視聽電子技能檢定丙級學科試題

1. 視聽電子技能檢定丙級學科試題 電子科主任 何慶鐘

2. 02900視聽電子 丙級 工作項目01： 1.(4) 為(1)電容器(2)起動器(3)燈絲(4)氖燈。 2.(1) 為(1) SCR (2) SCS (3) PUT (4) TRIAC。 3.(2) 1GHz=(1)1×106Hz(2)1×109Hz(3)1×1012Hz(4)1×1015 Hz。 4.(2) 所示為(1)定電壓源(2)定電流源(3)馬達(4)交流 源。 5.(1) 所示為(1)光敏電阻(2)熱敏電阻(3)壓敏電阻(4) 光二極體。 6.(3) 為(1)SCR(2)SCS(3)VDR(4)Thermistor。 7.(3) 為(1)發光二極體(2)隧道二極體(3)光二極體(4) 穩壓二極體。

3. 8.(3) 所示係為一 SUS 的單向開關其未標明之一極為(1)洩極 (2)源極(3)閘極(4)射極。 9.(2) 所示係為一(1)矽控開關(SCS)(2)矽雙向開關(SBS)(3) 矽單向開關(SUS)(4)ATS開關。 10.(2) 之陶質電容器，標示之“50”代表此電容值為 (1)50NF(2)50PF(3)50uF(4)5PF。 11.(1) 下圖為一(1)差動放大電路(2)推挽式放大電路(3)單穩態 多諧振盪器(4)雙穩態多諧振盪器。 為定電源差動放大器。 12.(1) 圖中電阻以色碼表示其電阻值，下列那個答案為正確(1) 2Ω±10%(2)200Ω±10%(3)2Ω±20%(4)20Ω±20%。

4. 13.(4) 左圖符號代表(1)SCR(2)DIAC(3)LED(4)TRIAC。 14.(3) 符號表示何種元件(1)發光二極體(2)稽納二極體(3) 變容二極體(4)透納二極體。 15.(1) 左圖為何種元件(1)N通道JFET(2)P通道JFET(3)N 通道MOSFET(4)P通道MOSFET。 16.(1) 左圖所示是表示(1)運算放大器(2)反相器(3)差 動放大器(4)正反器。 17.(3) 二極體的符號是(1) (2) (3) (4) 。 18.(2) 電解電容器外觀所標示之工作電壓(例：150WV)，係表示 電路中所加之(1)交流電壓(2)直流電壓(3)交、直流電壓 均可(4)交流電壓之峰對峰值，不可超過其標示值。 　　　　標示為直流電壓。

5. 19.(3) 標示電阻器阻值之色碼如僅有三環，而無第四環，代表此 電阻器之誤差為(1)5%(2)10%(3)20%(4)0%。 20.(1) 電解電容器之兩極導線，較長之一端為(1)正極(2)負極(3) 無意義(4)與廠商之設計有關。 02900視聽電子 丙級 工作項目02： 1.(4) 以三用電表量測AC電源插座所得之值為(1)峰對峰值(2) 峰值(3)平均值(4)有效值。 2.(1) 三用電表之DC1.5V電池未裝，則(1)R檔全部不動作(2)只 有R×10K檔不動作(3)只有R×1~R×1K檔不動作(4)電表全部 不動作。 3.(2) 3 1/2 位的數字電壓表，小數點後最多顯示(1)2位數(2) 3位數(3)4位數(4)6位數。 4.(1) 10MHz之示波器即表示其(1)垂直放大電路(2)水平放大電 路(3)激發電路(4)掃瞄電路之頻率響應(-3dB)為10MHz。 10MHz之示波器即表示垂直放大電路對輸入DC~10MHz均能 放大。

6. 5.(3) 橋式整流器的四支接腳中，較長的一端為(1)交流輸入正 端(2)交流輸入負端(3)直流輸出正端(4)直流輸出負端。 6.(4) 以三用電表R×1檔測量電容器，如指針向右偏轉後停於 0Ω處，表示該電容器(1)開路(2)漏電(3)容量不足(4) 短路。 　　　　電容器短路時，以三用電表R×1檔測量指針偏向右轉停於 0Ω處，指針偏向右或偏向中間部份表示漏電。 7.(2) 色碼電阻第四色帶代表容許誤差，如果第四色帶為銀色， 則代表其容許誤差為(1)±0％(2)±10％(3)±20％(4)±100 ％。 金為±5%，銀為±10%，無色為±20%。 8.(3) 示波器之垂直與水平輸入同一相位正弦波，則李賽氏圖形 應為(1)圓(2)鋸齒波(3)斜線(4)正弦波。 　　　　示波器之垂直與水平輸入之信號頻率相同，相位差00或 3600為向右傾斜之斜線，相位差1800為向左傾斜之斜線， 相位差900為圓。

7. 9.(2) 三用電表之9V或22.5V電池未裝，則(1)R檔全部不動作 (2)R×10K檔不動作(3)R×1∼R×1K檔不動作(4)電表全部不動 作。 10.(4) 圖形信號產生器使用點格子信號，是用來調整彩色電視機 的(1)色同步電路(2)色調電路(3)消色電路(4)收斂電路所 用之儀器。 收斂電路分為靜集中與動集中二種。靜集中收斂CRT的中 央部份，動集中收斂CRT的邊緣部份。 11.(2) 三用電表上“OUT+”插孔是用來測量(1)電容(2)含有直流 位準之交流信號(3)輸出DC3V(4)電晶體之hFE用。 　　　　“OUT+”插孔是用來測量含有DC與AC之直流脈動電壓。 12.(2) 當雙時跡(Dual Trace)示波器欲觀測較高頻率的波形時， 應撥在(1)CHOP上(2)ALT上(3)ADD上(4)AC上。 ALT用於高頻，CHOP用於低頻，ADD為頻道與頻道的電壓 相加。 13.(3) 三用電表無法直接測量(1)直流電壓值(2)交流電壓值(3) 峰對峰值(4)歐姆值。

