300 likes | 544 Views
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.1 Halvledarminnen, Inledning 7:1.1. Halvledarminnen:. Latchar, vippor 1 bit Register (ett ord) 4, 8,16, 32,…bit Normala minnen kbit, Mbit, 1Gb (år 2000), 2Gb (2005). (2Gb Samsung Semiconductor K4H2G0638A 512M*4bit).
E N D
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.1 Halvledarminnen, Inledning 7:1.1 Halvledarminnen: Latchar, vippor 1 bit Register (ett ord) 4, 8,16, 32,…bit Normala minnen kbit, Mbit, 1Gb (år 2000), 2Gb (2005) (2Gb Samsung Semiconductor K4H2G0638A 512M*4bit) Ett 2 Gb minneschip kan organiseras som 256M*8 bit = 256 MB En sida i läroboken Digitala kretsar består av 42 rader*80 tecken. Om varje tecken lagras med 16 bitar så innebär det att texten till 68 läroböcker kan rymmas i en 256 MB minneskapsel. Andra minnen: Magnetiska Optiska
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.1 Halvledarminnen, Inledning 7:1.2 Från www.icknowledge.com …. a summary chart of DRAM technology over time.
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.1 Halvledarminnen, Inledning 7:1.3 Minnesmodell: Adressbuss Databuss Styrsignaler Ordlängd Antal ord Acesstid Ett antal lika stora minnesceller som vardera rymmer ett binärt ord Data överförs via dataledningarna Dm … D1 D0 Minnescellerna väljs, adresseras, med adressledningarna An … A1 A0
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.1 Halvledarminnen, Inledning 7:1.4
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.1 Halvledarminnen, Inledning 7:1.5
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.1 Halvledarminnen, Inledning 7:1.6
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.1 Halvledarminnen, Inledning 7:1.7
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.1 Halvledarminnen, Inledning 7:1.8
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.9 Läsminne princip 8 ord med 2 bitar
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.11 Expansion till ett minne med flera kapslar Princip för expansion med fler kapslar
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.13 PROM Programmable Read Only Memory
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.15 Figur 7.15 Modell för ett minneschip Radval Kolumnval
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.16 EPROM Erasable Programmable Read Only Memory Figur 7.16 MOS-transistor med flytande styre
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.17 Figur 7.17 Programmering av MOS-transistor med flytande styre
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.18 Figur 7.19 Intels första och sista EPROM, 1971-1992 1702 (256 byte) 27040 (512 kbyte)
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.20 USB minne 2 GB Inköpt hösten 2007, 199 kr
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.21 Från www.intel.com
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.26 Från http://en.wikipedia.org/
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.29 In 2005, Toshiba and SanDisk developed a NAND flash chip capable of storing 1 GB of data using Multi-level Cell (MLC) technology, capable of storing 2 bits of data per cell. In September 2005, Samsung Electronics announced that it had developed the world’s first 2 GB chip.[7] In March 2006, Samsung announced flash hard drives with a capacity of 4 GB, essentially the same order of magnitude as smaller laptop hard drives, and in September of 2006, Samsung announced an 8 GB chip produced using a 40 nm manufacturing process.[8]