MEMORIAS

1. MEMORIAS

2. MEMORIA RAM MEMORIA ROM

3. MEMORIA RAM (random access memory) memoria de accesoaleatorio Es la memoria desde donde el procesadorrecibe las instrucciones y guarda los resultados. Es el área de trabajo para la mayor parte del software de un computador.

4. ALGO DE HISTORIA TECNOLOGIAS TIPOS DE MODULOS DE RAM COMO ES SU FUNCIONAMIENTO

5. Porque se denomino acceso aleatorio? • Uno de los primeros tipos de memoria RAM fue la memoria de núcleo magnético, desarrollada entre 1949 y 1952 y usada en muchos computadores hasta el desarrollo de circuitos integrados a finales de los años 60 y principios de los 70. • En 1969 Intel lanzo las primeras memorias RAM basadas en semiconductores de silicio con el integrado 3101 de 64 bits de memoria. • En 1970 se presento una memoria DRAM de 1 kilobit ref. 1103, la primera en ser comercializada con éxito.; lo que significó el principio del fin para las memorias de núcleo magnético. • En 1973 se presentó una innovación que permitió otra miniaturización y se convirtió en estándar para las memorias DRAM: la multiplexación en tiempo de la direcciones de memoria. • MOSTEK lanzó la referencia MK4096 de 4Kb en un empaque de 16 pines, mientras sus competidores las fabricaban empaque DIP de 22 pines. • Para finales de los 70 los integrados eran usados en la mayoría de computadores nuevos.

6. entonces se idearon los primeros módulos de memoria como el SIPP, aprovechando las ventajas de la construcción modular. • El formato SIMM fue una mejora al anterior, eliminando los pines metálicos y dejando unas áreas de cobre en uno de los bordes del impreso, muy similares a los de las tarjetas de expansión, de hecho los módulos SIPP y los primeros SIMM tienen la misma distribución de pines. • A finales de los 80 dejaron rezagadas a las memorias DRAM con el esquema original MOSTEK, de manera que se realizaron una serie de mejoras en el direccionamiento como las siguientes: • FPM-RAM (Fast Page Mode RAM) . Se fabricaban con tiempos de acceso de 70 ó 60 ns y fueron muy populares en sistemas basados en el 486 y los primeros Pentium. Velocidad 200 Mbps • EDO-RAM (Extended Data Output RAM) Lanzada en 1995 y con tiempos de accesos de 40 o 30ns suponía una mejora sobre su antecesora la FPM. Velocidad 320 mbps • BEDO-RAM (Burst Extended Data Output RAM) Fue la evolución de la EDO RAM y competidora de la SDRAM, fue presentada en 1997. 533 MB/s hasta 1066 MB/s

7. Las tecnologías de las memorias RAM se dividen en dos grandes grupos: SDRAM DRAM Este tipo de memoria tienen la característica de que deben ser "refrescadas" constantemente. Esto significa que una vez escrita en ellas la información, la pierden rápidamente. Por lo que debe utilizarse un sistema (de refresco) que lea el contenido y vuelva a escribirlo.  Este proceso se repite constante y automáticamente durante el funcionamiento del ordenador.  conservan su contenido indefinidamente (mientras se mantenga la alimentación de energía), por lo que solo deben ser reescritas nuevamente cuando se desee cambiar su contenido.

8. SIMM DIMM DDR DDR2 DDR3

9. MEMORIA SIMM SIMM o Single in-line Memory Module (módulo de memoria en línea simple) Pequeña placa de circuito impreso con varios chips de memoria integrados, chips de memoria independientes que se instalaban directamente sobre la placa base. Los SIMM están diseñados de modo que se puedan insertar fácilmente en la placa base de la computadora, y generalmente se utilizan para aumentar la cantidad de memoria RAM. capacidades (4Mb, 8Mb, 16Mb...) y con diferentes velocidades de acceso. En un principio se construían con 30 contactos y luego aparecieron los de 72 contactos. Fueron muy populares desde principios de los 80 hasta finales de los 90, el formato fue estandarizado por JEDEC bajo el número JESD-21C. - Tiene un voltaje de alimentacion de 5 V

10. PARTES DE LA MEMORIA SIMM 1.- Tarjeta: es una placa plástica sobre la cuál están soldadas los componentes de la memoria. 2.-Chips: son módulos de memoria volátil. 3.- Conector (30 terminales): base de la memoria que se inserta en la ranura especial para memoria SIMM.

11. MEMORIA DIMM DIMM o de Dual In-line Memory Module, (módulo de memoria en línea doble). Hace referencia a su sistema de comunicación con la placa base, que se gestiona en grupos de datos de 64 bits, en contraposición con los módulos SIMM (Single In-line Memory Module, módulo de memoria en línea simple), que usan una vía simple y sólo transfieren 32 bits de datos cada vez. • 168 contactos en sus conectores de anclaje con la placa base; también suele ser habitual disponer de cuatro o más conectores, pudiendo utilizarse uno o varios de ellos, mientras que los módulos SIMM deben ir por parejas, además de tener anclajes incompatibles, que son de 30 o 72 contactos. Esto determina que la mayoría de las placas base puedan utilizar módulos de uno u otro tipo, pero no ambos. • Capacidad de memoria: de 64, 128, 256 y 512 MB (megabytes) y de 1, 2 o más gigabytes. - 3.3 v • Velocidades de bus: 66 MHz, 100 MHz, 133 MHz

