门、或非门、与或非门和异或门等。 逻辑门是构成所有数字电路的基本单元电路。目前在数字电路中用的最多的是CMOS电路和TTL电路两种类型。

  3. 3.1 MOS管的开关特性 1. N沟道增强型MOS管的结构和符号 半导体层 PN结 SiO2绝缘层 S (Source)：源极 G (Gate)：栅极 D (Drain)：漏极 B (Substrate):衬底

  4. 2. P沟道增强型MOS管的结构和符号 S (Source)：源极 G (Gate)：栅极 D (Drain)：漏极 B (Substrate):衬底

  5. 3. N沟道耗尽型和P沟道耗尽型区别：耗尽型MOS管在VGS=0时就已经有导电沟道存在

  6. 3.2 CMOS门电路 3.2.1 CMOS反相器和传输门 1. CMOS反相器 (1) 电路结构

  7. 1．逻辑关系： （设VDD＞（VTN+|VTP|），且VTN=|VTP|） （1）当Vi=0V时，T1截止，T2导通。输出VO≈5V。 （2）当Vi=5V时，T1导通，T2截止，输出VO≈0V。

  8. 电压、电流传输特性

  9. 2. CMOS传输门 开关状态由加在P和N的控制信号决定。 当P=0V，N=VDD时，两个MOS管均导通，A-B接通。 当P=VDD，N=0V时，两个MOS管均截止，A-B断开。

  10. 3.2.2 CMOS与非门、或非门和异或门 1. 与非门

  11. 2. 或非门

  12. 3. 异或门

  13. 4. 异或非门 工作原理与异或门类似

  14. 5. 与门、或门和同相缓冲器 由反相器、传输门、与非门、或非门可以组成其他逻辑功能的门电路或逻辑电路。 与非门+反相器 或非门+反相器 反相器+反相器

  15. 通常在集成电路芯片的每个输入和输出端内部都接有标准参数的反相器。通常在集成电路芯片的每个输入和输出端内部都接有标准参数的反相器。 6. 输入、输出端有反相器的或非门和与非门

  16. 3.2.3 三态输出和漏极开路输出的CMOS门电路1. 三态输出的门电路

  17. 三态门的用途：总线连接

  18. 2. 漏极开路输出的门电路 (1) 输出并联使用，实现线与运算 (2) 需要在输出端与电源之间外接上拉电阻RP

  19. (1) 输出并联使用，实现线与运算 (2) 使用时在输出端与电源之间外接上拉电阻RP

  20. RP的计算方法: • 将n个OD门接成“线与”结构，并考虑存在负载电流IL的情况下，电路如图所示

  21. 漏极开路输出的CMOS门电路的用途：接成总线结构漏极开路输出的CMOS门电路的用途：接成总线结构

  22. 3.2.4 CMOS电路的静电防护和锁定效应 1. 静电防护 为了防止静电击穿，在CMOS集成电路的每个输入端都设置了输入保护电路。

  23. 2. 锁定效应 当CMOS电路的输入端或输出端出现瞬时高压时，有可能使电路进入这样一种状态，即电源至电路公共端之间有很大的电流流过，输入端也失去了控制作用。 通过改进制造工艺，已经可以做到一般情况下不会发生，但还不能绝对避免。

  24. 3.2.5 CMOS电路的电气特性和参数 1. 直流电气特性和参数 也称静态特性，指电路处于稳定工作状态下的电压、电流 特性，通常用一系列电气参数来描述。 (1) 输入高电平VIH和输入低电平VIL VDD为+5V时，74HC系列集成电路的VIH(min)约为3.5V， VIL(max)约为1.5V。 (2) 输出高电平VOH和输出低电平VOL VDD为+5V时，74HC系列集成电路的VOH(min)为4.4V（当输出端流出的负载电流为－4mA时），VOL(max)为0.33V（当流入输出端的负载电流为4mA时）。

  25. (3) 噪声容限VNH和VNL VNH＝VOH(min)－ VIH(min) ＝4.3－3.5＝0.8V VNL＝VIL(max)－ VOL(max) ＝1.5－0.33＝1.17V (4) 高电平输入电流IIH和低电平输入电流IIL IIH(max)和 IIL(max)通常在1μA 以下。

