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シリカガラスの分子動力学シミュレーション. 福井大学 工学部 葛生 伸. シリカガラスの分子動力学シミュレーション. 体積 (密度 ) の温度依存性. 表面の構造. 体積の温度依存性. R.Br ü ckner, J.Non-Cryst.Solids 5 , 123, 1970. 一般的のガラス. シリカガラス. 以前の研究. D. R. Perchak and J. M. O’Reilly, J.Non-Cryst.Solids 167 , 211 (1994). ポテンシャル.
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シリカガラスの分子動力学シミュレーション 福井大学 工学部 葛生 伸
シリカガラスの分子動力学シミュレーション 体積 (密度) の温度依存性 表面の構造
体積の温度依存性 R.Brückner, J.Non-Cryst.Solids 5, 123, 1970 一般的のガラス シリカガラス
以前の研究 D. R. Perchak and J. M. O’Reilly, J.Non-Cryst.Solids 167, 211(1994)
ポテンシャル B.P.Feuston, S.H.Garofalini, J.Chem.Phys. 89, 9,1988
u2中のパラメタ u3中のパラメタ IP: 等方ポテンシャル (u2のみ) AP: 異方性ポテンシャル (u2+u3)
1 step = 0.1 ns 8000 6000 Temperature (K) 4000 2000 0 1 2 3 4 Time (ns) 温 度 履 歴
密度の温度履歴 Isotropic 105 Pa
結合角分布の温度依存性 (常圧等方性ポテンシャル)
結合角分布の温度依存性 (加圧異方性ポテンシャル)
結合角分布の温度依存性 (常圧異方性ポテンシャル)
結合角分布の温度依存性 (加圧等方性ポテンシャル)
密度の仮想温度依存性温度依存性 各温度から300 Kまで急冷前後密度依存性
結合角分布の仮想温度依存性 (常圧等方性ポテンシャル)
結合角分布の仮想温度依存性 (加圧異方性ポテンシャル)
シリカガラス表面の分子動力学シミュレーションシリカガラス表面の分子動力学シミュレーション 表面では欠陥構造が多数 ⇒ 原子間の電荷の移動 ⇒ 電荷平衡法により考慮
シリカ表面の分子動力学シミュレーション ポテンシャル Morse-Stretch ポテンシャル + クーロンポテンシャル
原子間の電荷移動効果 原子 i の化学ポテンシャル 平衡条件 電荷の保存 基礎方程式 電荷平衡 (QEq)法
電荷平衡 (QEq) 法の基礎方程式 クーロン積分 Ai: 規格化因子,ni: 主量子数,zi: 定数
クーロン積分 14..4 / r O-O O-Si J(r) / eV Si-Si r / Å
シミュレーションセルと周期境界条件 z x, y 粒子数 648
温度履歴 Surface Generation Stepwise Cooling 100 K / 1 ps Relaxation Stepwise Cooling 100 K / 1 ps Relaxation Analysis
SiおよびOの相対数密度分布 (バルクの総数密度で規格化) O qEQ FQ O Si n n Si z / Å z / Å Present z / Å 密度分布
表面付近の動径分布関数 QEq g(r) g(r) z / Å z / Å FQ
表面付近のSi-O-Si結合角分布 Tetrahedral Planer FQ qEQ
配位数分布 4-coord. Si BO FQ FQ qEQ qEQ qEQ qEQ NBO 3-coord. Si FQ FQ z / Å z / Å Deb
配位数分布 Si 4-coord. Si 3-coord. Si charge / e Total Charge density NBO BO z / Å Deb
表面付近のSi-O-Si結合角分布 qEq FQ O Debye –Waller Factor / Å2 O Debye –Waller Factor / Å2 Si Si z / Å z / Å Debye-Waller Factor Deb
表面の欠陥構造 E’センター