1 / 53

КОСМИЧЕСКИЕ ПРОДУКТЫ INTERSIL – ВЫСОКОНАДЕЖНОЕ РЕШЕНИЕ

КОСМИЧЕСКИЕ ПРОДУКТЫ INTERSIL – ВЫСОКОНАДЕЖНОЕ РЕШЕНИЕ. Длинная история и присутствие на космическом рынке Широкая линейка продуктов, отвечающих требованиям DLA (управление тыла МО США) Радиоционностойкие аналоговые микросхемы. Апрель 201 3 Обновление. Christophe Boucheron

nitsa
Download Presentation

КОСМИЧЕСКИЕ ПРОДУКТЫ INTERSIL – ВЫСОКОНАДЕЖНОЕ РЕШЕНИЕ

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. КОСМИЧЕСКИЕ ПРОДУКТЫ INTERSIL –ВЫСОКОНАДЕЖНОЕ РЕШЕНИЕ • Длинная история и присутствие на космическом рынке • Широкая линейка продуктов, отвечающих требованиям DLA(управление тыла МО США) • Радиоционностойкие аналоговые микросхемы • Апрель 2013Обновление • Christophe Boucheron • Менеджер по продажам высоконадежной продукции в Европе …когда отказ невозможен!!TM

  2. Intersil Cегодня Лидер производства высокоэффективных аналоговых ИС и ИС смешенного сигнала • В 2012 доход составил $608M • Штаб-квартира: Силиконовая долина • ~1,200 сотрудников • 18 центров по всему миру и 7 дизайн центров • Стабильное финансовое состояние Потребители 18% Промышленость& Инфраструктура 59% Персональные компьютеры23% 1 квартал 13 доход = $132 милл

  3. Обзор радиоционнстойких продуктов для космических приложений • Доступно около 300 типономиналов радиационно-стойких изделий, пригодных для использования в условиях космоса • Центр разработки и производства компонентов в г. Палм-Бэй (Флорида), отвечающий требованиям стандарта MIL-PRF-38535 • Все изделия полностью соответствуют требованиям Класса V (космический уровень) • Все продукты имеют индивидуальные технические условия для стандартных ИС (SMD) DLA • Доступны PROTOтипы всех новых продуктов для тестирования их на макетных и оценочных платах • Изделия испытаны по методу 1019 с помощью излучателя собственной разработки Gammacell 220TM и гарантирована их стойкость к воздействию радиационного излучения высокой мощности • ELDRSтесты(испытания на стойкость к воздействию ионизирующего излучения низкой интенсивности) каждой пластины проводятся на собственном ELDRS оборудовании • Испытания на стойкость к воздействию ТЗЧ проводятся в Texas A&M и полный отчет об испытаниях можно найти на www.Intersil.com

  4. Intersil: радиационно устойчивая продукция Цифровой-аналоговый преобразователь: • Операционный усилитель (Op Amps) • - Высокоскоростной • - Высокоточный • Rail-to-Rail • - Энергоемкий • Цифровой аналоговый преобразователь (DAC) • Источник опорного напряжения • Компораторы • Периферия • Память(PROM) • Переключатель/MUX • 16CH MUX (1840) • Dual/Quad Switches • Транзистор Arrays • Интерфейс • RS-422 • Receivers/Drivers • Логика • CD/HTS/HCTS/HCS/ACTS DCP Voltage Reference Temp Sensor Signal Sensor Amp Digital Processing MUX Amp ADC DAC Amp DCP Interface Timing & Control (RTC) DCP Управление питанием: Разработана ( идет финансирование) • Стабилизатор напряжения локализованный к нагрузке • ШИМ контроллеры • Супервизоры напряжения питания Будущая продукция • Драйвера вытекающего тока • Драйвера MOSFET • ИС линейные регуляторы • Стабилизаторы низкого падения напряжения Разработана ( нет финансирования) Не разработана

  5. Обзор заводских испытаний компании Intersil на ELDRS (стойкость к воздействию ионизирующего излучения низкой интенсивности)

