150 likes | 375 Views
Оборудование, используемое при реализации образовательных программ подготовки магистров в области проектирования и производства СБИС с топологическими нормами 90 нм. САПР компании Synopsys. Sentaurus Lithography. Optical EUV PWA E-beam.
E N D
Оборудование, используемое при реализации образовательных программ подготовки магистров в области проектирования и производства СБИС с топологическими нормами 90 нм
САПР компании Synopsys Sentaurus Lithography Optical EUV PWAE-beam УМК -Компьютерное моделирование процессов фотолитографии: Тема 1. Факторы, влияющие на формирование изображения в процессефотолитографической проекции. Тема 2. Математические модели формирования фотолитографического изображения. Тема 3. Методы оптической коррекции в фотолитографии. Тема 4. Калибровка модели фоторезиста.
Измерительное оборудование Agilent, Tektronix Высокочастотная зондовая установка Cascade УМК - Особенности контроля технологических операций и межоперационного контроля СБИС Лабораторные работы: 1.«Тестовые структуры для контроля микро- и наноструктур в производстве СБИС». 2. «Контроль электрофизических параметров тестовых структур в производстве СБИС, анализ результатов контроля». УМК - Особенности создания тестовых структур СБИС Лабораторные работы: 1. «Методы контроля заряда в МОП-структуре». 2. «Исследование МОП-структур с поликремниевым затвором». 3. «Исследование МОП-структур с металлическими затворами». 4. «Исследование МОП-структур с силицидными затворами».
Программный пакет приборно-технологического моделирования Synopsys (лицензия A-2007.12), США УМК - Технология спецсхем Лабораторные работы: 1. «Расчет напряжения пробоя элементов интегральных схем с использованием системы приборно-технологического моделирования TCAD». 2. «Расчет пробивного напряжения p-n-перехода с плавающими кольцами». 3. «Исследование латерального двухколлекторного биполярного магниточувствительного транзистора средствами программ TCAD».
Малогабаритная вакуумная установка МВУ ТМ-ТИС осаждения тонких пленок методом термического испарения металлов в вакууме, Россия УМК - Технологические процессы наноэлектроники Лабораторные работы: 1. «Методы контроля заряда в МОП-структуре». 2. «Исследование МОП-структур с поликремниевым затвором». 3. «Исследование МОП-структур с металлическими затворами». 4. «Исследование МОП-структур с силицидными затворами».
Установка плазмоактивируемого химического осаждения из газовой фазы «Corial D250», Франция УМК - Методы осаждения диэлектрических материалов Лабораторная работа: «Изучение процесса ПА ХОГФ пленок SiO2 и Si3N4, используемых в качестве пассивирующих покрытий ИС».
Программно-аппаратный комплекс моделирования в среде TCADПлатформа TCAD Sentaurus Synopsys, v. E2011.09 УМК - Моделирование технологических процессов и наноразмерных структур Лабораторные работы: 1. «Приборно-технологическое моделирование параметризованных транзисторных структур с проектными нормами 90 нм». 2. «Моделирование технологических процессов с применением лазерного отжига». 3. «Приборное моделирование транзистора с плавниковой структурой (FinFET)». 4. «Приборное моделирование запоминающей ячейки».
Программно-аппаратный комплекс моделирования в среде TCADПлатформа TCAD Sentaurus Synopsys, v. E2011.09 УМК - Базовая КМОП-технология Лабораторные работы: 1. «Базовый маршрут формирования КМОП-транзисторов с проектными нормами 90 нм. Одномерное моделирование». 2. «Базовый маршрут КМОП-транзисторов с проектными нормами 90 нм. Двумерное моделирование». 3. «Создание проекта базового маршрута в среде SWB». 4. «Моделирование параметризованного базового маршрута формирования КМОП-транзисторов с проектными нормами 90 нм».
Программные пакеты САПР Cadence УМК – Проектирование низкочастотных аналоговых ИС с топологическими нормами 90 нм УМК – Проектирование блоков цифровых наноразмерных ИС УМК – Проектирование топологии КМОП АИС с наноразмерными элементами УМК – Проектирование и верификации СФ-блоков
Малогабаритная вакуумная установка настольного типа МВУ ТМ Плазма-РИТ реактивно-ионного травления УМК - Внутриуровневые и межуровневые диэлектрики многоуровневой металлизации СБИС
Электронно-ионный микроскоп Helios NanoLab 650, Голландия УМК - Методы диагностики наноразмерных элементов и структур Лабораторные работы: 1. «Исследование и диагностика геометрии наноразмерных структур СБИС методами растровой электронной микроскопии». 2. «Химический рентгеноспектральный микроанализ». 3. «Анализ и препарирование наноразмерных структур СБИС с применением ионного пучка».
Зондовая установка Cascade Microtech PM5 Probe System УМК – Особенности контроля технологических операций и межоперационного контроля СБИС
Эллипсометр HORIBA Jobin Ivon Auto Se System УМК – Особенности контроля технологических операций и межоперационного контроля СБИС