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§2.2. 半导体器件的开关特性. 2.2 半导体器件的开关特性. 一、半导体二极管的开关特性. V ON : 硅 0.6~0.7V; 锗 0.2~0.3V. 图 2.2.1 二极管开关电路结构及电路示意. 《 数字电子技术 》. 2.2 半导体器件的开关特性. (a). (b). (c). 图 2.2.2 二极管伏安特性的几种近似方法(静态分析) (a)Von 和 r D 均不可忽略 (b) Von 不可忽略 (c) Von 和 rD 均可忽略. 《 数字电子技术 》. V. 2.2 半导体器件的开关特性.
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§2.2 半导体器件的开关特性 2.2 半导体器件的开关特性 一、半导体二极管的开关特性 VON: 硅0.6~0.7V; 锗0.2~0.3V 图2.2.1 二极管开关电路结构及电路示意 《数字电子技术》
2.2 半导体器件的开关特性 (a) (b) (c) 图2.2.2 二极管伏安特性的几种近似方法(静态分析) (a)Von和rD均不可忽略 (b) Von不可忽略(c) Von和rD均可忽略 《数字电子技术》
V 2.2 半导体器件的开关特性 图2.2.3 二极管的动态电流波形 《数字电子技术》
c b e 2.2 半导体器件的开关特性 二、半导体三极管的开关特性 思考:模电和数电的区别? 1、三极管的特点: 图2.2.4 双极型(NPN)三极管的输出特性曲线 《数字电子技术》
ICEO 2.2 半导体器件的开关特性 2、三极管开关电路分析: (a) (b) 图2.2.5 双极型三极管的开关等效电路 (a)截止状态 (b)饱和导通状态 《数字电子技术》
2.2 半导体器件的开关特性 3、三极管开关电路动态分析: 图2.2.6 双极型三极管的动态开关特性(结电容效应) 《数字电子技术》
2.2 半导体器件的开关特性 三、MOS管的开关特性 VGS(TH):1~4V 1、MOS管的结构: 图2.2.7 MOS管的结构和符号 《数字电子技术基础》
2.2 半导体器件的开关特性 2、MOS管的输入特性和输出特性: 恒流区 可变电阻区 截止区 图2.2.8 MOS管共源接法和输出特性曲线 (a)共源接法 (b)输出特性曲线 《数字电子技术》
2.2 半导体器件的开关特性 3、MOS管的基本开关电路: 图2.2.9 MOS管的基本开关电路及其等效电路 《数字电子技术》
2.2 半导体器件的开关特性 4、MOS管的四种类型(列表): 《数字电子技术》
2.2 半导体器件的开关特性 4、MOS管的四种类型(续): 《数字电子技术》
2.2 半导体器件的开关特性 《数字电子技术》