Высокорезистивные сплавы с большой электронной плотностью – отсутствие перехода Андерсона

1. В.Ф. Гантмахер Высокорезистивные сплавы с большой электронной плотностью – отсутствие перехода Андерсона Харьков, 16.11.11

2. – принцип Иоффе-Регеля,

3. Переходы Мотта – Андерсона 4 K H. Endo, A. I. Eatah, J. G. Wright, and N. E. Cusack, J. Phys. Soc. Jap. 34, 666 (1973) P.P. Edwards and M. J. Sienko, Phys.Rev. B 17, 2575 (1978)

4. Экспериментальное доказательство того, что переход металл-изоляторвSi:P - - переход второго рода M. A. Paalanen, T.F. Rosenbaum, G.A. Thomas, R.N.Bhatt Phys.Rev.Lett.48, 1284 (1982)

5. Три экспериментальных подхода при тестировании проблемы низкотемпературное сопротивление при различной степени беспорядка температурная зависимость сопротивления сплавов с высоким остаточным сопротивлением (правило Моойа) температурная зависимость сопротивления сплавов со сравнительно малым остаточным сопротивлением, но с большой константой электрон-фононного взаимодействия (насыщение сопротивления)

6. Три экспериментальных подхода … (n=n0)

7. Правило Моойа b -температурный коэффициент сопротивления b J.H. Mooij, physica status solidi (a) 17, 521 (1973)

8. Классические формулы Функция Грюнайзена Принцип Иоффе-Регеля при при

9. Функция Грюнайзена T5

10. Проводимость с квантовой поправкой при

11. Произвольный статический беспорядок и Для красных линий можно пользоваться и нижней, и верхней шкалами При g= 1 красную линию следует сместить на ln g вдоль горизонтальной оси, а пользоваться только верхней шкалой

12. Возможная роль электрон-электронных столкновений В диффузионном режиме частота межэлектронных столкновений При эта частотат.е. она не вносит существенный вклад ни в классическое сопротивление, ни в частоту дефазировки. С другой стороны, квантовая поправка от ее-взаимодействия того же порядка, что и от слабой локализации. Это должно сдвинуть границу s’=0 в сторону меньших a.

13. Насыщение сопротивления в материалах с сильным электрон-фононным взаимодействием Z. Fisk, G. Webb, PRL 36, 1084 (1976) J.H. Mooij, physica status solidi (a) 17, 521 (1973) Феноменологическая модель с шунтирующим сопротивлением

14. Насыщение сопротивления Предельное значение частоты электрон-фононного рассеяния !?! т.е. конечное время взаимодействия !?! vF

15. Насыщение сопротивления (грубая, но очень наглядная модель) M. Gurvitch, PRB 24, 7404 (1981) Обычно вероятность рассеяния электрона за время dtравна вероятность того, что акт рассеяния произойдет в момент времени t,равна Предположим, что между двумя актами рассеяния должно пройти минимальное время t0. Усредним дрейфовую скорость, набранную электронами за время между столкновениями t

16. Анизотропия насыщения сопротивления Уменьшение концентрации n приводит к большему значению rsh rsh= 2000 mОм×см В.Е. Зиновьев, А.Л. Соколов, П.В. Гельд и др., ФТТ 17, 3617 (1975) В.Ф.Гантмахер, Г.И.Кулеско, В.М.Теплинский, ЖЭТФ 90, 1421 (1986)

17. Фазовая диаграмма перехода металл-изолятор для 3D-системыв осях [управляющий параметр – температура]