  6. Принципы компании Intersil, применяемые в программе ELDRS • Исследователи заметили сильную зависимость характеристик биполярных аналоговых ИС от мощности дозы излучения. • Многие стандартные устройства демонстрируют серьезную деградацию важнейших параметров при воздействии излучения с низкой мощностью дозы. Де факто признанной стандартной величиной является мощность дозы излучения 0,01 рад (Si)/с, которая теперь зафиксирована в методе 1019 стандарта MIL-STD-883. • Подход компании Intersil: начиная с 2011 года компания Intersil выполняет квалификационные испытания каждой пластины в процессе производства как при низкой, так и при высокой мощности дозы излучения в двух режимах: со смещением и без смещения. Для проведения этих испытаний был создан излучатель камерного типа с низкой мощностью дозы излучения. Полный отчет о результатах этих испытаний по программе ELDRS (Enhanced Low Dose Rate Sensitivity) можно найти на веб-сайте компании Intersil. В условном обозначении компонента Intersil, который был изготовлен в соответствии с этой новой программой, содержится индекс EH вместо RH. • Компания Intersil будет в дальнейшем изготавливать все свои новые компоненты с обязательным проведением испытаний при низкой мощности излучения (ELDRS)и также планируется проведение таких испытаний и на всех изделиях, которые были выпущены ранее.

  7. Новый EH (низкая интенсивность) процесс Компоненты прошедшие новое радиационное тестированиеISIL(LDR + HDR) будут иметь буквы“EH”в наименовании

  8. ELDRSиспытательныйцентр в Палм Бэй, Флорида Проведение испытаний началось в 1 квартале 2011

  9. Квалификационные испытания на воздействие низкоинтенсивного излучения. Только EH версия Только EH версия

  10. Квалификационные испытания на воздействие низкоинтенсивного излучения. Только EH версия Только EH версия

  11. План выпуска изделий серии EH,испытанных при производстве на стойкость к излучению с низкой мощностью дозы

  12. ПОРТФОЛИО ПРОДУКТОВ INTERSIL ДЛЯ КОСМИЧЕСКИХ ПРИЛОЖЕНИЙ

  13. Широкий диапазон продуктов одобренных и квалифицированных для космического применения • Признанные радиоционностойкие ИМС с историей успешного применения • ИМС сбора данных: ЦАП, Мультиплексоры, Переключатели • Преобразование данных: Линейные драйверы, Линейные ресиверы • Линейные ИМС: Буферы, Компараторы, Операционные усилители, Источники опорного сигнала, Схемы выборки и удержания, Транзисторы • ИС Управление питанием: полномотовые драйверы, полумостовыe драйверы, драйверы с низким падением напряжения, устройства выборки и хранения, устройства сброса электропитания при включении, ШИМ контроллеры, драйверы питания, драйверы с синхронным выпрямителем, стабилизаторы напряжения, Источники опорного напряжения • Память: ППЗУ • Микропроцессоры и периферийные устройства: 80C86 и сопутствующие периферийные устройства • Логические ИС: CD4xxx, ACS/ACTS, HCS/HCTS

  14. ИС Сбора данных • Цифро-аналоговый преобразователь: • Мультиплексоры: • Переключатели:

  15. ИС для шин передачи данных • Линейные драйверы: • Приемники линий:

  16. Линейные ИС ( часть 1) • Компораторы: • Буферы и видео Операционные усилители: • Устройства выборки/хранения:

  17. Линейные ИС ( часть 2) • Операционные Усилители:

  18. Линейные ИС (часть 3) • Матрицы транзисторов:

  19. Память / Микропроцессор / Периферия. • Память: • Микропроцессоры и периферия:

  20. ИС управление питанием (Часть 1) • Супервизорынапряжения питания: • Драйверы вытекающего тока: • Источники опорного напряжения: • Будет представлен летом 2013 В разработке

  21. ИС управления питанием( Часть 2) • Стабилизаторы, локализованные к нагрузке (POL) : • Будет представлен летом 2013 • В разработке

  22. ИС управление питанием (Часть 3) Стабилизаторы с низким падением напряжения (LDO) : Широко-импульсные мoдуляторы (PWM) :

  23. ИС управление питанием (часть 4) • Драйвера MOSFET:

  24. ИС Цифровой логики: • CD4000, HC/HCT, AC/ACT logicSerie: • Вентили • Буферы • Защелки • Триггеры • Счетчики • Регистры • Дешифраторы • Специальные функции: • Мультивибраторы • Компараторы значений • Более подробную информацию о данных продуктах вы найдете на сайте и в каталоге продуктов для применений в космосе.