12. MEMORIA DDR Los módulos DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) Son comúnmente conocidas como DDR, similares a las anteriores pero tienen 184 contactos y mejores prestaciones. Las más comunes son: • - DDR266 (PC2100): Frecuencia de trabajo de 266 MHz y transferencia de datos de 2,1 GB/s. • - DDR333 (PC2700): 333 MHz y 2,7 GB/s • - DDR400 (PC3200): 400 MHz y 3,2 GB/s • - DDR533 (PC4200): 533 MHz y 4,2 GB/s (DOBLE TASA DE CAMBIO) Esto indica que la memoria es capaz de procesador el doble de datos por cada ciclo de reloj. Por eso se dice que una memoria DDR con 133MHz trabaja como si fuera a 266MHz, ahí se ve esa doble capacidad de trabajo. - Tiene un voltaje de alimentacion de 2,2 v

13. MEMORIA DDR 2 Los módulos DDR2 son capaces de trabajar con 4 bits por ciclo, es decir 2 de ida y 2 de vuelta en un mismo ciclo mejorando sustancialmente el ancho de banda potencial bajo la misma frecuencia de una DDR SDRAM tradicional (si una DDR a 200 MHz reales entregaba 400 MHz nominales, la DDR2 por esos mismos 200 MHz reales entrega 800 MHz nominales). • 240 contactos • Velocidad de bus 533MHz, 800MHz, 1024MHz • Tiene un voltaje de alimentacion de 1,8 v

14. MEMORIA DDR3 Proviene de ("Dual Data Rate 3"), lo que traducido significa transmisión doble de datos tercer generación: son el mas moderno estándar, un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cuáles tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 240 terminales para ranuras de la tarjeta principal. • Tiene un voltaje de alimentación de 1,5 V

15.  Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son básicamente los siguientes: 1.-  Tarjeta: es una placa plástica sobre la cuál están soldadas los componentes de la memoria. 2.-Chips: son módulos de memoria volátil. 3.- Conector (240 terminales): base de la memoria que se inserta en la ranura especial para memoria DDR2. 4.- Muesca: indica la posición correcta dentro de la ranura de memoria DDR3.

16. COMO DIFERENCIAR FISICAMENTE ENTRE DDR,DDR2 Y DDR3

17. ? • Es la parte dónde se ejecutan los programas, los datos son leídos desde el disco duro, es almacenado en la RAM y posteriormente procesado por la CPU del ordenador.

18. ¿Qué memoria tengo que instalar en mi ordenador si quiero ampliar? Esto depende de las capacidades de la placa base. Lo ideal es acudir al manual de la placa (un librito que nos debieron entregar al comprar el ordenador) y verificar las características. Ahí pondrá qué tipo de memorias se deben poner y de qué velocidad.

19. MEMORIA ROM Es una memoria de sólo lectura que se programan mediante máscaras. Es decir, el contenido de las celdas de memoria se almacena durante el proceso de fabricación para mantenerse después de forma irrevocable.

20. CARACTERISTICAS • 1. Alta densidad: la estructura de la celda básica es muy sencilla y permite altas integraciones. • 2. No volátiles: el contenido de la memoria permanece si se quita la alimentación. • 3. Coste: dado que la programación se realiza a nivel de máscaras durante el proceso de fabricación, resultan baratas en grandes tiradas, de modo que el coste de fabricación se reparte en muchas unidades y el coste unitario es baja. • 4. Sólo lectura: únicamente son programables a nivel de máscara durante su fabricación. • Su contenido, una vez fabricada, no se puede modificar.

21. USO Se usa para almacenar información vital para el funcionamiento del sistema: en la gestión del proceso de arranque, el chequeo inicial del sistema, carga del sistema operativo y diversas rutinas de control de dispositivos de entrada/salida suelen ser las tareas encargadas a los programas grabados en ROM. Estos programas forman la llamada BIOS (Basic Input Output System). Junto a la BIOS se encuentra el chip de CMOS donde se almacenan los valores que determinan la configuración hardware del sistema, como tipos de unidades, parámetros de los discos duros, fecha y hora del sistema... esta información no se pierde al apagar la computadora. Estos valores se pueden modificar por medio del SETUP.

22. TIPOS DE MEMORIA ROM

23. PROM (programmable read only memories) Memoria de solo lectura programable. Tipo de memoria que puede ser programada una sola vez a través de un programador PROM. Están compuestas de fusibles (o antifusibles) que sólo pueden ser quemados una vez. Estas memorias son programables se entregan vírgenes al programador, este mediante un dispositivo especial las programará grabando en ellas los datos que considera de interés para su trabajo, o para su uso personal. El proceso de programación es destructivo: una vez grabada, es como si fuese una ROM normal, o sea, una vez que la memoria sea programada no podrá ser alterada nuevamente. Para conseguir que la información que se desea grabar sea inalterable, se utilizan dos técnicas: Por destrucción de fusible o por destrucción de unión.

24. Las memorias PROM se subdividen en sí, en EPROM y RPROM. MEMORIA EPROM Se trata de una memoria PROM, de la que se puede borrar la información mediante rayos ultravioleta. Para esta operación es necesario que el circuito integrado disponga de una ventana de cuarzo transparente a los rayos ultravioleta. El tiempo de exposición a los rayos ha de ser corto, pero variable según el constructor. Una vez borrados los datos de la EPROM, se necesita disponer de un grabador especial para introducir nuevos datos.

25. MEMORIA RPROM Estas memorias utilizan transistores MNOS (metal nitruro óxido sílicio) por lo que se borran eléctricamente si se aplican a las entradas unos valores de tensión oportunos. Para el borrado de las memorias RPROM, como para la programación, se necesita un programador especial.