دانشگاه آزاد اسلامي واحد كرج

1. دانشگاه آزاد اسلامي واحد كرج

3. پایان نامه های كارشناسي ارشد

4. گروه : علوم پايه

5. رشته تحصيلي : اتمي حالت جامد

6. ( 85/11/29 ) بررسي اثر کاشت يون co2 روي سيليکون

7. نام و نام خانوادگي دانشجو : سعيد قرباني ، شماره دانشجويي : 84324015975

8. به راهنمايي :محمود قرآن نويس • چكيده: • درابتدا مقدمه اي براهميت آلاينده کردن جامدات به خصوص نيمه هادي ها عنوان شده است، و ضمن معرفي روش کاشت يوني در سطح و تاريخچه مختصري از آن، روش کار در اين تحقيق آورده شده است.در فصل اول مقدمه اي از نفوذ، سپس کاشت يوني با ارائه مباحث پيرامون آن از قبيل، چگونگي توقف و توزيع يون، پديده کانال زدن، آسيب شبکه، ترميم حرارتي شرح داده شده است.فصل دوم مربوط به کربيدسيليکون (SiC) است. که تاريخچه آن، خواص بسيار ممتاز اين نيمه هادي و کاربردهاي آن در علم روز بطور مفصل توضيح داده شده است.در فصل سوم، کليه دستگاههاي آناليز استفاده شده در اين کار ذکر شده است. فصل چهارم، نتايج حاصل از آناليز دستگاهي مورد استفاده قرار گرفته است، اين فصل شامل مراحل مختلف کار و آزمايشهاي انجام گرفته اعم از مرحله معرفي نمونه و آماده سازي آن، کاشت يون دي اکسيد کربن در سيليکون با انرژي keV29 و دزهاي مختلف و بدون باز پخت است. انجام آناليز اسپکتروفوتومتري به منظور مطالعه تغييرات خواص اپتيکي و آناليز AFM جهت مشاهده توپوگرافي سطح و بررسي زبري سطح و تغييرات حاصل از کاشت يوني روي آن و آناليز XRD به منظور مشاهده تغييرات حاصل از شبکه و تغييرات اندازه دانه و اثر کاشت و احتمال تشکيل فاز کريستالي کربيد سيليکون (SiC) صورت گرفت. آناليزهاي رامان و طيف سنج اشعه مادون قرمز براي تأييد آناليز XRD مورد استفاده قرار گرفتند. و همچنين تعيين مقاومت سطحي ماده توسط دستگاه پروب چهارنقطه اي در اين تحقيق ضروري به نظر مي رسيد که انجام شد.آناليزهاي رامان و طيف سنج اشعه مادون قرمز براي تأييد آناليز پراش اشعه x مورد استفاده واقع شد. در انتها عوامل تغييرات حاصله و تحليل داده ها را مورد بررسي و مطالعه قرار گرفت و در نهايت پيشنهادات لازم ارائه شده است. • نتايج نشان مي دهدكه در اثربمباران سيليكون توسط يون هايي كه از پلاسماي گاز تشكيل شده اند،بطورمستقيم مي توان SiCتوليدكرد