  25. Недавно выпущенные продукты

  26. ISL70001SRH Синхронный импульсный регулятор: ITAR Тройное резервирование для достижения лучших в отрасли SET характеристик 3V – 5.5V вход Prec. Enable 1MГцЧастота переключений Аналог SS - регулируемый 6A интегрированные FET @ <145° C HS FET = 36mOhms LS FET = 25mOhms Регулируемое Vout Внутренняя компенсация PGOOD +/-1% Over Temp, Line, Load, and RH Синхронизация - I/O Выход = драйверы Синхронизация 180° сдвига по фазе Вход ISL70001 Intersil предлагает как корпуссированную версию ISL70001(в CQFP корпусес 48 выводами) так и в виде кристалла

  27. Выпущен DSCC центром: SMD# 5962-09225 ISL70001SRHключевые характеристики: • HDR и LDR облучение до 100Kрад (Si) • теристорный эффект SEL иэффект одиночного прогорания SEB отсутствуют при LET = 86 • эффекты SET <1% от Vвыход при LET = 86 • Синхронное понижение напряжения = Высокий КПД • Соединение 6A тока при 145°C выходной ток увеличивается по мере понижения температуры соединения • Monotonic SS в предварительно смещенную нагрузку • Характеристики PGOOD и запуска • ISL70001 характеристики по результатам воздействия единичных событий подкреплены часами тестов в TAMU проведенных ISIL и NASA – отчет в сети Интернет • В 2011 ISL70001 будут проводиться заводские LDR тесты по методу пластина за пластиной = гарантированная HDR и LDR ISL70001 входит в проекты многих спутниковых программ и первый запуск ожидается в 2012

  28. ISL70001SRH КПД: Vвх=5.0В & 3.3В, 1MГц, 25ºC условия внешней среды – объединены в одном устройстве

  29. ISL70001SRH типичные эффекты SET (стойкая) Укороченный LXx импульс Удлиненный LXx импульс VOUTLXxSYNCPGOOD VOUTLXxSSPGOOD LET = 86.4 MeV/mg/cm2 VOUTотклонение ~ 1% LET = 86.4 MeV/mg/cm2 VOUTотклонение < 1%

  30. ITAR ISL70002SEH: радиационно-стойкий и стойкий к эффектам SEE 12A синхронный импульсный понижающий регулятор с многофазным перераспределением тока –ВЫПУЩЕН • DLA SMD#5962-12202 • 12A выходного тока для одного устройства (при TJ = +150°C) • 19A выходного тока для двух параллельно включенных устройств • 1МГц или500кГц частота переключений • от 3V до 5.5V диапазон напряжения сети питания • ±1% опорного напряжения (Line, Load, Temp. & Rad.) • Совместим со смещенной нагрузкой • Резервирование/изоляция перехода: превосходные характеристики SET • Два ISL70002SEH синхронизация, обращенная (противоположная) фаза • Компаратор сигналов запуска и Power-Good • Регулируемый аналоговый Soft-Start • Защита от недостаточного напряжения на входе, на выходе и регулируемая защита на выходе от перегрузки по току • QML квалификация по MIL-PRF-38535 • Полный температурный диапазон класса Military (-55°C до +125°C) • Радиационные условия • Высокая доза . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 krad(Si) • ELDRS (излуч низ интенсивности . . . . . . . .100 krad(Si)* • **Уровень гарантированный расчетными характеристиками; “EH” версия прошла заводские испытания на дозу 50 krad(Si). • Стойкость к SEE • - SEL и SEB LET . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86.4MeV/mg/cm2 • - SEFI LET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43MeV/mg/cm2 • - SET LET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86.4MeV/mg/cm2 Master Slave ЛУЧШИЙ КПД В КЛАССЕ Vout ЛУЧШИЕ В КЛАССЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ SET при LET=86