8. 三用電表無法測量峰對峰值，測量峰對峰值須用示波三用電表無法測量峰對峰值，測量峰對峰值須用示波 器。 557.(4) 示波器欲觀測之信號頻率較低時，則耦合選擇開關應置 於(1)AC(2)DC(3)ALT(4)CHOP。 如同555題。 558.(2) 一三用電表之直流電壓檔靈敏度為2KΩ/V，如撥到50V 檔，則其內阻為(1)2KΩ(2)100KΩ(3)20KΩ(4)10KΩ。 三用電表之內阻為靈敏度乘以直流電壓檔，故 2KΩ/V×50V=100KΩ。 559.(1) 示波器的垂直偏向板之偏向靈敏度較水平偏向板(1)高 (2)低(3)一樣(4)視機種而定。 垂直放大器之增益依CRT偏向靈敏度而定，故示波器 靈敏度取決於垂直放大器，故垂直放大器靈敏度比水 平放大器高。 560.(1) 一般所用之電表頭均為(1)直流表頭(2)交直流兩用表頭 (3)交流表頭(4)均方根值表頭。 目前常用表頭為永久磁鐵動圈式，是直流方式。

9. 561.(3) 測量同軸電纜線是否有斷路現象，是採用何種電橋？(1) 惠斯頓電橋(2)電感電橋(3)電容電橋(4)克爾文電橋。 惠斯頓電橋測電阻，克爾文電橋測低電阻，測同軸電纜 開路使用史林電橋又稱電容電橋。 562.(2) 以示波器測量脈波電壓時，其電壓值為(1)峰值(2)峰對 峰值(3)有效值(4)平均值。 示波器測量電壓值為峰對峰值。 563.(4) 三用電表如缺少乾電池，則(1)不能測量電壓(2)不能測 量電流(3)尚可測量電流(4)尚可測量電壓及電流。 三用電表缺電池，則不能測電阻，可測電壓及電流。 564.(4) 下列何種儀器是比較型儀表(1) VTVM (2)示波器(3)三 用電表(4)惠斯頓電橋。 屬於電橋式儀表均為比較型儀表。 565.(1) 一般示波器大都使用(1)靜電聚焦(2)電磁聚焦(3)感應 聚焦(4)凸透鏡聚焦。 示波器螢幕小大都使用靜電聚焦。

10. 566.(1) 一般使用三用電表測量電容器之電容量，均外加AC10V 電源與待測電容器(1)串聯(2)並聯(3)串並聯均可(4)外 加電源一端接負棒，一端接“OUTPUT”端。 AC10V與待測電容器串聯，以三用電表內阻做分壓量測 其電壓，換算成電容阻抗，再換算成電容量。 567.(4) 用三用電表的交流電壓檔來測量直流電壓的結果為(1) 電表內之倍率電阻會燒損(2)讀數乘以1.414即為所求之 值(3)讀數除以1.414即為所求之值(4)讀數無意義。 568.(2) 串聯式歐姆表的歐姆刻度零位在(1)左邊(2)右邊(3)中 間(4)不一定。 串聯式三用電表歐姆零刻度在右邊，∞在左邊，並聯式 剛好相反，市面上三用電表大多採用串聯式。 569.(3) 若在示波器的水平輸入端加入與垂直輸入端頻率相同， 但相位相差90°的信號，則示波器上(1)出現一條向左 傾斜45°的直線(2)出現一條向右傾斜45°的直線(3)出現 一個圓(4)出現一條水平直線。 　　　　　如同551題。

11. 570.(2) 測量電視機影像管之陽極高壓，須將高壓表之兩測試端 (1)先將正端插入陽極，再接地線(2)先接地線，再將正 端插入陽極(3)無先後順序，依習慣(4)上述方法均可。 應先接地線再測量，因陽極高壓為10K~15KV。 571.(2) 在市面上所看到之日本製電晶體，如編號為2SC372，代 表此電晶體為(1)PNP(2)NPN(3)FET(4)廠商編號無意 義。 2SA為PNP高頻用，2SB為PNP低頻用，2SC為NPN高頻用， 2SD為NPN低頻用。 572.(4) 利用伏特表、安培表法測定高電阻的正確接線為 (1) (2) (3) (4) 。 (3)適合測低電阻，如測高電阻會電表內阻產生負載效 　　　　　應。(4)適合測高電阻。

12. 573.(3) 當示波器上"LINE"開關被使用時，則觸發信號取自(1) 垂直電路(2)被測電路(3)內部電源電路(4)本身振盪。 　　　　　同步信號有三種:INT(取自內部信號)、EXT(取自外部信 號)、LINE(取自電源頻率60Hz為信號)。 574.(2) 3 1/2 Digit DVM 其指示範圍最大可達到(1)199.9(2) 1999(3)1.999(4)9999。 575.(3) 示波器探針上之補償可調電容之作用是(1)補償低頻(2) 補償中頻(3)補償高頻(4)補償直流以使波形不發生大的 失真。 示波器探棒易受雜散電容影響適合低頻，故加上可調電 容補償高頻，以免造成負載效應。 576.(3) 三用電表"BATT"插孔是用來(1)測量電容值與電感值(2) 輸出3V直流電壓(3)測量乾電池良否(4)測量二極體的特 性。 577.(1) 韋恩電橋振盪器決定其振盪頻率的回授網路元件為(1) 正回授電路(2)負回授電路(3)偏壓電路(4)直流負載電 阻。 振盪電路之回授均為正回授。

13. 578.(2) 靈敏度AC 20KΩ/V之三用表，撥在AC50V檔時，三用表 內阻為(1)100KΩ(2)1MΩ(3)20KΩ(4)100Ω。 20KΩ/V×50V=1MΩ。 579.(4) 示波器可用來測量(1)電壓振幅及電阻(2)只有電壓波形 (3)電壓電阻及電流(4)波形振幅及頻率。 示波器可直接測量峰對峰值電壓，還可測信號之振幅、 相位、頻率及檢視頻率響應曲線。 580.(1) 使用三用電表的歐姆檔測量矽二極體順向特性時，LI刻 度為10mA，LV刻度為0.7V，則此二極體之內阻為(1) 70Ω(2)50Ω(3)20Ω(4)接近0Ω。 Rd=LV/LI=0.7V/10mA=0.07KΩ=70Ω。 581.(2) 惠斯登電橋之用途為測定(1)電感器(2)電阻(3)電晶體 (4)電容器。 　　　　　惠斯登為平衡電橋，只能測電阻。 582.(1) 三用表之電壓表及電流表刻度為(1)線性(2)非線性(3) 指式(4)依廠商設計。 三用表之電壓表及電流表刻度均線性，電阻為非線性。

