Применение нанотехнологии химико-механического полирования (ХМП) для создания новых приборов

1. Применение нанотехнологии химико-механического полирования (ХМП) для создания новых приборов Фарафонов С.Б., Артёмов Е.А., Артёмов А.С. ООО «Инновационный альянс» Институт Общей физики им. А.М. Прохорова РАН Дубна 2013

2. Современные способы полирования твёрдотельных материалов Химическое Электрохимическое Фотоэлектрохимическое Механо-электрохимическое Химико-механическое Механическое Механохимическое Механо-термическое Магнитомеханическое Акустомеханическое Электронно-лучевое Лазерное и др.

3. Области применения технологии ХМП

4. Современнные нанотехнологии в электронике: Нанополирование (ХМП); Наноэпитаксия; Наноокисление; Нанолитография; Нанотравление; Наноструктуры;

6. Поверхность полупроводников после ХМП А4 А4А4 А2В6 а б в г д АСМ изображения и сечения рельефа: а – Si (111), a = 0,5430нм; б – Ge (111), а = 0,5657нм; в – CdS (0001), а = 0,4134, с = 0,6749нм; г – SiC:6H (0001), а = 0,308, с = 0,252нм; д– ZnSe (100) после ХМП и последующего отжига в Н2. А3В5 а б в г Репл ЭМ поверхности при ув. 30 000: а – GaAs (100);б - InP (100); в -InAs (111); г – InSb (111),ХМПз.

7. Scan: 2.5 x 2.5 мкм Scan: 1,7 X 1,7 мкм Поверхность диэлектриков после ХМП АСМ изображения и сечения рельефа LiNbO3 y - cрез, а = 0,5150нм, с = 1,3816нмХМП. ZrO2·Y2O3(100) ХМП, а = 0,5141нм. α-Al2O3 (0001) ХМП, а = 0,4758нм, с = 0,1299нм . Кремниевые СБИС после ХМП АФС слоя Si3N4, h = 0,6мкм. CaF2 (111) ХМП, а =,5462нм. SrTiO3 (100) ХМП, а = 0,3904нм. MgAl2O4после СК-1. NdGaO3 (100) бикристалл, ХМП. α-Al2O3 (0001) бикристалл, ХМП

8. Применение материалов после ХМП в приборах

11. Технология изготовления лазерных мишеней из монокристаллов CdS, CdSe, CdSSe, ZnCdS, ZnCdSe, ZnSe и ZnO для создания ЛЭЛТ с электронной накачкой видимого, УФ и ИК диапазонов излучения • ЛМ: • - толщина 5-20мкм; • плоскостность ≤ 5N; • разнотолщинность± 2мкм; • σ≤ 1нм.

12. СПАСИБО ЗА ВНИМАНИЕ artpoliofan@mail.ru