  31. ISL70002SEH типичный одиночный эффект SET – сбой переключения (стойкая) • ISL70002SRH SET зафиксирован при LET = 84 MeV·cm2/mg • Конфигурация перераспределения тока при 5.5V вход напряжения, с облученным Slave Удлинённый LXx импульс CH1 Ведущий(20x масштаб) CH2 Ведомый(15x масштаб) Voult (10x масштаб) Укороченный LXx импульс Синхросигнал Отклонение выходного напряжения (красная линия) менее 1%

  32. ITAR ПРОИЗВОДСТВО ЗАПУЩЕНО: SMD# 5962-07249 ISL7884xARH – рад. стойкий несимметричный контроллер режима тока Характеристики • 1A MOSFET драйвер для управления затвором • 5.5mA рабочего тока сети в худшем случае = более высокий КПД чем у семейства TI UC184x • Быстрый переходный процесс с контролем режима максимального тока • Работа от 9V до 13.2V • 20нсек время повышения и понижения при 1наноФарад выходной нагрузки • ШИМ выходная частота до 1MГц • +/- 3% пороговый лимит тока • 1.5MHz пропускная способность (ширина полосы пропускания) усилителя сигнала рассогласования • TID = 100Krad (Si), ELDRS 100Krads (Si) • Керамический плоский корпус с 8 выводами, корпус с напайкой выводов на боковой поверхности и кристалл • /Proto, Class Q и V, также /Samples • Доступны демонстрационные платы, отчет об эффектах SEE Доступны два варианта корпуса PTP with UC184x Family = нет нового дизайна плат Отчет по испытаниям ТЗЧ доступен на сайтеhttp://www.intersil.com/space/SEE_Test_Report.asp

  33. ISL75051SRH: рад. стойкий 3А стабилизаторнапряжения с ультра низким падением напряжения положительной полярности ВЫПУЩЕН • Характеристики • Диапазон входного напряжения от 2.2V до 6.0V • Выходной ток до 3A при 150C температуре • Выходная точность +/-1.5% в военном температурном диапазоне • Ультра низкое падение напряжения • 65mV типичное падение при 1A • 225mV типичное падение при 3A • Среднеквадратическое значение выходного шума в 100 мкВ от 300Гц до 300кГц • Смягчение эффектов SET с/ без добавления фильтрации/диодов • Быстрый переходный процесс при смене нагрузки • Танталовый конденсатор стабилен с мин 47мкФ • Enable и PGood • - HDR =100Krad (Si) и LDR = 100Krad (Si) • EH = заводские тесты на 50krad (Si) • SET = отклонение Voult <1% при LET=86 • Стойкий к SEL/SEB >=LET 86 • Предлагается в виде кристалла и в плоском корпусе с 18 выводами • /Proto, Class Q и V а также /Samples CFP корпус с 18 выводами 12mm x 10mm CFP MIL-PRF-38535 предлагается в классе V, Q, и класс V в виде кристалла

  34. ISL75051SRH: 3A, рад. стойкий, положительный стабилизатор ультра низкого падения выходного напряжения Единичный танталовый конденсатор220мкФ +4% -4% LET = 86, VIN=4.0V, VOUT=1.8V, IOUT=0.1A, выходная емкость COUT=220мкФ, 10V 25mohm/0.1uF X7R

  35. ISL75051SRH запас амплитуды и регулировки по фазе свыходной емкостью =47uF С использованием DSCC 04051-033 полупроводниковых танталовых конденсаторов (47uF, 10V, 35mOhms) • Vin = 3.3V • Vout = 2.5V • Iout = 3A • Cout = 1 x DSCC 04051-035 (47uF, 10V, 25mOhms) • Запас регулировки: 63.09 градусов • Запас амплитуды: 17.14dB • Широта полосы пропускания: 212.3 KHz