  26. (5) 高电平输出电流IOH和低电平输出电流IOL 74HC系列电路中，当VDD＝5V时，RON(N)不大于50Ω， 而RON(N)在100Ω以内； 高电平输出电流IOH为-4mA； 低电平输出电流IOL为4mA。

  27. 2. 开关电气特性和参数 也称动态特性，是指电路在状态转换过程中的电压、电流特性。 (1) 动态功耗

  28. 与非门的传输延迟时间tpd： (2) 传输延迟时间tpd 在CL＝50pF的条件下，74HC04的传输延迟时间tpd约为9ns。 导通延迟时间tPHL——从输入波形上升沿的中点到输出波形下降沿的中点所经历的时间。 截止延迟时间tPLH——从输入波形下降沿的中点到输出波形上升沿的中点所经历的时间。 一般TTL与非门传输延迟时间tpd的值为几纳秒～十几个纳秒。

  29. 3.3 双极型半导体二极管和三极管的开关特性3.3.1 双极型二极管的开关特性和二极管门电路 1. 二极管的结构和伏安特性： PN结 + 引线 + 封装构成

  30. 设VCC = 5V 加到A,B的 VIH=4V VIL=0.3V 二极管导通时 VDF=0.7V 二极管与门 规定4V以上为1 1V以下为0

  31. 二极管或门 设VCC = 5V 加到A,B的 VIH=4V VIL=0.3V 二极管导通时 VDF=0.7V 规定3.3V以上为1 0.3V以下为0

  32. 二极管构成的门电路的缺点 • 电平有偏移 • 带负载能力差 • 只用于IC内部电路

  33. 3.3.2 双极型三极管的开关特性 1. 双极型三极管的结构示意图和符号 npn型三极管 pnp型三极管

  34. 2. npn型三极管开关电路 只要参数合理： VI=VIL时，T截止，VO=VOH VI=VIH时，T导通，VO=VOL

  35. 3. 三极管的开关等效电路

  36. 3.4 TTL门电路 3.4.1 TTL反相器 1. 电路结构和工作原理 设定： (1) (2) 输入级 倒相级 输出级

  37. （1）输入低电平0.2V时。 该发射结导通，VB1≈0.9V。T2、T4都截止。 忽略流过R2的电流，VB3≈VCC=5V。 5V 由于T3和D导通，所以： VO≈VCC-VBE3-VD =5-0.7-0.7=3.6（V） 0.9V 0.2V 3.6V 实现了非门的逻辑功能之一： 输入低电平时，输出为高电平。

  38. （2）输入为高电平3.6V时。 T2、T4饱和导通， 由于T4饱和导通，输出电压为： VO=VCES4≈0.2V 由于T2饱和导通，VC2=1V。 T3和二极管D2都截止。 实现了非门逻辑功能的另一方面： 输入为高电平时，输出为低电平。 1V 2.1V 3.6V 综合上述两种情况，该电路满足非的逻辑功能，即： 1.4V 0.7V 0.2V

  39. 需要说明的几个问题：

  40. 电压传输特性 阈值电压VTH约为1.4V

  41. 2. 输入特性 以反相器SN7404为例

  42. 结论：TTL输入端悬空和接逻辑1电平效果相同 注意：CMOS电路中若输入端经过电阻接地，输入端电位为零

  43. 3. 输出特性 （1） IoL——是输出低电平时，流入输出端的电流。 IoL(max)=16mA。 （2） IoH——是输出高电平时，流出输出端的电流。IoH(max)=0.4mA。 1. 反相器接有负载电路时，输出的高低电平随负载电流的变化而改变，且变化不大。 2. 需要驱动较大的负载电流时，总是用输出低电平去驱动。

  44. 3.4.2 TTL与非门、或非门、与或非门和异或门 1. 与非门

  45. 3.与或非门 2. 或非门

  46. 4. 异或门

  47. 3.4.3 三态输出和集电极开路输出的TTL门电路1. 三态输出的门电路

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