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Mem rias RAM

Material de Apoio para Organiza

okalani
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Presentation Transcript


    1. Memórias RAM

    2. Material de Apoio para Organização e Arquitetura de Computadores - Grupo OAC 2

    3. Material de Apoio para Organização e Arquitetura de Computadores - Grupo OAC 3

    4. Material de Apoio para Organização e Arquitetura de Computadores - Grupo OAC 4

    5. Material de Apoio para Organização e Arquitetura de Computadores - Grupo OAC 5

    6. Material de Apoio para Organização e Arquitetura de Computadores - Grupo OAC 6

    7. Material de Apoio para Organização e Arquitetura de Computadores - Grupo OAC 7

    8. Material de Apoio para Organização e Arquitetura de Computadores - Grupo OAC 8

    9. Material de Apoio para Organização e Arquitetura de Computadores - Grupo OAC 9

    10. Material de Apoio para Organização e Arquitetura de Computadores - Grupo OAC 10

    11. Material de Apoio para Organização e Arquitetura de Computadores - Grupo OAC 11

    12. Material de Apoio para Organização e Arquitetura de Computadores - Grupo OAC 12

    13. Material de Apoio para Organização e Arquitetura de Computadores - Grupo OAC 13

    14. Material de Apoio para Organização e Arquitetura de Computadores - Grupo OAC 14

    15. Material de Apoio para Organização e Arquitetura de Computadores - Grupo OAC 15

    16. Material de Apoio para Organização e Arquitetura de Computadores - Grupo OAC 16

    17. Material de Apoio para Organização e Arquitetura de Computadores - Grupo OAC 17

    18. Material de Apoio para Organização e Arquitetura de Computadores - Grupo OAC 18

    19. Material de Apoio para Organização e Arquitetura de Computadores - Grupo OAC 19

    20. Material de Apoio para Organização e Arquitetura de Computadores - Grupo OAC 20

    21. Material de Apoio para Organização e Arquitetura de Computadores - Grupo OAC 21

    22. Material de Apoio para Organização e Arquitetura de Computadores - Grupo OAC 22

    23. Material de Apoio para Organização e Arquitetura de Computadores - Grupo OAC 23

    24. Material de Apoio para Organização e Arquitetura de Computadores - Grupo OAC 24

    25. Material de Apoio para Organização e Arquitetura de Computadores - Grupo OAC 25

    26. Material de Apoio para Organização e Arquitetura de Computadores - Grupo OAC 26

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    29. Material de Apoio para Organização e Arquitetura de Computadores - Grupo OAC 29

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    32. Material de Apoio para Organização e Arquitetura de Computadores - Grupo OAC 32

    33. Material de Apoio para Organização e Arquitetura de Computadores - Grupo OAC 33 Como sugere a lógica, as memórias DDR3 realizam 8 acessos por ciclo, contra os 4 acessos por ciclo das memórias DDR2. Assim como na tecnologia anterior, os acessos são realizados a endereços subjacentes, de forma que não existe necessidade de aumentar a freqüência "real" das células de memória. Inicialmente, os módulos DDR3 foram lançados em versão: DDR3-1066 (133 MHz x 8) – PC3-8500 DDR3-1333 (166 MHz x 8) – PC3-10667 DDR3-1600 (200 MHz x 8) – PC3-12800 Apesar do aumento no número de transferências por ciclo, os buffers de dados continuam trabalhando a apenas o dobro da freqüência das células de memória. Ou seja, a freqüência interna (das células de memória) de um módulo DDR3-1600 é de 200 MHz e a freqüência externa (dos buffers de dados) é de 400 MHz. As células de memória realizam 8 transferências por ciclo de clock (em vez de 4, como nas DDR2) e os buffers de dados (que operam ao dobro da freqüência) realizam 4 transferências por ciclo de clock, em vez de apenas duas, como nos módulos DDR2.

    34. Material de Apoio para Organização e Arquitetura de Computadores - Grupo OAC 34 Os módulos DDR3 utilizam também 8 bancos em vez de 4, o que ajuda a reduzir o tempo de latência em módulos de grande capacidade. Elas também trouxeram uma nova redução na tensão usada, que caiu para apenas 1.5V, ao invés dos 1.8V usados pelas memórias DDR2. A redução na tensão faz com que o consumo elétrico dos módulos caia proporcionalmente, o que os torna mais atrativos para os fabricantes de notebooks. Somadas todas essas melhorias, os tempos de acesso "reais" dos módulos foram sensivelmente reduzidos. Em vez de de trabalharem com tempos de acesso 10-10-10-30, a geração inicial de módulos DDR3 é capaz de trabalhar com temporização 9-9-9-24, ou mesmo 7-7-7-15. Apesar disso, muitos módulos de alto desempenho podem precisar de tensões mais altas, como 1.6V ou mesmo 1.7V para trabalharem na freqüência máxima. Assim como no caso dos módulos DDR2, os fabricantes podem ajustar a tensão de operação de acordo com as necessidades do projeto e você pode também utilizar tensões mais altas por conta própria ao fazer overclock. Os módulos DDR3 utilizam os mesmos 240 contatos dos módulos DDR2 e mantém o mesmo formato. A única diferença visível (fora etiquetas e códigos de identificação) é a mudança na posição do chanfro, que passou a ser posicionado mais próximo do canto do módulo. O chanfro serve justamente para impedir que módulos de diferentes tecnologias sejam encaixados em placas incompatíveis.

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