14. 583.(2) 左圖為示波器顯示之波形，若水平輸入頻率為 10KHz，則垂直頻率為(1)20KHz(2)15KHz(3)30KHz(4) 10KHz。 fV/fH=NV/NH=3/2=1.5，10KHz×=1.5=15KHz。 584.(2) 三用表之歐姆表刻度為(1)線性(2)非線性(3)指數式(4) 依廠商設計。 　　　　　如582題。 585.(2) 有關低週信號產生器(AF Generator)的敘述，下列何者 錯誤(1)產生方波、正弦波(2)輸出接線可長可短(3)輸 出加到含有直流成分之電路時，應以電容器加以隔離(4) 輸出信號太大時須予以衰減後再加到線路上。 586.(2) 以三用電表測量某一電阻器上之壓降時，所測得之電壓 會比實際壓降值要(1)高(2)低(3)不變(4)不一定。 負載效應之原故。

15. 587.(2) 在使用斜口鉗剪零件過剩的腳時(1)不須要注意斜口鉗 的角度(2)要特別注意剪斷的腳跳出的方向(3)要注意斜 口鉗剪腳所用力量的大小(4)可閉眼剪腳。 要特別注意剪斷的腳跳出的方向，以免傷及眼睛。 588.(3) 三用電表面板上有一鏡面是為了避免(1)儀器誤差(2)系 統誤差(3)視覺誤差(4)殘餘誤差。 589.(3) 電表中的游絲主要作用是(1)增加靈敏度(2)增加指針轉 矩(3)作為指針的反向轉矩(4)減低溫度的影響。 590.(2) 一般所使用的三用電表基本表頭是屬於：(1)交流電壓 表(2)直流電流表(3)交直流兩用電壓表(4)交流電流 表。 稱為永久磁鐵動圈式。 591.(2) 理想的電流表應是(1)內阻為無窮大(2)內阻為零(3)靈 敏度很低(4)靈敏度很高。 理想的電流表因串聯測量內阻應為零，理想的電壓表因 並聯測量內阻應為無限大。

16. 592.(2) 電壓表之內阻，理論上而言(1)愈小愈好(2)愈大愈好(3) 等於零(4)等於定數最為理想。 同上題。 593.(2) Ｑ電表的基本原理，係利用(1)LC並聯諧振(2)LC串聯諧 振(3)RC串聯諧振(4)RC並聯諧振。 Ｑ表利用LC串聯諧振原理，測量Q值、C值。 594.(1) 高阻計在不用時，其指針指在(1)∞處(2)中間半標度(3) 零值(4)數百萬歐姆處。 595.(2) 以示波器測量一波形，得知其週期為100μS，則其頻率 應為(1)1KHz(2)10KHz(3)100KHz(4)1MHz。 F=1/T=1/100uS=1/(100×10-6uS)=104Hz=10KHz。 596.(1) 銲錫作業方式下列何者錯誤？(1)先將錫熔於鉻鐵頭上 再沾至被銲點(2)被銲物表面應清潔(3)鉻鐵溫度應適當 (4)銲錫以60/40錫鉛合金最適當。 597.(3) 一電容器標示102M，則表示其電容量為(1)1000μF(2) 102μF(3)0.001μF(4)0.000102μF。 102=10×102pF=10×102×10-6uF=10-3uF=0.001uF。

17. 598.(3) 功率電晶體之鐵殼，可視為此電晶體之(1)E極(2)B極 (3)C極(4)固定用或作為接地端。 599.(4) 處理保險絲熔斷之最佳方法為(1)更換較大之保險絲(2) 以銲錫替代(3)以裸銅線替代(4)先檢查電路再更換同規 格保險絲。 600.(1) 鑽孔時，鑽頭速度，鑽頭大小與工作材料硬度之關係， 下列敘述何者錯誤？(1)鑽頭愈大，轉速應愈快(2)鑽頭 愈小，轉速應愈快(3)工作材料愈硬，轉速應愈慢(4)工 作材料愈軟，轉速應愈快。 　　　　　頭愈大，轉速愈慢。 601.(2) 125.0Ω，其有效數字為(1)3位(2)4位(3)2位(4)5位。 602.(3) 3 1/2 位的數位電壓表可讀得(1)0∼1.9V(2)0∼1.99V(3) 0∼1.999V(4)0∼1.9999V。 603.(1) 電解電容器兩端腳較長的一端為(1)+極(2)-極(3)依廠 商規格而定(4)接地端。

18. 604.(3) 電容器之容量單位"P"代表(1)10-6法拉(2)10-9法拉(3) 10-12(4)10-15法拉。 605.(4) 色碼電阻之色碼依次為"黃綠黃金"則此電阻之阻值為(1) 56MΩ±5％(2)560KΩ±5％(3)45MΩ±5％(4)450KΩ±5 ％。 606.(3) 下列敘述何者錯誤？(1)JIS為日本國家標準(2)UL為美 國火災安全保險協會規格(3)UL為中國國家外銷產品檢 驗規格 (4)CNS為中國國家標準。 607.(1) 防靜電作業所用之接地手環，在手與接地端間應(1)串 聯－高阻抗電阻(2)並聯－低阻抗電阻(3)串聯－大電容 (4)並聯－小電容。 防靜電作業所用之接地手環，在手與接地端間應串聯 1MΩ電阻。 608.(4) “UL規格”是指(1)我國外銷電氣安全規格(2)日本國家 安全規格(3)歐洲共同市場電氣安全規格(4)美國火災安 全保險協會規格。

19. 609.(3) 以細銼刀銼金屬面時，回程應(1)在金屬面對銼刀輕力 拉回(2)與去程相同之力量銼回程(3)將銼刀提起，離開 金屬面(4)以上均可。 610.(2) 電鉻鐵的銲頭，其材料為(1)純銅(2)合金銅(3)鑄鐵(4) 鋼。 611.(2) 若一電阻之色碼為“橙白黑紅棕”則此電阻之阻值應為 (1)39KΩ(2)39KΩ(3)390KΩ(4)3.9MΩ。 39000±1%Ω=39K±1%Ω，此為精密電阻。 612.(1) 鉭質電容器之兩極導線，較長之一端為(1)正極(2)負極 (3)不一定(4)依廠商之設計。 鉭質電容與電解電容相同，較長之一端為正極，較短之 一端為負極。 613.(1) 以三用表測試含有直流成份之交流信號時，須放在 (1)“OUT”(2)“IN”(3)“+”(4)“G”端鈕檔方可濾 去直流成份。 614.(4) MOS IC作業所用之接地手環，在手與接地端之間應串聯 一個(1)1KΩ(2)10KΩ(3)100KΩ(4)1MΩ 電阻。