  36. ISIL предлагает готовоерешение для питания Xilinx FPGA 12A импульсный стабилизатор (многофазное решение , рассчитанное на ток до 19A) Передан в производство SMD # 5962R1220201 Напр. пит. ввода/вывода 1.2V - 3.3V Вспомогательное, Напряжение 2.5В Напряжение питания ядра 1 В 5V ± 10% 3A Стабилизатор низкого падения напряжения VOUT LXx LXx VIN VIN VIN EN EN EN ISL75051SRH ISL70002SEH ISL70001SEH M/S M/S BYP PGOOD PGOOD PGOOD SYNC SYNC Передан в производствоSMD # 5962R1121201 Xilinx FPGA Передан в производство SMD # 5962R0922502 6A импульсный стабилизатор Разработан для стойкости к единичному переходному процессу

  37. Virtex 5 FPGA справочный дизайн ISL70002SEH ISL70001SEH Дополнительная плата ISL75051SRH Данную схему можно посмотреть на http://www.intersil.com/space/

  38. ITAR ISL705RH/ISL706RH: Радиоционностойкие , 5.0V/3.3V контрольные схемы микропроцессора- ВЫПУЩЕНА Рад. стойкая, 5V/3.3V Контрольная схема микропроцессора SMD#: 5962R1121304 • Особенности: • DSCC SMD 5962-xxxxx • QML квалифицированные по требованиям MIL-PRF-38535 • Радиационная стойкость • Общая доза [50-300рад(Si)/с] – 100 крад(Si) min • ELDRS[<10мрад(Si)/с] – 100 крад(Si) min • SEB/SELLET-уровень >90MэВ/(мг/см2) • Прецизионный монитор питания • 4,65В порог для ISL705ARH/BRH/CRH • 3,08В порог для ISL706ARH/BRH/CRH • Типичная ширина импульса - 200мс • Двухтактный сброс на логическом нуле для ISL705ARH/ISL706ARH • Двухтактный сброс на логической единице для ISL705BRH/ISL706BRH • Сброс с открытым коллектором на логическом нуле для ISL705СRH/ISL706СRH • Независимый сторожевой таймер с типичной задержкой 1,6с • Прецизионный детектор порога • 1,25В порог для ISL705ARH/BRH/CRH • 0,6В порог для ISL706ARH/BRH/CRH • Антидребезговый TTЛ/КМОП совместимый вход ручного сброса • Работоспособность при напряжении питания от Vdd = 1,2В ISL705A пин-ту-пин совместимый и функционально эквивалентный IS-705

  39. EAR99 ISL70218SRH / ISL70227S радиоционностойкие прецизионные операционные усилители - ВЫПУЩЕНЫ ISL70218SRH: радиоционнстойкий прецизионный двухканальный операционный усилитель ISL70227SRH:радиоционнстойкий прецизионный двухканальный операционный усилитель • Лучше характеристики смещения напряжения и тока vs. LT • 1/6 Ниже шум vs. LT • Упрощенная замена для LT RH1498 • SOI = отсутствие эффекта единичного защелкивания • Лучше характеристики смещения напряжения и тока vs. LT • Ниже шум vs. LT • Меньше сила тока vs. LT • Упрощенная замена для LT RH1498 • SOI = отсутствие эффекта единичного защелкивания Продукция выпущена Продукция выпущена

  40. EAR99 ISL70417SEH: рад. стойкий четырехканальный прецизионный операционный усилитель LT рад. стойкий Intersilрад. стойкий Proto’s Available:Today Flight Grade Product: Q3/12

