Modélisation et simulation de switchs MEMS RF pour applications hyperfréquence

1. Modélisation et simulation de switchs MEMS RF pour applications hyperfréquence Matériaux Dimensions Applications Objectifs Substrat : Si/SiO2 Diélectrique : Si3N4 Masses : Or Ligne : Or Membrane : Or Substrat : 500 µm Diélectrique : 0.4 µm Masses : 3 µm Ligne : 3 µm Membrane : 1 µm RADAR Antennes Fonctions logiques Déphaseurs Créer des modèles de simulation et analyser les résultats afin d’optimiser les modèles pour atteindre les contraintes fixés Le laboratoire MEMS @ TRT Réalisation de fonctions : ex. SPDT Packaging Fabrication et tests Simulations RF (HFSS), thermique (COMSOL) Conception 1 entrée 2 sorties Modèle Schéma équivalent Simulation Switch parallèle SiO2 Diélectrique Membrane à l’état haut Masse Masse Ligne centrale Membrane à l’état bas Modèle Simulation Schéma équivalent Switch série Masse Membrane à l’état haut Diélectrique Membrane à l’état bas Plot de membrane Masse Ligne centrale Suiveur ESIEE : Philippe BASSET Stage réalisé au sein de Thales Research & Technology par François MAILLARD Tuteur Thales : Eric MINOUX

2. Switch série Objectifs Créer des modèles de simulation et analyser les résultats afin d’optimiser les modèles pour atteindre les contraintes fixés Schéma équivalent Matériaux Dimensions Substrat : Si/SiO2 Diélectrique : Si3N4 Masses : Or Ligne : Or Membrane : Or Substrat : 500 µm Diélectrique : 400 nm Masses : 3 µm Ligne : 3 µm Membrane : 1 µm Modèle Masse Diélectrique Applications Plot de membrane RADAR Antennes Fonctions logiques Déphaseurs Masse Ligne centrale Membrane à l’état bas Membrane à l’état haut Membrane à l’état haut Membrane à l’état bas