20. 615.(2) 印刷電路板鑽孔時，下列敘述何者正確？(1)速度愈慢 愈佳(2)速度愈快愈佳(3)由零件面往銅箔面鑽(4)鑽頭 下壓力量愈大愈好。 616.(4) "CNS"是代表(1)美國安全規格(2)美國軍用規格(3)日本 國家標準(4)中國國家標準。 617.(2) 焊接時若助焊劑變黑及表面有氧化物之白膜產生，是由 於(1)溫度過低(2)溫度過高(3)表面清潔不良(4)焊錫過 少。 618.(2) 螺絲頭上面打一小圓點 ，是表示此螺絲依何種規格 製造？(1)JIS(2)ISO(3)UL(4)MIL。 619.(1) Ｂ型碳膜可變電阻，其阻值與旋轉角度之關係為(1)直 線型(2)對數型(3)指數型(4)反對數型。 620.(2) 錫63%鉛37%比率之銲錫熔點溫度約為(1)100℃(2) 260℃(3)400℃(4)1000℃ 左右。 621.(1) 一般印刷電路板之適當焊錫作業時間應為(1)2∼4秒(2) 8∼10秒(3)6∼7秒(4)愈久愈好。

21. 622.(3) 某設備耗電流為1.2A，則使用下列何者保險絲為最適當 (1)1A(2)1.2A(3)2A(3)5A。 　　　　　保險絲採用略高於工作電流，故選擇2A(1.5A更好)。 623.(4) 使用手工小刀時，為求省力及安全，刀口宜向(1)上(2) 下(3)內(4)外。 624.(3) 同一長度之螺絲，螺紋愈密，其機械利益(1)愈小(2)相 等(3)愈大(4)不一定。 　　　　　螺絲螺紋愈密，其機械利益愈大。 625.(3) 操作砂輪機時，不使用砂輪之側面，是因為(1)切削效 果差(2)工作不方便(3)危險(4)磨不平。 626.(3) 製作印刷電路板之氯化亞鐵溶液應放置於(1)鐵盒(2)銅 盒(3)塑膠盒(4)鉛盒。 氯化亞鐵溶液對金屬有腐蝕性，應放置於塑膠盒。 627.(2) 依據國際電氣標準所定，Ｅ種絕緣材料之最高使用溫度 為(1)105℃(2)120℃(3)130℃(3)180℃。 628.(1) 二極體之逆向電壓增加時，其接面電容(1)減小(2)增加 (3)不變(4)先增加後減小。 二極體逆向電壓增加，空乏區增大，接面電容減小。

22. 629.(4) 電晶體之電流放大率α、β之互相關係為(1)α=β+1 (2)β=α/(1+α) (3)β=α+1 (4)α=β/(1+β)。 IE=IC+IB，α=IC/IE，β=IC/IB，γ=IE/IB， α=β/(1+β)，β=α/(1-α)，γ=1+β。 630.(3) 達靈頓電路具有下列那些特性(1)低輸入阻抗(2)高電壓 增益(3)低輸出阻抗(4)低電流增益。 　　　　　達靈頓電路特性為輸入阻抗高，輸出阻抗低，電流增益 　　　　　高，電壓增益幾乎等於1略小於1。 631.(3) 共基極放大電路之特點為(1)高輸入阻抗(2)低輸出阻抗 (3)比共射極放大電路具較高之信號雜音比(4)高電流增 益。 CB特性為輸入阻抗低，輸出阻抗高，電壓增益高，電流 　　　　　增益幾乎等於1略小於1，信號雜訊比(S/N)高。 632.(4) 電晶體放大電路中，失真度最大的為(1)A類(2)B類(3) AB類(4)C類。 C類效率最高，失真最大。

23. 633.(1) 在前置放大電路中，常採用靴帶式電路之目的為(1)提 高輸入阻抗(2)提高負載阻抗(3)提高電流增益(4)提高 電壓增益。 　　　　　採用靴帶式電路之目的為提高輸入阻抗。 634.(4) 負回授電路之特點為(1)增加電壓放大率(2)增加雜音(3) 增加失真度(4)增加穩定性。 　　　　　負回授特點為降低增益，增加頻寬，降低失真，故增加 　　　　　穩定性。 635.(4) 共射極放大電路之電壓增益(1)與射極電阻成正比(2)與 集極電阻成反比(3)與基極電阻成正比(4)與集極電阻成 正比與射極電阻成反比。 　　　　　共射極電壓增益AV≒RC/RE，故與集極電阻成正比與射極 　　　　　電阻成反比。 636.(4) 下列何者不為場效電晶體(FET)之特性？(1)輸入阻抗較 雙極電晶體高(2)互導低故電壓增益較低(3)對較大信號 易產生失真(4)供給FET電路的電壓較小。 FET為電壓控制元件，其閘源極偏壓通常較大。

24. 637.(1) 當穩定因素S為何者時，電路具有最好之偏壓安排？(1) S=1(2)S=50(3)S=0(4)S=∞。 　　　　　理想的穩定因素S=1。 638.(4) 會影響高頻增益之電容器為(1)交連電容(2)射極旁路電 容(3)反交連電容(4)集基極分佈電容。 　　　　　會影響高頻增益為小電容。 639.(1) 二個串級放大電路，若每一個的頻寬為10KHz，則整體 的頻寬為(1)6.4KHz(2)64KHz(3)15.6KHz(4)156KHz。 　　　　　串級級數愈多之放大電路，頻寬為降低，故頻寬小於 10KHz。 640.(2) 串聯諧振特點為(1)很高之阻抗(2)電感抗等於電容抗(3) 很小的迴路電流(4)可將電流加以放大。 　　　　　串聯諧振電感抗等於電容抗，阻抗最小，電流最大。 641.(3) 一LC諧振電路之頻寬為40KHz，其Q值為20，則其諧振頻 率(1)2KHz(2)20KHz(3)800KHz(4)40KHz。 　　　　　諧振頻率等於頻寬乘以Q值，f=BW×Q=40K×20=800KHz。

25. 642.(2) 若電阻為10KΩ，欲使其時間常數為1秒，則電容量應為 (1)10μF(2)100μF(3)1μF(4)1000μF。 時間常數τ=RC，1=10K×C，C=1/10K= 0.1×10-3×106u=100uF。 643.(4) 一電路其電壓放大倍數的100倍，則其電壓增益為(1) 10dB(2)20dB(3)30dB(4)40dB。 AV:20logAV=20log100=20×2=40dB 644.(1) 之時間常數為(1)0.1秒(2)1秒(3)10 秒(4)100秒。 R=10K〃10K=10K×10K/(10K+10K)=5K， τ=RC=5K×20u=5×103×10-6=0.1S 645.(3) 稽納二極體之稽納電壓為9V，則輸出 電壓為(1)12V(2)9V(3)6V(4)1V。

