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응용전자회로 (7 주차 ). 생체의공학과 2012103837 변 근혜. Intro. 목차. Dual Op Amp IA Instrumentation Amp 응용 Transducer Bridge Amp Conduction in Metal RTD Bridge Balancing. 01. Dual Op Amp IA. , 때 ) (Superposition) ( ) 단점 ) Gain 을 바꾸기가 어렵다 . → 가변저항 RG 추가 , delay 가 다르다 . → 저주파용으로 사용한다.
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응용전자회로(7주차) 생체의공학과 2012103837 변 근혜
Intro 목차 Dual Op Amp IA Instrumentation Amp 응용 Transducer Bridge Amp Conduction in Metal RTD Bridge Balancing
01 Dual Op Amp IA , 때)(Superposition) () 단점) Gain을 바꾸기가 어렵다. → 가변저항RG추가 , delay가 다르다. → 저주파용으로 사용한다.
02 Instrumentation Amp응용 220v,60Hz Stray Capacitance ++ ⇒CMRR = 20,) 만약, Rs1,Rs2를 작게 해주고 싶으면짧고 굵은 도선을 사용한다. 도선 내부의 저항을 표현 CMRR감소의 원인
Shield Cable 도체 *Shield(차폐) 절연체 도체표면=등전위면 내부엔 전류가 흐르지 않는다 <Coaxial Cable> Grounded Shield 전류 220v,60Hz <Triaxial Cable>
220v,60Hz Grounded Shield 오히려 접지까지 거리가 짧아져 흐르는 전류가 더 많아지고 따라서 Adm(v’2-v’1)이 더 커지게 되므로 옳지 않은 Shield이다. Active(Driven) Shield
03 Transducer Bridge Amp Resistive Sensor -Temp : Thermistor , RTD -Light : Photo resistor -Strain : Strain Gage -Pressure : Piezo Resistor R→R+ΔR=R(1+) = 물리량의 변화→저항변화→전압변화 = = ac를 사용할 수도 있다. -Capacitor Sensor -Inductive Sensor
04 Conduction In Metal 힘의 방향 -F=-qE=ma (힘을 받아 움직인다.) - (전자가 부딪히면서 속도가 일정해진다.) - 법칙) (n : 자유전자의 부피밀도) E T[s]동안 L[m]이동한다면, L
05 If) 도) RTD Self heating발생 *Self heating을 방지하기 위해 , choose ⇒최종적으로 0.1v/℃의 출력 (온도:0~100℃, ΔT=1℃일 때 Δ *근사식이 아닌 식을 사용하면 근사식인 경우에 비해 0.26℃차이 발생
06 Bridge Balancing 2mA A 1mA 전원:±0.05×15v = 0.75v변동 To be safe, 라 가정 , A점의 전압 = 14v(minimum) , 흐르는 전류: 2mA,=⇒14kΩ140Ω⇒280Ω의 변화To be safe, choose 영점조정 및 Full scale조정
※ References 참고문헌 ∙ Google 이미지 & 웹 문서 ∙ 네이버 지식백과 ∙ 응용전자회로 책 ( Design with operational Amplifiers and Analog Integrated Circuits )