1 / 14

INF3400 Del 2 Teori

INF3400 Del 2 Teori. Enkel elektrisk transistor modell og introduksjon til CMOS prosess. MOS transistor i tverrsnitt. Halvleder Silisum:. pn overgang:. Transistor tverrsnitt:. pMOS transistor. nMOS transistor. Tverrsnitt av CMOS inverter. Akkumulasjon, deplesjon og inversjon.

cahil
Download Presentation

INF3400 Del 2 Teori

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript


  1. INF3400 Del 2 Teori Enkel elektrisk transistor modell og introduksjon til CMOS prosess

  2. MOS transistor i tverrsnitt Halvleder Silisum: pn overgang: INF3400 Grunnleggende digital CMOS

  3. Transistor tverrsnitt: pMOS transistor nMOS transistor

  4. Tverrsnitt av CMOS inverter

  5. Akkumulasjon, deplesjon og inversjon Under gaten: Deplesjon: Akkumulasjon: Inversjon:

  6. Enkel beskrivelse av MOS transistor Ubiasert: Lineært område: Biasert: Metning Lineært område

  7. Enkel MOS transistor modell • AV (cut off): Vgs < Vt, som betyr at gate source spenningen ikke er tilstrekkelig til at det blir dannet kanal. Ids = 0. • PÅ, lineært område: Vgs > Vt og 0 < Vds < Vgs –Vt, som betyr at det er dannet kanal som strekker seg fra drain til source. Transistoren er i det lineære området. • PÅ, metning: Vgs > Vt og Vds > Vgs –Vt, som betyr at det er dannet kanal på source siden, men ikke på drain siden. Transistoren er i metning.

  8. Enkel transistor modell: Ved kanal, vil gjennomsnittelig spenning over gate kapasitansen være: Gate kapasitansen er avhengig av arealet (kanalen), tykkelsen på det isolerende laget tox og permitiviteten til det isolerende laget: INF3400 Grunnleggende digital CMOS

  9. Gjennomsnittelig hastighet n til ladningsbærere i kanalen vil bli bestemt av det elektriske feltet E over kanalen og ladningsbærernes mobilitet m: Strøm mellom drain og source kan uttrykkes som den totale mengde ladning i kanalen dividert på tiden som behøves for å krysse kanalen: Det elektriske feltet er avhengig av spenningen over kanalen Vds og kanalens lengde L: Tiden det tar for en ladningsbærer å krysse kanalen er gitt av kanalens lengde og ladningsbærernes hastighet: INF3400 Grunnleggende digital CMOS

  10. I det lineære området kan vi modellere strømmen tilsvarende en motstand: Dette gir modell for motstand: Vi ser først på konduktans: Som kan forenkles til: INF3400 Grunnleggende digital CMOS

  11. I metning vil spenningen over kanalen være begrenset til den spenningen som er tilstrekkelig for å danne kanal på drain siden: Vi setter inn for Vgc og Vds = Vdsat i transistor modellen: Vi kan finne gjennomsnittelig spenningen over kapasitansen i metning ved å erstatte Vds med Vdsat: INF3400 Grunnleggende digital CMOS

  12. Transistormodellen: INF3400 Grunnleggende digital CMOS

  13. pMOS transistormodell: Drain Source

  14. I-V karakteristikker

More Related