26. Vo=12×1K/(1K+1K)=6V，不足讓稽納二極體崩潰，故輸Vo=12×1K/(1K+1K)=6V，不足讓稽納二極體崩潰，故輸 　　　　　出電壓為6V。 646.(3) 運算放大器之特點為(1)低輸入阻抗(2)高輸出阻抗(3) 高電壓增益(4)高電流增益。 　　　　　運算放大器之特點為高輸入阻抗、低輸出阻抗、高電壓 　　　　　增益、高頻寬。 647.(4) 最穩定之電晶體偏壓方式為(1)基極偏壓(2)集極回授之 基極偏壓(3)射極回授之基極偏壓(4)雙電阻分壓之偏 壓。 648.(4) 稽納穩壓二極體是工作於(1)順向飽和區(2)順向工作區 (3)逆向截止區(4)逆向崩潰區。 649.(1) 下列何者不為振盪的要件？(1)負回授(2)正回授(3)總 相移為360° (4)回授量與增益的乘積≧1。 650.(1) 下列何者不為串聯諧振的特性？(1)諧振時總阻抗最大 (2)諧振時電流最大(3)電感器上之電壓為輸入電壓之Q 倍(4)可作陷波器。 　　　　　如同640題。

27. 651.(1) 在諧振電路中，若其線圈的Q值為20，諧振頻率為 400Hz，則其頻寬為(1)20Hz(2)8000Hz(3)400Hz(4) 1000Hz。 如同 641題，BW＝400/20=20Hz。 652.(2) 在L-C並聯諧振時，則(1)阻抗最小，環路電流最大(2) 阻抗最大，環路電流最大(3)阻抗最大，環路電流最小 (4)阻抗為0，環路電流無限大。 L-C並聯諧振，阻抗最大，環路電流最大，總電流最 小。 653.(1) 下列放大電路，何者失真度最低？(1)A類(2)B類(3)C類 (4)D類。 654.(2) ICBO易受溫度影響易受溫度影響(1)溫度每上升1℃，則 增加1倍(2)溫度每上升10℃，則增加1倍(3)溫度每下降 1℃，則增加 1倍(4)溫度每下降10℃，則增加1倍。 655.(2) 矽二極體在常溫之下，其切入電壓均為(1)0.2∼0.3V(2) 0.5∼0.7V(3)1.2∼1.5V(4)1∼2V。

28. 656.(2) 在N型半導體內，少數載子為(1)電子(2)電洞(3)質子(4) 中子。 N型半導體，多數載子為電子，少數載子為電洞。 657.(3) 二極體之接頭電阻在室溫下約為26mV/I，若工作電流 為2mA，則接頭電阻為(1)52Ω(2)52mΩ(3)13Ω(4) 25Ω。 R=26m/2m=13Ω。 658.(3) 調幅波的頻率(1)隨調變信號的波幅改變(2)隨調變信號 之頻率改變(3)不變(4)隨調變信號之相位改變。 659.(1) 下列何者為低頻振盪電路(1)維恩電橋振盪電路(2)哈特 萊振盪電路(3)柯爾比茲振盪電路(4)晶體振盪電路。 660.(3) 使SCR截流之方法之一為(1)在閘極加上負脈波(2)加大 陽極電流(3)將陽極與陰極短路(4)將閘極與地短路。 SCR截流:切斷A-K順向電壓、將A-K兩端短路、陽極電流 降至保持電流IH之下、A-K兩端電壓反向四種。

29. 661.(2) Ｂ類放大器可消除(1)奇次諧波(2)偶次諧波(3)所有諧 波(4)所有雜訊。 662.(3) Ｃ類放大器之工作點電壓(1)等於切入電壓(2)大於切入 電壓(3)在截止電壓以下(4)恰等於0V。 663.(1) N型半導體中，多數載子為(1)電子(2)電洞(3)正子(4) 中子。 664.(2) 可做為"光""電"轉換器的是(1)壓敏電阻(2)光敏電阻(3) 熱敏電阻(4)整流二極體。 光敏電阻(cds)其阻值隨入射光強度成反比。 665.(2) 半導體電阻為(1)正溫度係數(2)負溫度係數(3)零溫度 係數(4)絕對溫度係數。 666.(3) 矽二極體之順向偏壓小於0.5V時，是工作於(1)飽和區 (2)工作區(3)截止區(4)飽和區與工作區之間。 　　　　　矽二極體之切入偏壓0.5~0.7V，順向偏壓小於0.5V為截 　　　　　止區。 667.(2) 半波整流濾波電路未加負載時，其輸出電壓約為輸入電 壓之(1)1倍(2) 倍(3) 倍(4)2倍。

30. 668.(2) 共射極串級放大電路，其增益為(1)下降(2)增加(3)不 變(4)視晶體而定。 　　　　　串級放大，增益為相乘，固為增加。 669.(2) 電晶體之α參數為(1)共射極放大之電流增益(2)共基極 放大之電流增益(3)共集極放大之電流增益(4)共集極放 大之電壓增益。 670.(3) 共集極放大電路之功率增益(1)等於0dB(2)等於1dB(3) 大於0dB(4)小於0dB。 　　　　　共集極AV≒1，AI=hfe，AP>1(0dB表增益為1)。 671.(4) 下列式子何者為誤？(1)α=β/(β+1) (2)β=α/(1-α) (3)ｒ=β+1 (4)β=α/(1+α)。 　　　　　如同629題。 672.(1) RC相移振盪器是屬於(1)低頻振盪器(2)高頻振盪器(3) 中頻振盪器(4)晶體振盪器。 673.(4) 為消除交越失真，宜採用(1)A類(2)B類(3)C類(4)AB類 放大。

