1 / 26

MNAI –cvika4

MNAI –cvika4. Diferen ční zesilovač s BJT BANDGAP reference, PTAT. Pro simulace je pou žito modelu tranzistoru s DC parametry uvažovanými při výpočtu: NPN: Is = 2.10 -16 A = 100 Sklon výstupní charakteristiky 0.5 μ A/V při Ic=30uA (V E =60V) PNP: Is = 2.10 -16 A  = 50

snana
Download Presentation

MNAI –cvika4

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. MNAI –cvika4 Diferenční zesilovač s BJT BANDGAP reference, PTAT

  2. Pro simulace je použito modelu tranzistoru s DC parametry uvažovanými při výpočtu: • NPN: • Is = 2.10-16 A • = 100 Sklon výstupní charakteristiky 0.5 μA/V při Ic=30uA (VE=60V) PNP: • Is = 2.10-16 A •  = 50 • Sklon výstupní charakteristiky 1 μA/V při Ic=30uA (VE=30V) • Pozn: přesné VT pro 300K je 25.851241 mV Modely lze získat na http://www.umel.feec.vutbr.cz/~prokop/MNAI/MNAI.htm

  3. Souběh !!!!! Rozptylodporu „hipo“ R přes proces a teplotu V AMIS CMOS07: Rhipotyp = 2000 Ω/□ Rhipomin = 1600 Ω/□ Rhipomax= 2400 Ω/□ tc1 = -21.10-4 tc2 = 5.10-6 Rozptyl Rhipo [Ω/□] pro t = (0-90)°C

  4. 1

  5. 1

  6. 2

  7. 2

  8. 3

  9. 3

  10. 4

  11. 4

  12. 5

  13. 5

  14. 6

  15. 6

  16. 6

  17. 6

  18. 7

  19. 7

  20. 8

  21. 9

  22. 9

  23. 9

  24. 9

  25. 9

  26. BG oblouček 9

More Related