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Lab12. 場效電晶體之特性. 電子電路實驗. 1. 一、實驗目的. 了解場效電晶體的正確偏壓方式及動作原理,並能繪出 之特性曲線。. 2. 二、原理說明. 場效電晶體 (FET) 分為兩大類,即接面場效電晶體 (JFET) 及金氧半場效電晶體 (MOSFET) ,其成員可利用下面樹狀結構表示:. 3.
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Lab12. 場效電晶體之特性 電子電路實驗 Organized by Daw-Tung Lin , NTPU 1
一、實驗目的 • 了解場效電晶體的正確偏壓方式及動作原理,並能繪出 之特性曲線。 Organized by Daw-Tung Lin , NTPU 2
二、原理說明 • 場效電晶體(FET)分為兩大類,即接面場效電晶體(JFET)及金氧半場效電晶體(MOSFET),其成員可利用下面樹狀結構表示: Organized by Daw-Tung Lin , NTPU 3
JFET與MOSFET控制通道寬度大小的原理不同,前者是利用空乏區大小來控制;後者則是利用閘極所加的正(或負)電壓大小來控制,所以它們可工作的閘極電壓範圍亦不相同,但是它們的直流特性曲線極為類似,均可分為三極體區、夾止區及截止區,而通道變化和產生的電流之間關係亦大致相同。JFET與MOSFET控制通道寬度大小的原理不同,前者是利用空乏區大小來控制;後者則是利用閘極所加的正(或負)電壓大小來控制,所以它們可工作的閘極電壓範圍亦不相同,但是它們的直流特性曲線極為類似,均可分為三極體區、夾止區及截止區,而通道變化和產生的電流之間關係亦大致相同。 Organized by Daw-Tung Lin , NTPU 4
JFET • 以JFET為例,JFET分為n通道和p通道兩種,差別在於元件的電流流通之通道,材料分成n型或p型。n通道的JFET電流靠電子傳送;P通道的JFET電劉則是靠電洞傳送。此兩類型JFET的所加偏壓與電流流向恰巧相反,但是動作原理完全相同。 Organized by Daw-Tung Lin , NTPU 5
三、n通道JFET的基本特性 • n通道JFET的結構簡圖如下: 其中G為閘極(gate)、D為汲極(Drain)、S為源極(Source)。 Organized by Daw-Tung Lin , NTPU 6
三、n通道JFET的基本特性 • 在G-S及D-S間加上偏壓,如下圖,討論電壓及電流的變化情形。 Organized by Daw-Tung Lin , NTPU 7
JFET電壓與電流變化 • 當 很小時: 考慮通道上下側所加的偏壓 及 ,因為 ,又此時 值很小,若加以忽略,則 。即表示通道上下側所加的偏壓大約相等,故形成的通道寬度平均,具有電阻的效應,此時 電流和 電壓為近似線性關係,稱為三極體區(triode region)。 Organized by Daw-Tung Lin , NTPU 8
JFET電壓與電流變化 (1) ,通道中的pn接面空乏區維持原狀,此時測得之 稱為 (汲-源極間飽和電流) (2) ,逆向偏壓使通道中pn接面的空乏曲變寬,故通道變小, 電流下降,如下圖: Organized by Daw-Tung Lin , NTPU 9
JFET電壓與電流變化 (3) ,當逆向偏壓到達 (夾止電壓)時,通道完全被空乏區占滿,故 為零,如下圖: Organized by Daw-Tung Lin , NTPU 10
JFET電壓與電流變化 2. 當 逐漸增加時: (1) ,此時通道中G-S間的pn接面空乏區維持固定,而G-D間的pn接面空乏區隨著 的增加而逐漸變寬,使通道形成一梯形的形狀,如下圖: Organized by Daw-Tung Lin , NTPU 11
JFET電壓與電流變化 承上頁,當 時,G-D間通道縮小至極限,如下圖, 電流達到飽和,不再隨 的 的變化而改變,此時稱JFET已被夾止(pinch off)。 Organized by Daw-Tung Lin , NTPU 12
JFET電壓與電流變化 (2) ,比較(1)中的 電壓,可知現在 更容易達到 a 的夾止情形,故夾止電流亦較(1)中為小,如P.9頁之個特性曲線。 Organized by Daw-Tung Lin , NTPU 13
實驗使用材料 FET 2SK404 × 1 電阻 1KΩ× 1、10KΩ× 1 可變電阻 250KΩ × 1 Organized by Daw-Tung Lin , NTPU 14
實驗 (1)-判斷FET閘極 • FET的G極與D、S兩極之間均為pn接面,故可用數位電表找出FET之閘極,利用數位電表上二極體的功能鍵,SK404的G端為正(接紅線),另兩端為負(接黑線),G端對另兩端皆有電壓值,用此特性找出G端。 Organized by Daw-Tung Lin , NTPU 15
實驗 (2)-測量FET之 1. 將下面電路圖接妥。 Organized by Daw-Tung Lin , NTPU 16
實驗 (2)-測量FET之 • 利用數位電表測量 值。 • 調整 ,觀察 值(即為 值),填入下表中。 • 調整 ,重複(3)。 Organized by Daw-Tung Lin , NTPU 17
實驗 (3)-測量FET之 1. 將下面電路圖接妥。 Organized by Daw-Tung Lin , NTPU
實驗 (3)-測量FET之 • 利用數位電表測量 值,再測量 值。 • 調整 ,之後調整可變電阻RV250KΩ,觀察數位電表,直到 為止。 • 之後觀察 值,此時 值即為 值,並把結果記錄在下表。 Organized by Daw-Tung Lin , NTPU 19
實驗 (4)-測量FET之 • 將下面電路圖接妥。 Organized by Daw-Tung Lin , NTPU 20
實驗 (4)-測量FET之 2. 利用數位電表觀察 值,且用示波器觀察 值。 3. 調整 ,並依須記錄 值,直到 ,此時的 即為 。把量到的 記錄在下頁,並繪出曲線。 Organized by Daw-Tung Lin , NTPU 21
轉導曲線(表一) & 轉導曲線圖 0 (V) Organized by Daw-Tung Lin , NTPU 22