31. B類工作點在截止點上，採單端推挽易產生交越失真，B類工作點在截止點上，採單端推挽易產生交越失真， 　　　　　宜採用AB類。 674.(3) 電源供給器無負載時為9伏特，滿載時為8伏特，其電壓 調整率為(1)-12.5％(2)-11.1％(3)12.5％(4)11.1％。 電壓調整率=(VNF-VFC)/VFC×100%=(9-8)/8×100%=12.5%。 675.(3) 電晶體共射極放大器加入射極電阻而不加旁路電容器則 可(1)輸出阻抗不變(2)降低輸出阻抗(3)提高輸入阻抗 (4)降低輸入阻抗。 　　　　　共射極加RE不加旁路電容，Ri=hie+(1+hfe)RE，故提高 　　　　　輸入阻抗。 676.(4) 當溫度升高時，基∼射極間之電阻將(1)上升(就PNP而 言)(2)上升(就NPN而言)(3)保持不變(4)下降。 　　　　　電晶體為負溫度係數，溫度升高，故B-E極電阻下降。 677.(2) 穩定性高的電晶體電路，其穩定因數(S)(1)大(2)小(3) 小於1(4)不一定。 穩定性高的電晶體，穩定因數小。

32. 678.(1) 兩電容器之電容量與耐壓分別為10μF/100V與 20μF/200V，串聯後總耐壓為(1)150V(2)100V(3)200V (4) 300V。 Q=CV，電容串聯Q相等，C1/C2=V2/V1，C1壓降C22倍，C1耐 　　　　　壓為100V，C2壓降為50V，故100V+50V=150V。 679.(3) 有一共集極放大器的負載電阻為1KΩ，電晶體的β增益 (或hfe)值為100，試估計放大器的輸入阻抗值大約為(1) 10Ω(2)1KΩ(3)100KΩ(4)1MΩ。 Ri=hie+(1+hfe)RL≒(1+hfe)RL =(1+100)×1K=101K≒100KΩ 680.(2) 加強型MOS FET之洩極與源極(1)相通(2)不通(3)視通道 種類而定(4)視材質種類而定。 加強型MOS FET與空乏型MOS FET不同之處為加強型洩極 與源極間無預置通道。 681.(2) 在共射極放大器中，通常集極電流IC隨著基極電流IB的 增加而(1)穩定的增加(2)先穩定增加，然後趨於飽和(3) 先增加再降下(4)無關連。

33. 先穩定增加(處於順向工作區) ，然後趨於飽和(處於飽 和區)。 682.(4) 如左圖假設電晶體為矽晶體其β=100，VCE 之電壓為(1)1V(2)0.8V(3)0V(4)接近0V。 電晶體處於飽和，VCE=0.2V。 683.(2) 溫度變化時，穩定度最佳的偏壓方法是(1)固定偏壓(2) 基極分壓射極自偏壓(3)漏電偏壓(4)射極接地偏壓。 684.(4) 放大器之輸出阻抗將因負回授而(1)必然增大(2)必然減 小(3)不受回授影響(4)視回授方式而定。 685.(4) 某一電台，其電波波長為60公尺,則其電波頻率約為(1) 300KHz(2)500KHz(3)3000KHz(4)5000KHz。 c=fλ，f=c/λ=3×108/60=5000000=6000KHz。 686.(3) 電感電阻串聯電路，其時間常數為(1)RL(2)1/RL(3) L/R (4) R/L。 τ=L/R。

34. 687.(3) 如圖RE的功用是(1)反交連(2)交流負回授 (3)穩定直流工作特性(4)減小輸入阻抗。 RE具有負回授特性，增加穩定度，降低失真，增加頻 　　　　　寬，但降低增益。 688.(2) 一系統總增益之分貝(dB)數系統總增益分貝(dB)值之(1) 積(2)和(3)平均值(4)平方和。 系統總增益為系統各增益之積，總增益之分貝系統各增 益分貝之和。 689.(4) 如圖中Q1與Q3構成何種連接(1)CE連接(2)BC 連接(3)限流裝置(4)達靈頓連接。 690.(4) 電容量為C法拉之電容器，若有Q庫侖電荷，則所儲蓄之 能量(焦耳)為(1)1/2CQ2(2)1/2‧CQ(3)1/2‧Q/C(4) 1/2‧Q2/C。

35. 691.(4) 輸出阻抗最高的電路組態是(1)共射極(2)共集極(3)共 源極(4)共基極。 Ro:CB>CE>CC，Ri:CC>CE>CB。 692.(2) 當電容器瞬間充電時，其兩端的電壓為(1)立即改變(2) 不立即改變(3)恆為外加電壓的0.368 倍(4)即刻增為一 半之外加電壓值。 電容充電需要時間，兩端電壓不立即改變。 693.(1) 達靈頓連接之優點下列何者為正確(1)由射極可獲得低 輸出阻抗(2)由射極可得高輸出阻抗(3)由基極可得低輸 出阻抗(4)電壓增益極高。 達靈頓之優點為高輸出阻抗(基極)，低輸出阻抗(射 極)，極高電流增益。 694.(4) 倒相電路的種類大致上有三種，下列何者為誤(1)C-E倒 相(2)變壓器倒相(3)矩陣串聯倒相(4)C-C倒相。 C-C無倒相。

36. 695.(3) 振盪電路使用的電容器規格最好是(1)有正溫度係數的 電容(2)有負溫度係數的電容(3)零溫度係數的電容(4) 正負不定的溫度係數電容。 以免溫度影響振盪頻率。 696.(1) 左圖此種失真情況稱為(1)交越失真(2) 相位失真(3)中頻失真(4)高頻失真。 697.(2) 如圖為一個(1)二進位計數器(2)D正反器 (3)J-K正反器(4)T正反器。 J=K=0，Q不變，J=0，K=1，Q=0，J=1，K=0，Q=1， J=K=1，Q轉態。 698.(3) 若某一R.L.C串聯諧振電路之自然諧振頻率為 1.1MHz，而外加1MHz信號源電壓，則此電路呈(1)電阻 性(2)電感性(3)電容性(4)壓電效應。 ZL=2πfL，ZC=1/2πfC，外加低頻率信號，ZL下降，ZC上 升，故呈電容性。

37. 699.(3) 若下圖電路之RC時間常數為40ms，則電容量應為 (1)3μF(2)4μF(3)5μF(4)8μF。 RT=10K〃40K=10K×40K/(10K+40K) =8KΩ，τ=RTC=40ms=8K×C，C=5uF。 700.(4) 求下圖電路之輸出電壓為若干？(1) 正電壓(2)零電位(3)無限大(4)負電 位。 R1=R3，R2=R4，Vo=R2/R1×(V2-V1)= 50K/10K×(-1.3-0.7)=5×(-2)=-10V，故為負電壓。 701.(4) 若示波器測得之某調幅波如下圖所示，其調變百分率為 (1)40%(2)50%(3)60%(4)80%。 調變百分率=(Emax-Emin)/(Emax+Emin)×100% =(18-2)/(18+2)×100%=0.8×100%=80%。