  41. Активно разрабатываемые продукты : Квалификация запланирована летом 2013

  42. ITAR ISL70003SEH: Радиоционностойкие, ТЗЧ-стойкость 3В - 13.2В, 6A синхронный импульсный стабилизатор. • Особенности: • DSCC SMD 5962-xxxxx • Внешне регулируемая цепь компенсации • +/-1% погрешность опорного напряжения во всем диапазоне воздействий факторов (температура, радиация, нагрузка и пр.) • Приложение для питания DDRII (VTT VDDQ) • Буферный усилитель генерации опорного напряжения • IMON-вывод для мониторинга выходного тока • Рабочая частота 500кГц или 300Гц • Вывод SYNC позволяет синхронизироваться с внешними часами за 5 тактовых импульсов • Выводы контроля: Enable, PGOOD, спящий режим • Регулируемый аналоговый мягкий старт • Входной UVLO и регулируемая защита выхода от бросков тока • Старт при предустановленной нагрузке • Оперирование в «военном» диапазоне температур • Ta = -55ºС… +125ºС • Tj = -55ºС… +150ºС • Допустимая доза радиации • «Быстрая» доза – 100 крад(Si) min • ELDRS – 50 крад(Si) min • Стойкость к ТЗЧ при минимальном LET = 86,4 MэВ/(мг/см2) • Стойкость к SEB/SEL-эффектам • SET искажение < 1 фазового импульса • Применение • Поддержка напряжений FPGA, CPLD, DSP, CPU-ядра и I/O • Поддержка питания DDRII памяти • Низковольтные, высокоплотные распределенные системы питания SET=<1% Voutразброс при LET = 86 SET=<1% Voutразброс при LET = 86 Внешняя компенсация Точность +/- 1% Vref во всем диапазоне воздействий Буферный ОУ для поддержки опорного питания DDR памяти Корпус– 64-выводной CQFP 14.1мм x 14.1мм • SEL/SEB стойкостьпри LET = 86 MэВ/(мг/см2) • /Прото, /Сэмплы,Класс Q и V, + кристаллы Класса V

  43. ISL7000XSEH 48/64LD корпус с радиатором Pkg • Теплопоглощающий корпус • Включая термопроводящий вывод (пластина) • ISL70001SEH: 9mm x 9mm • ISL70002/3SEH: 10mm x 10mm • Медь 30%/ Молибден 70% Floating pad (ISL70001) • Улучшенный термостойкий корпус(θJC) • 48ld: 3°C/W -> 1.3°C/W • Новая продукция: • ISL70001SEHVFE (48ld CQFP) • ISL70002SEHVFE (64ld CQFP) • ISL70003SEHVFE (64ld CQFP) • QML квалификация по MIL-PRF-38535 • 48ld: /PROTO: Февраль ’13, Класс V:Июнь’13 • 64ld: /PROTO: Март’13, Класс V: Июнь ’13 Масштаб не соблюден, это иллюстрация!

  44. ITAR ISL75052SEH: широкий диапазон Vin стойкий к радиационному излучению низкой интенсивности и эффектам воздействия единичных событий без нагрузки – 1.5A настраиваемый стабилизатор низкого падения напряжения • Стойкость к суммарной дозе ионизации • Гарантировано проведено заводское тестирование на высокую дозу радиации = 100krad(Si) • Low dose rate (ELDRS) Characterized up to 100krad(Si) • Гарантировано проведено заводское тестирование на низкую дозу до 50krads(Si) • Стойкость к эффектам единичных событий • SEL & SEB hardened for LET < 86 MeV/mg/cm2 • SET (dVout +/-3%) for LET < 86 MeV/mg/cm2 • • диапазон входного питающего напряжения4V to 13.2V. • • ±1.5% гарантированная точность выходного напряжения в температурном диапазоне MIL стандарта • • версии с внешней и внутренней компенсацией • • Ультра низкий спад напряжения • 500mV спад при 1.5A • 200mV при 0.5A • • Номинальный выходной ток 1.5A @ температуре перехода 150 градусов C • • 400µA максимальный ток отключения • • Быстрый переходный режим при изменении нагрузки • • Регулируемое VOUT с использованием 2х резисторов • • 60dB типичное подавление пульсаций питания при 1kHz • • Выходной шум составляет 100µVRMS в диапазоне от 300Hz до300kHz • • Характеристика PGOOD • • Регулируемое ограничение по току (OCP-over current protection – защита от сверхтоков) • • Защита от короткого замыкания • • Отключение при перенагревании • • Стабилен с 47µF Min Tantalum Capacitor Проведены ЗАВОДСКИЕиспытания в испытательном центре Intersil на низкую дозу радиации и гарантирована стойкость до 50K Rads Образцы= Q4/12 Выпуск=Q2/13 MIL-PRF-38535 предлагается в классе V, Q, также в классе V в форме кристалла

