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’05 年 度 事 業 概 要

’05 年 度 事 業 概 要. 資料１. ’05 年 3 月期決算説明会　（’ 05. ５ .23 ）. 将来の見通しに関する記述についての注意. 本資料で記述されている業績予想および将来予測は、現時点で入手可能な情報に基づき当社が判断した予想であり、潜在的なリスクや不確実性が含まれています。 そのため、様々な要因の変化により、実際の業績は記述されている将来の見通しとは異なる結果となる可能性があることをご承知おきください。. 半　導　体　の　製　造　工　程. 前工程. 酸 化. ﾌｫﾄ ﾘｿｸﾞﾗﾌｨ. 拡 散 ｽﾊﾟｯﾀﾘﾝｸﾞ.

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’05 年 度 事 業 概 要

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Presentation Transcript

  1. ’05 年 度 事 業 概 要 資料１ ’05年3月期決算説明会　（’05.５.23）

  2. 将来の見通しに関する記述についての注意 本資料で記述されている業績予想および将来予測は、現時点で入手可能な情報に基づき当社が判断した予想であり、潜在的なリスクや不確実性が含まれています。 そのため、様々な要因の変化により、実際の業績は記述されている将来の見通しとは異なる結果となる可能性があることをご承知おきください。

  3. 半　導　体　の　製　造　工　程 前工程 酸 化 ﾌｫﾄ ﾘｿｸﾞﾗﾌｨ 拡 散 ｽﾊﾟｯﾀﾘﾝｸﾞ ｳｪﾊﾃｽﾄ 後工程 ﾀﾞｲｼﾝｸﾞ ﾎﾞﾝﾃﾞｨﾝｸﾞ ﾊﾟｯｹｰｼﾞ ﾌｧｲﾅﾙ ﾃｽﾄ

  4. ウ エ ハ ー テ ス ト ﾃｽﾀｰ ﾍｯﾄﾞﾌﾟﾚｰﾄ ﾃｽﾀｰﾍｯﾄﾞ ﾊﾟﾌｫｰﾏﾝｽ ﾎﾞｰﾄﾞ ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽﾘﾝｸﾞ ﾌﾟﾛｰﾌﾞｶｰﾄﾞ ｸﾗﾝﾌﾟ機構 ﾁｬｯｸ ｳｪﾊｰ ｶｰﾄﾞﾌｫﾙﾀﾞｰ 回転 上下 ｽﾃｰｼﾞ 前後 左右 ﾌﾟﾛｰﾊﾞｰ

  5. 2,471 2,471 2,218 2,218 2,153 2,153 +10 +10 2,128 2,128 2,044 2,044 +２ +２ +０ +０ +19 +19 +33 +33 +９ +９ 1,664 1,664 -１ -１ -２ -２ 1,390 1,390 1,407 1,407 +21 +21 +16 +16 億ドル +34 +34 -８ -８ -29 -29 +３ +３ +13 +13 +12 +12 +３ +３ +５ +５ +41 +41 -44 -44 +37 +37 +22 +22 +28 +28 -22 -22 +42 +42 +１ +１ +３ +３ +９ +９ +18 +18 +27 +27 -29 -29 -８ -８ 棒グラフ内の％は、地区毎の前年増減％ 実　　績 予　　　測 世界の地区別 半導体市場規模 対前年増減％ （出典：WSTS ’04秋季予想）

  6. プローブカードの世界シェア （’00年度） （’04年度） （出典； VLSIResearch　レポート）

  7. JEM 売上高実績推移 億円 ％

  8. 経 常 利 益 率 ％

  9. ロジック比率、海外比率 （’03より連結で表示しております。） ％

  10. JEMEurope JEM韓国 JEM上海 JEMAmerica JEM香港 JEM台湾 JEM 四　極　体　制 JEM

  11. 工 場 配 置

  12. JEMのPC一覧 アドバンスドPC

  13. ＪＥＭアドバンスドプローブカード売上高推移（ＶＣ、ＶＨ、ＶＳ e.t.c.） ％ 計画 実績

  14. CE（ｶﾝﾁﾚﾊﾞｰ型）の外観 針の形状

  15. VC （垂直接触型ﾌﾟﾛｰﾌﾞｶｰﾄﾞ ）の外観 針の形状

  16. VH（高密度垂直接触型ﾌﾟﾛｰﾌﾞｶｰﾄﾞ）の外観VH（高密度垂直接触型ﾌﾟﾛｰﾌﾞｶｰﾄﾞ）の外観 針の形状

  17. 上部ﾋﾟｽﾄﾝ 下部ﾋﾟｽﾄﾝ VS（垂直ｽﾌﾟﾘﾝｸﾞ接触型ﾌﾟﾛｰﾌﾞｶｰﾄﾞ ）の外観 移動間隔 スプリング プローブの構造

  18. 中 期 計 画 （’04～’06）の骨 子 BreakThrough for 2006！ １．基本戦略　　 　　　　技術力で圧倒的な優位に立つJEMを目指す ２．連結売上高　　 　　　　’06年度　　130億円 ３．経常利益率　　 　　　　　常に10％以上 ４．プローブカードの世界シェア　　 20％以上