38. 702.(1) UJT之觸發電壓(Vp)隨電源電壓(VBB)之上昇而(1)增加(2) 下降(3)不變(4)不一定。 703.(2) 求下圖電路中Rz為若干(1)50Ω(2)100Ω(3)200Ω(4) 300Ω。 VZ=10V，IL=10/1K=10mA，流過RZ電流I=10m+10m=20mA， RZ=(12-10)/20m=0.1K=100Ω。 704.(3) 圖中，若VCE =10V，則 RL應為(1)20K(2)17K(3)7K (4)3KΩ。 RB=82K〃18K=14.76K， VB=20×18K/(82K+18K)=3.6V， VE=3.6-0.7=2.9V≒3V， IE=3/3K=1mA≒IC， RL=(20-10-3)/1m=7KΩ。

39. 705.(2) 若一交流電壓，加於一電阻與電容並聯之阻抗兩端，則 流入阻抗之電流相位較電壓為(1)落後(2)領前(3)相同 (4)視頻率而定。 該阻抗為電容抗，電流相位領前電壓相位。 706.(4) 圖中電流Ｉ為若干？(1)４Ａ (2)0.3Ａ(3)0.2Ａ(4)0Ａ。 圖為平衡電橋，VAB=0，I=0。 707.(3) 若某放大器的輸出電流隨輸入電壓成正比例變化者稱為 (1)電壓(2)電流(3)互導(4)互阻 放大器。 互導增益=輸出電流/輸入電壓。 708.(3) 若一電阻之色碼為"橙白黑橙棕"則此電阻之阻值應為(1) 3.9kΩ(2)39kΩ(3)390kΩ(4)3.9MΩ。 390×103±1%=390KΩ。 709.(2) 鉭質電容器之兩極導線，較短之一端為(1)正極(2)負極 (3)不一定(4)依廠商之設計。

40. 710.(2) 鑽孔時，鑽頭之轉速須依工作物硬度來決定，工作物愈 硬，則轉速應(1)愈快(2)愈慢(3)先快後慢(4)先慢後 快。 711.(1) 台灣電力公司之110V電壓為(1)有效值(2)平均值(3)最 大值(4)峰對峰值。 712.(2) 若10Ω電阻器與容抗20Ω電容器及感抗30Ω電感器串 聯，則其電路總阻抗為(1)10Ω(2) (3)20Ω(4) 60Ω。 ZT=R+j(XL-XC)，ZT2=R2+(XL-XC)2=102+(30-20)2=200， ZT= 。 713.(1) 半波整流電路之輸出直流電壓為(1)Vm/π(2)2Vm/π(3) π/2Vm (4)Vm。 714.(3) 若並聯諧振電路其諧振頻率為100MHz，Q值為200，則其 頻帶寬為若干？(1)10MHz(2)1MHz(3)500KHz(4) 200KHz。 F=BW×Q，BW=F/Q=100M/200=500KHz。

41. 715.(2) 瓦特是(1)能量(2)功率(3)阻抗(4)互導之物理量單位名 稱。 716.(2) 若一10μF之電容器與100KΩ之電阻器串聯以1μA 之定 電流充電10秒，則其時間常數為(1)0.1秒(2)1秒(3)10 秒(4)100秒。 Τ=RC=100K×10u=100×103×10×10-6=1S 717.(2) 高頻放大電路中和電容器的作用(1)提高增益(2)防止寄 生振盪(3)產生諧振(4)減小通頻寬度。 718.(4) 樞密特觸發電路能轉換何種波形為方波？(1)正弦波(2) 三角波(3)鋸齒波(4)任何週期性。 樞密特觸發器之電晶體工作在飽和區與截止區，一端為 ON。一端為OFF，故能將任何週期性波形轉換成方波。 719.(2) NFB型音質控制電路所使用之可變電阻器宜採用(1)A型 (對數型)(2)B型(直線型)(3)C型(4)D型。 720.(2) 動圈式(MC)唱頭輸出電壓約為(1)3mV左右(1)20μV左右 (3)0.1V∼1V(4)150mV∼250mV。

42. 721.(2) 以變壓器交連的Ａ類功率放大器之效率最高可達到(1) 25%(2)50%(3)60%(4)78.5%。 　　　　　Ａ類效率為25%，利用變壓器交連可達50%。 722.(1) OTL電路調整互補推動級的順向偏壓是在調整(1)靜態電 流及交叉失真(2)中點電壓(3)高音音質(4)低音音質。 723.(3) 靜態電流太大或太小會引起交叉失真，所以SEPP電路均 採用(1)A類放大(2)B類放大(3)AB類放大(4)C類放大。 724.(4) 與LC型濾波器比較，下列那項特性不屬於陶瓷濾波器的 特性？(1)插入損失較小(2)形狀及尺寸較小(3)無調整 部份，可大量生產(4)靈敏度高。 725.(2) 輸出音量在-20db∼0db 的為何種接頭？(1)MIC(2)AUX (3)DIN(4)REMOTE。 726.(1) 調頻的頻率偏移與信號波幅成(1)正比(2)反比(3)無關 (4)倒相。 727.(1) 波長λ頻率f.及光速C三者間之正確關係為(1)C=f‧λ (2)C=f/λ(3)λ=f‧C(4)C=λ/f。

43. 728.(2) 儲存於電感中之磁場能量為(1)1/2·LE2(2)1/2·LI2(3) 1/2·L2I(4)1/2·L2E。 GL=1/2·LI2，GC=1/2·CV2。 729.(3) 有關電晶體常數β等於 (1)IC/IE(2)IB/IE(3)IC/IB(4)α/(1+α)。 β=IC/IB= α/(1-α)。 730.(2) 當串聯諧振電路的外加電壓頻率高於諧振頻率，此電路 呈何種性質(1)電容性(2)電感性(3)電阻性(4)與頻率無 關。 　　　　　如同698題，外加頻率高於諧振頻率為電感性，外加頻 　　　　　率低於諧振頻率為電容性。 731.(2) I3=(1)2A(2)200mA(3)20mA(4)150mA。 I3=5/(15+10)=5/25=200mA。

