NÍVEL DE INTEGRAÇÃO

2. Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si O O O O

3. NÍVEL DE INTEGRAÇÃO NÍVEL DE INTEGRAÇÃO DISPOSITIVOS/CHIP SSI 2 a 50 MSI 150 a 5.000 LSI 5.000 a 100.000 VLSI 100.000 a 10.000.000 ULSI 10.000.000 a 1.000.000.000 SLSI acima de 1.000.000.000

4. Contaminantes atuam como armadilhas ou cargas no óxido “METAL” PORTA ÓXIDO DE PORTA FONTE DRENO Contaminantes atuam como armadilhas, degradando tempo de vida e mobilidadeno canal TRANSISTOR MOS ALGUNS PROBLEMAS COM CONTAMINAÇÃO DEGRADAÇÃO DO DESEMPENHO - QUALIDADE DO ÓXIDO DE PORTA - TEMPO DE VIDA DOS PORTADORES DE CARGA

5. “METAL” PORTA ÓXIDO DE PORTA FONTE DRENO Contaminantes atuam como “pontos fracos”, degradando a rigidez dielétrica do óxido de porta DEGRADAÇÃO DA CONFIABILIDADE - RUPTURA DO ÓXIDO DE CAMPO - CONTATO RUIM

6. Defeito fatal no circuito DEGRADAÇÃO DO RENDIMENTO - UM ÚNICO DEFEITO PODE ARRUINAR TODO UM CIRCUITO

7. - PARTÍCULAS

8. C) JATO DE NITROGÊNIO  MAIS ADEQUADO  MAIS DIFÍCIL  PODE CONTAMINAR COM METAIS DA PINÇA MELHOR LIMPEZA? DEPENDE DA SUPERFÍCIE DA AMOSTRA

14. Fonte:FiberSystems International Vol.3 N.1 pg.29 February 2002

15. 1500 1400 1300 1200 Milhões de Usuários 1100 1000 900 800 700 600 500 400 300 200 100 0 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 2000 .....................2005 ....................2010 8 bits Uso pessoal 8/16 bits 16 bits 16bits 32 bits 32 bits 64 bits 128 bits 686 Alpha MIPS 10000 Pentium-pro Power PC620 486 Power PC 601 386 PS Micros a serem desenvolvidos APPLE PC PC XT PC AT Base Mundial de Computadores Micros multi-núcleos de 64 a 256 bits

16. 1E+13 1E+12 1E+11 1E+10 1E+09 1E+08 1E+07 1E+06 1E+05 1E+04 1E+03 1E+02 1E+01 1960 1965 1970 1975 1980 1985 1990 1995 2000 2005 2010 2015 2020 1E+00 Capacidade de Integração em Microeletrônica e Relógios Número de Componentes 1 Terabit RAM P 625MHz 100M com 64G RAM 16G RAM P 500MHz 50M. 4G RAM Proc. with 25M comp. 400 MHZ clock 1G RAM 2000 MHz clock 64M RAM 16M RAM 50 MHz clock 1M RAM 64K RAM Proc. 32 bits – 10MHz 16K RAM Proc. – 1MHz clock 1Kbit 1sr calculator , 1stProc. MSI – 100K Hz clock Ano

17. 0.35m as Dimensões mínimas adotadas na pastilha para os dispositivos eletrônicos 0.035m Redução de dimensões e tamanhos das pastilhas de silício Figura 3. Projeção a longo prazo da tendência de redução das dimensões dos dispositivos eletrônicos, contidos numa pastilha de silício associada com a tendência de aumento de área física dessas pastilhas para os próximos 70 anos