TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN BỘ MÔN VẬT LÝ ỨNG DỤNG

1. QUANG PHỔ HỌC BIẾN ĐIỆU TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN BỘ MÔN VẬT LÝ ỨNG DỤNG GVTH: GS.TS LÊ KHẮC BÌNH HVTH: LÊ DUY NHẬT

2. Học liệu mở tiếng Việt: http://mientayvn.com/OCW/MIT/Vat_li.html

3. Những phép đo quang với cùng tính chất giống nhau là Biến điệu Biến điệu ngoài Biến điệu trong Phương pháp phổ học biến điệu quang phản xạ Phổ học biến điệu (Modulation Spectroscopy) _Điện phản xạ (Electroreflectance - ER) _Quang phản xạ (Photoreflectance - PL) _Từ phản xạ (Magnetoreflectance - MR) _Pizo phản xạ (Piezoreflectance) _Nhiệt phản xạ (Thermoreflectance -) _Biến điệu độ dài bước sóng tia tới _Biến điệu sự phân cực ánh sáng tới _Thay đổi vị trí trên mẫu … IoR + Io∆R Io Quang biến điệu IoT + Io∆T

4. Biến điệu yếu tố tác động Biến điệu với chu kì Biến điệu tia laser kích thích Không có laser Có laser Phương pháp quang phản xạ Hiệu ứng Frank - Keldysh Nguồn laser làm giảm điện trường bề mặt do sản sinh các cặp /eh trung hòa bớt các ion donor và các tâm bắt ở bề mặt.

5. Sự biến đổi của hệ số phản xạ R có liên hệ với sự nhiễu loạn của hàm điện môi ε = ε1 + iε2 Phương pháp quang phản xạ Các hệ số Seraphin So sánh giữa 3 loại phổ từ 0-6eV của GaAs . Ở trên: phổ phản xạ R (Philip and Ehrenreich 1963); Ở giữa: đạo hàm theo năng lượng của R (Sell and Owski 1970); Ở dưới: Phổ điện phản xạ (Aspnes and Studna 1973).

6. 1,4 eV 1,36 eV Hệ số α, βcủa GaAs (a) và InP (b) phụ thuộc vào năng lượng phôton. GaAs:α>β trong khoảng năng lượng từ 0-2.8 eV α<β ứng với năng lượng phôton lớn hơn 2.8 eV. InP: α>β trong khoảng năng lượng từ 0-3 eV α<β ứng với năng lượng phôton lớn hơn 3 eV. Tại năng lượng vùng cấm (1.42eV đối với GaAs và 1.36 eV đối với InP) α >> β. Hằng số điện môi dưới tác động của điện trường F:

7. Sự biến thiên hằng số điện môi: Với: F(x) và G(x) được gọi là các hàm quang điện không mở rộng Phương pháp quang phản xạ Với Ai, Bi A’I, B’i là các hàm Airy và các đạo hàm của chúng được tính từ biểu thức Dạng của hàm quang điện F(x) và G(x). Các thông số mô phỏng: Eg=1.344eV , Fs=4×106V/m, μ = 0.0655mo

8. Sự biến thiên hằng số điện môi: Với: F(x) và G(x) được gọi là các hàm quang điện không mở rộng Phương pháp quang phản xạ Với Ai, Bi A’I, B’i là các hàm Airy và các đạo hàm của chúng được tính từ biểu thức Dạng của hàm điện môiε2ứng với khi có (đường liền nét) và không có điện trường (đường đứt nét) của GaAs và InP.

9. Sự biến thiên hằng số điện môi: Sự biến thiên của hàm điện môi∆ε1, ∆ε2 Với: F(x) và G(x) được gọi là các hàm quang điện không mở rộng Phương pháp quang phản xạ Với Ai, Bi A’I, B’i là các hàm Airy và các đạo hàm của chúng được tính từ biểu thức

10. CẢM ƠN THẦY VÀ CÁC BẠN ĐÃ LẮNG NGHE Tài liệu tham khảo: [1] MÔ PHỎNG VÀ PHÂN GIẢI PHA PHỔ QUANG – PHẢN XẠ CỦA BÁN DẪN InP VÀ CẤU TRÚC ĐA LỚP DỊ THỂ AlXGa1-Xánh sáng/GaAs/GaAs – Phạm Thanh Tâm – Khóa luận tốt nghiệp. [2] TÀI LIỆU VẬT LÝ BỀ MẶT – PGS.TS Trương Kim Hiếu.