44. 732.(2) ZD=6V則Vo=(1)13∼14V(2)5.5V∼5.3V (3)6.5∼6.7V(4)13∼20V。 Vo=6-0.7V=5.3V，故選擇(2)。 733.(2) 以50KΩ/V內阻特性之三用電表DC10V檔測 量則電表之指示值為(1)5V(2)3.3V(3) 10V(4)2V。 50KΩ/V×10V=500KΩ，500KΩ〃500KΩ =500K×500K/(500K+500K)=250KΩ， 10V×250K/(500K+250K)=3.3V。 734.(1) 下圖最大容許輸入電壓為(1)600V(2)200V(3)340V(4) 260V。 電容之容量與耐壓均相等， 串聯耐壓相加，故為600V。

45. 735.(4) 下圖當RC>>Ｔ時，輸出端波形為數(1) (2) (3) (4) 。 圖為積分器(低通)，故輸出為(4)。 736.(1) RC移相振盪器所產生之波形為(1)正弦波(2)三角波(3) 脈衝波(4)鋸齒波。 737.(2) 一電晶體之β=10則α=？(1)0.9(2)0.909(3)0.99(4) 1.1。 α=β/(1+β)=10/11=0.909。 738.(2) 可變電容二極體一般應用在下列那一電路中(1)AGC(2) AFC(3)ACK(消色電路)(4)ARC(穩壓電路)。 　　　　　可變電容二極體須加逆向偏壓，偏壓愈大，電容愈小， 　　　　　故多用在有關頻率控制方面。 739.(1) 下圖變壓器N1=100T，N2=10T則輸出端Vp-p=(1) (2)11(3) (4) 。 Vp-p=110×10/100×2×1.414。

46. 740.(4) 測量電晶體之順向偏壓VBE若超過0.8V則電晶體(1)工作 於飽和區(2)工作於截止區(3)工作於放大區(4)已破 壞。 電晶體VBE工作電壓只有0.7V，超過0.8V則電晶體已破 壞。 741.(2) 矽晶體之電流增益，受溫度影響較鍺晶體(1)大(2)小(3) 一樣(4)不一定。 742.(2) 電壓與電流若為異相時，其意義是(1)電壓引前電流(2) 電壓引前或落後電流(3)電流引前電壓(4)兩者相差 90°。 743.(2) 輸出阻抗最低的電路組態是(1)共射極(2)共集極(3)共 源極(4)共基極。 Ri:CC>CE>CB，Ro:CB>CE>CC。 744.(3) 放大器內採用RC交連其主要之缺點下述何者為誤(1)電 阻性負載損失功率大(2)前後級間輸出入阻抗不易匹配 (3)效率高(4)低頻會受到限制。 RC交連放大器之效率不如變壓器交連。

47. 745.(2) 左圖中輸入之波形為 試問ＯＵＴ 端應為何種波形？(1) (2) (3) (4) 。 CE電路具有輸入與輸出相位1800，故選擇(2)。 746.(1) 根據下圖，當e1=e2且Vo=0，RL1與RL2之阻值應(1)相等 (2)相差10倍(3)相差20倍(4)相差30倍。 　　　　　基本差動放大器採對稱性，如e1=e2， 　　　　　則Vo=0，故RL1與RL2相等。 747.(2) 上圖為一差動放大之電路若e1輸入電壓與e2相等RL1≠RL2 ，C1與C2間電壓增益為(1)無增益(2)視RL1，RL2而定 (3)e1的五倍(4)e2的十倍。 RL1≠RL2，IC1=hfeIB1=hfeIB2=IC2，Vo1=RL1IC1， Vo2=RL2IC2，AV1=Vo1/e1=RL1IC1/e1， AV2=RL2IC2/e2=RL2IC2/e1，AV1-AV2=(RL1-RL2)IC1/e1， 故視RL1，RL2而定。

48. 748.(1) 當電晶體溫度增加時，則基射極電壓(1)減少(2)增加(3) 先增加後減少(4)不變。 749.(1) 鍺二極體作為檢波器較矽二極體優，係因(1)順向電壓 低(2)內阻小(3)頻率反應佳(4)雜波小。 750.(3) 佛來銘右手定則中，食指所指的方向表示(1)電子方向 (2)電子流方向(3)磁力線方向(4)導體運動。 佛來銘右手定則中，姆指為力的方向，食指磁力線方 向，中指為電流方向。 751.(2) 推挽式放大器可減少(1)奇數諧波失真(2)偶數諧波失真 (3)偶數及奇數諧波失真(4)直流成份失真。 推挽式放大器可減少偶數諧波失真。 752.(3) 電晶體如當作線性放大器時要工作在(1)飽和區(2)截止 區(3)動作區(4)飽和或截止區。

49. 753.(2) 下圖中之電路偏壓與電流求其IB為若干(1)50mA(2)94μA (3)10mA(4)20μA。 IB=[0-0.7-(-12)]/120K=11.3/120K ≒0.0942mA=94uA。 754.(3) 上圖中之電路試求其IC為多少(1)2mA(2)10mA(3)5.6mA (4)60mA。 IC=βIB=60×94uA≒5.6mA。 755.(2) 串聯諧振時電感與電容上之電壓(1)大小相等，方向相 同(2)大小相等，方向相反(3)大小不等，方向相同(4) 大小不等，方向相反。 756.(4) 對於放大器的頻率響應；下列有那些因素比較不會構成 限制(1)輸入電容(2)輸入電阻(3)輸出電容(4)偏壓電 阻。

50. 757.(1) 三種配置的放大器中，何者雜音最大？(1)共射極放大 器(2)共基極放大器(3)共集極放大器(4)不一定。 CB:AV最高，AI≒1，CC:AV≒1，AI最高，CE:AV中高，AI 　　　　　中高，AP最高，故雜音最大。 758.(2) 一個放大器的電流增益是10，電壓增益是100，則功率 增益為(1)20dB(2)30dB(3)40dB(4)60dB。 AP=10×100=1000，AP(dB)=10log1000=10×3=30dB。 759.(3) 下列有關Q值與其BW之間的關係何者是正確的(1) BW=Qfr(2)fr=Q/BW(3)fr=Q×BW(4)BW=Q/fr。 760.(3) 射極接一旁路電容主要功用在(1)交連前一級信號(2)負 回授(3)提高增益(4)雜訊消除。 射極電阻因負回授降低增益，接旁路電容為提高增益。 761.(4) 在一擴大器電路中，欲彌補唱片或錄音帶在錄製過程的 頻率特性，線路中應具有(1)AVC(2)WOW(3)DOLBY(4) RIAA或NAB。 唱片或錄音帶錄製過程會將低頻衰減和高頻提升，故需 要等化電路或負回授高低音控制電路(RIAA或NAB)。