180 likes | 379 Views
Tartu Ülikool Füüsika Instituut. Argo Lukner. Lisandikiirguse hapnikutundlikkuse mehhanism titaandioksiidis. Juhendajad: TÜ FI LSL juhataja, PhD Ilmo Sildos TÜ FI teadur, PhD Valter Kiisk. Tartu 2007. Sissejuhatus.
E N D
Tartu Ülikool Füüsika Instituut Argo Lukner Lisandikiirguse hapnikutundlikkuse mehhanism titaandioksiidis Juhendajad: TÜ FI LSL juhataja, PhD Ilmo Sildos TÜ FI teadur, PhD Valter Kiisk Tartu 2007
Sissejuhatus • Siirdemetallide oksiidid on leidnud laialdast rakendust erinevates gaasisensorites. • Samas on need oksiidid aktiveerituna haruldaste muldmetallidega ka intensiivse uurimise all kui uudsed luminestsents-materjalid. • Antud töö uurimisobjektiks oli Sm-ga dopeeritud TiO2, mille luminestsents ilmu-tab gaasitundlikkust.
Juhtivustsoon TiO2 Sm3+ 4G5/2 6HJ Valentstsoon Sm3+ iooni fotoluminestsentsi teke TiO2 tsoon-tsoon ergastamisel energia- ülekanne Nd:YAG 355 nm kaudne ergastus
Sm3+:TiO2 luminestsentsi intensiivsus tunneb hapniku olemasolu ümbrusgaasis. 4
Metalloksiidi lähtematerjal saa-vutati vee lisamisega Ti(OBu)4 lahusele n-butanoolis, kus Sm-i lisamiseks kasutati SmCl3 Pulbrid saadi tilgutades lähte-materjali vette, milles toimuv lähtematerjali kiire hüdrolüüs toob kaasa polümeerse oksiid-materjali tekke. Saadud lahuse kuivatamise ja termilise järeltöötlusega saa-dakse peeneteralinemetall-oksiidi pulber. Pulbrite saamine sool-geel meetodiga 5
Kasutatud karakteriseerimismeetodid • Aeglahutusega fotoluminestsentsspektros-koopia • Ramanspektroskoopia • Röntgenfotoelektronspektroskoopia (XPS) • Materjalide visualiseerimine AFM, SEM ja optilise mikroskoobiga
Sm 3d Ti (LMM) O O (KLL) Fotoelektronide arv (s.ü) 1s Ti 2p Ti Pb 2s 4d C Pb Ti 1s 4f 3s Ti 3p 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 Seosenergia (eV) Karakteriseerimine - XPS analüüs 8
Sm-i FL käik hapnik-vaakum-hapnik tsüklites kustumiskineetika eri osades 11
Laserkiirguse (355nm) mõju Sm3+:TiO2 sensoromadustele V. Reedo, S. Lange, V. Kiisk, A. Lukner, T. Tätte, I. Sildos, Proceedings of SPIE 5946 (2005) 59460F
Juhtivustsoon TiO2 Sm3+ 4G5/2 6HJ Valentstsoon Lisandi ergastuse mittekiirguslik kustutamine hapniku vakantside poolt FL intensiivsus: k2 Vakants k1
Vakantside difusiooni modelleerimine pulbrites UV KIIRGUS KESKKOND: HAPNIK VAAKUM TiO2
Modelleeritud Sm3+:TiO2 FL intensiivsuse käik hapnik-vaakum tsüklites 15
Kokkuvõte • Kõrgetel lõõmutustemperatuuridel ja materjali sünt-eesil toimub Sm-i eelistatud sekretsioon TiO2 pinnale. • Sm-i luminestsentsi aeglahutusega mõõtmised näitavad, et hapniku hulk ümbruskeskkonnas mõjutab Sm-i ioonide eluiga TiO2. • Sensorsignaali reageerimise karakteerne aeg viitab difusioonilisele mehhanismile, mida stimuleeritakse UV-kiirgusega. • Lahendati mudelülesanne vakantside difusiooni kirjeldamiseks sfäärilise kujuga TiO2 osakese sees, tulemused olid sarnased eksperimentaalselt mõõ-detud Sm3+ iooni FL intensiivsuse käigule hapnik-vaakum üleminekutel.
Tänuavaldused • Juhendajad: Ilmo Sildos ja Valter Kiisk • Materjalide süntees ja visualiseerimine: Valter Reedo • Eksperimentide teostamisel aitasid: Leonard Mattisen, Martti Pärs • Täiendava toetuse eest: Eesti Nanotehnoloogia Arenduskeskus Uppsala Ülikool