  19. JEM 売上高実績推移 と 中計（’04年版） 億 ％ 中計 110 - 実　績 年　計 中　計

  20. 経 常 利 益 率 ％ （実績） （年計） （中計）

  21. 半導体事業方針（中期計画）① メモリ事業 １．ＶＣの更なる市場拡大 ２．ＶＨの本格的量産化 ロジック事業 １．デバイス別戦略の徹底推進 ２．新顧客、従来顧客の新分野開拓

  22. 大口径プローブカードの投入 （ウエハテストの効率化を実現する） VCシリーズ * ３００mm ウエハー 向け 　 　　　タッチダウン数　　4 回 * ２００mm ウエハー 向け 　　　タッチダウン数 1 、 2 回 ■ 最小Padピッチ　: 100um ■最小Paｄサイズ : 60um x 60um ■針立てエリア　　： 160mm ｘ 160mm VHシリーズ ＊ ３００mm ウエハー 向け 　　　タッチダウン数　　1 、2 、4 回 ■ 最小Padピッチ : 70um (LOC) ■最小Padサイズ : 60um x 70um ■針立てエリア : 160mm ｘ 160mm

  23. 下期 上期 VＣ　の　売　上　高 億円

  24. 下期 上期 VＨ　の　売　上　高 億円

  25. 半導体事業方針② 営　　業 １．提案型営業の推進 ２．グローバル化の一層の推進 　　　　　・・・グループ間　連携強化による 『Found　ＨＩＳ　ＭＴＳ』推進 ３．マーケティング力の強化

  26. 半導体事業方針③ 生　　産 １．アドバンスドＰＣの生産能力UP ２．ベトナム工場（委託工場）の立ち上げ ３．ＳＵＢ工場の一貫生産、短納期化 ４．オールドエコノミー原低の徹底推進 ５．製品設計力の強化 ６．ターゲットＰＣ（リワークＺｅｒｏ）を 　　　　　　　　　　　　　　　　目指した生産体制

  27. 開　発　方　針　 １．独自技術を育む基盤確立 　　　　　　・　コア技術力の強化 ２．Mタイプの市場投入 ３．テストのパラダイムシフトへの対応 ①　ウエハ一括プロービング技術の確立 ②　インテリジェントプローブカードの具体化

  28. プローブカードロードマップ 半導体技術革新とＪＥＭ製品・技術開発の分類と方向 MPU・ロジック領域 半導体素子の高集積化 システムＬＳＩ・微細ピッチロジック領域 MBシリーズ MAシリーズ 大容量メモリ領域 VSシリーズ CENシリーズ MCシリーズ VHシリーズ Cantilever（CEシリーズ） VCシリーズ プローブカード技術革新の時代 半導体素子の高集積化

  29. 次世代プローブカードの投入 ・ MAシリーズを先発投入 デバイスの軽薄短小化に対応 MEMS技術による

  30. 競　争　力　強　化　 １．クリーンルームを新設 クラス100レベルのクリーンルームの 活用による品質向上の実現 ２．針立て工程の自動化 インサータ機の導入による　 品質向上、生産性向上の実現

  31. 新　事　業　方　針 新 事 業 １.　ＶＳの本格的量産化 ２.　パラメトリックＰＣ市場開拓 ３.　ＦＰＤ分野　本格化 ４.　イメージセンサー用特殊ＰＣ開拓 ５.　Ｆ／Ｔ領域の拡大

  32. ①会社知名度の向上　 ②社会的信用力の増大 ③優秀な人材の確保 ④資金調達力の増大 ’04年度トピックス １．東京証券取引所市場第２部上場（’05年２月８日） ２．ＩＳＯ14001認証取得 全社レベルで’04年９月に認証取得

  33. １．経営的側面・・・・永続的業績の確保 雇用の確保 ２．社会的側面・・・・法令遵守 倫理規範遵守 ３．環境的側面・・・・環境保全 地域貢献 企業の社会的責任（ＣＳＲ）

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