1 / 13

Математическая модель диффузии в слоистой структуре высокотемпературных сверхпроводников

Математическая модель диффузии в слоистой структуре высокотемпературных сверхпроводников. Большаков Александр. слои. подложка. Введение. ВТСП кабели болометр на ВТСП. Проникновение примеси в пленку. Диффузия цинка в ВТСП пленку YBa 2 Cu 3 O 7-x.

vonda
Download Presentation

Математическая модель диффузии в слоистой структуре высокотемпературных сверхпроводников

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Математическая модель диффузии в слоистой структуре высокотемпературных сверхпроводников Большаков Александр

  2. слои подложка Введение ВТСП кабели болометр на ВТСП

  3. Проникновение примеси в пленку

  4. Диффузия цинка в ВТСП пленку YBa2Cu3O7-x

  5. Концентрационные профили.Сравнение расчета с литературными данными 1. Для t=3 ч 40 мин, коэффициент корреляции R=0,91 2. Для t=20 ч, коэффициент корреляции R=0,9

  6. Моделирование

  7. Уравнение диффузии с участием двух гетерогенных твердых тел: в области –l<x<0: в области x>0: где

  8. Диффузия магния в ВТСП подложка –MgO буферный слой – YSZ, толщина l=2 мкм ВТСП пленка – YBa2Cu3O7-x , толщина 3 мкм t=550 C D0(Mg в YSZ)=8 см^2/с Eа(Mg в YSZ)=1,1 эВ D(Mg в YBCO)=10^-5 см2/с m=0,1

  9. Моделирование в MathCAD

  10. Концентрационный профиль.Сравнение расчета с литературными данными Коэффициент корреляции R=0,83

  11. Варианты использования предложенной модели • сделать прогноз распределения примеси в слое ВТСП; • оценить эффективность применения буферного слоя для оптимального выбора материала буферного слоя; • найти необходимую толщину буферного слоя;

  12. Варианты использования предложенной модели • Изменения температуры • Различные механизмы диффузии • Диффузия сразу нескольких примесей D≠ const

  13. Вывод Разработанная модель будет применена в дальнейших теоретических и практических исследованиях в области технологии получения слоистых ВТСП структур с целью экономии времени и средств.

More Related