  45. ISL75052SEH: Wide Vin  ELDRS + SEE-стойкий в диапазоне нагрузок 0А – 1.5A регулируемый стабилизатор с низким падением напряжения Используется для смягчения эффектов единичного переходного процесса Внешняя компенсация Программируемая защита от сверхтоков Используется для смягчения эффектов единичного переходного процесса

  46. ITAR ISL70444SEH: Радиационно-стойкий 4-х канальный операционный усилитель Samples= Q3/12 DLA Release=Q2/13 Улучшенный функциональный и PTP эквивалент LM6144 Особенности: Стабильное единичное усиление Rail-to-rail вход Rail-to-rail выход ………………………………………….<10мВ Широкий диапазон напряжения питания (одно и двуполярного) ………………… 2,7В…40В Широкая полоса пропускания ……………..……17МГц Низкое напряжение смещения нуля…………. +/-110мкВ, max Низкий ток потребления (на усилитель)…......440мкА стабильное единичное усиление ………… 2,2мА, max стабильное не единичное усиление …….660мкА, typ Отсутствие реверса фазы Скорость нарастания сигнала большой сигнал ……………………………………50В/мкс Рабочий диапазон температур …………………-55ºС…125ºС Радиационная стойкость «Быстрая» доза ……………………………………100 крад(Si) ELDRS ……………………………………………….…100 крад(Si) SEB/SEL LET-уровень (Vs=+/-18В) …..………..…86,4 MэВ/(мг/см2) • Неинвертирующая стабильность единичного усиления • + • Стабильная добротность в диапазоне питания

  47. Четырехканальный операционный усилитель • ISL70444: • Полный размах на входе/выходе • Превосходная добротность по температуре и напряжении питания • Идеален для применения там, где требуется высокаяточность постоянного тока и устойчивая работа при переменном токе

  48. ITAR ISL71590SEH – радиационно-стойкий температурный преобразователь образцы в Q313 • DLA SMD#5962-xxxx • Vin Range = 4V – 32V • Линейный выходной ток = 1мкA/K • High Output Impendence = превосходное подавление колебаний питания • +/- 1.7° C отклонение, погрешностьот -55C to +125C • <+/-3° C Error over RAD (100K LDR/HDR) • Pin to Pin with AD590S • QML квалификация MIL-PRF-38535 • Полный температурный диапазон класса(-55°C до+125°C) • Радиационные условия • Высокая доза. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 krad(Si) • ELDRS( излуч низ интенсивности). . . . . . . . . . .100 krad(Si)* • *Level guaranteed by characterization; “EH” версия прошла заводские испытания на дозу 50 krad(Si). • Стойкость к SEE • - SEL and SEB LET . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86.4MeV/mg/cm2 • - SET LET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86.4MeV/mg/cm2 Лучший производитель в это классе вместе с TEMP ERROR

  49. EAR99 ISL71090SEH – высоковольтный прецизионный источник опорного напряжения образцы Q413 • Характеристики • Варианты опорного выходного напряжения • 1.25, 2.048, 2.5, 3.3, 4.096, 5, 7.5, 10V • Точность напряжения …………..………………….+/-0.15%* • Диапазон входного напряжения питания….4.0V to 36V • Выходной шум напряжения………..…5uVp-p Typ(0.1Hz to 10Hz)* • Ток питания……………….……………………..930uA (Typ)* • Коэффициент температуры………………………10ppm/C • Долгосрочная стабильность………………………20ppm • Производительность выходного тока….……….20mA* • Нестабильность выходного напряжения по сети…………………………….…………..20ppm/V* • Нестабильность выходного тока по нагрузке…………………………..…………19ppm/mA* • Диапазон рабочих температур…….…….-55C to +125C • 20mA вытекающий ток & 10mA втекающий ток • Керамический герметичный плоский корпус с 8 выводами • Построен на основе 40V технологического процесса кремний-на-изоляторе • High Dose Rate = 100krad (Si) • Low Dose Rate = 50krad (Si) • SEL Immune/ SEB = LET 86 Стандартное применение схемы *Температура и радиация

  50. Конкурентное сравнение 2,5-вольтового источника опорного напряжения Цель: обеспечение превосходной точности напряжения под воздействием температуры и радиации

More Related