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電界効果トランジスタの動特性

電界効果トランジスタの動特性. D ： ドレイン. G ： ゲート. D ： ドレイン. S ： ソース. G ： ゲート. S ： ソース. P チャンネル JFET ：接合型 FET. N チャンネル JFET ：接合型 FET. FET(Field Effective Transistor) とは. 電圧制御型の能動素子 (V GS により I D を制御する ). N チャンネル JFET. V DS : ソース・ドレイン間電圧 V GS : ゲート電圧. 空乏層の成長. V GS ≦0 （逆方向電圧）. G. S. D.

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電界効果トランジスタの動特性

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Presentation Transcript

  1. 電界効果トランジスタの動特性 D：ドレイン G：ゲート D：ドレイン S：ソース G：ゲート S：ソース PチャンネルJFET：接合型FET NチャンネルJFET：接合型FET FET(Field Effective Transistor)とは 電圧制御型の能動素子 (VGSによりIDを制御する) 電気電子工学科基礎実験

  2. NチャンネルJFET VDS:ソース・ドレイン間電圧 VGS:ゲート電圧 空乏層の成長 VGS≦0 （逆方向電圧） G S D VDS≧0 （逆方向電圧） P N ID：ドレイン電流 P ピンチオフってなに？ チャネル 電気電子工学科基礎実験

  3. 出力信号波形観測 CH1: VGS + vGS CH2: VDS + vDS R4 or R5 224 R1 R3 D G S E1 0 e R2 12V vGS vDS VGS VDS t 電気電子工学科基礎実験

  4. 出力抵抗と相互コンダクタンス VGS=0 VGS=-0.4 ID VGS=-0.8 伝達特性 出力特性 出力電流 VGS=-1.2 相互コンダクタンス VGS=-1.6 -2.0 -1.6 -1.2 -0.8 -0.4 出力抵抗 電流 VDS VGS 電圧 VDS 出力電圧 入力電圧 0 電気電子工学科基礎実験

  5. 動作点 VGS=0 12V 直流負荷直線 VGS=-0.4 R4 ID VGS=-0.8 ID 動作点 ID ID VGS=-1.2 ID VGS=-1.6 -2.0 -1.6 -1.2 -0.8 -0.4 VDS VDS VDS VDS VDS 12V VGS VGS= ‐1.0 （E2による） 0 VGSを0 ～ ‐2.4 のように 変化させると 電気電子工学科基礎実験

  6. VGS=0 直流負荷直線 VGS=-0.4 ID VGS=-0.8 動作点 VGS=-1.2 VGS=-1.6 -2.0 -1.6 -1.2 -0.8 -0.4 VDS VGS 0 VGS= ‐1.0 vGS vDS VGS VDS t 動作点と波形 0 電気電子工学科基礎実験

  7. 動作点が変わったら？ VGS=0 直流負荷直線 VGS=-0.4 ID VGS=-0.8 動作点 VGS=-1.2 VGS=-1.6 -2.0 -1.6 -1.2 -0.8 -0.4 VDS VGS VGS= ‐2.0 vGS vDS ! VGS VDS 0 電気電子工学科基礎実験

  8. 実験上の注意 • 出力波形の観察 • R4，R5の選択は静特性第1象限の結果から判断する • 動作点は静特性第1象限の結果により各班で決める • 波形は，DCカップリングで波形をスケッチする • 結果を図式解析によって、説明する • 増幅率の算出時にR4（あるいはR5）を考慮すること 電気電子工学科基礎実験

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