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QWIP Quantum-Well Infrared Photodetectors e Visione nell’infrarosso. Docente: Mauro Mosca (www.dieet.unipa.it/tfl). A.A. 2013-14. Ricevimento: alla fine della lezione o per appuntamento. Università di Palermo – Facoltà di Ingegneria (DEIM). Un po’ di storia: esperimento di Herschel. 1800.
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QWIPQuantum-Well Infrared PhotodetectorseVisione nell’infrarosso Docente: Mauro Mosca (www.dieet.unipa.it/tfl) A.A. 2013-14 Ricevimento: alla fine della lezione o per appuntamento Università di Palermo – Facoltà di Ingegneria (DEIM)
Un po’ di storia: termopila di Nobili-Meloni 1829… arrivano i rivelatori
Un po’ di storia: primo tubo convertitore d’immagini first photon effect (selenium) by Smith in 1873 seconda guerra mondiale… visione al buio
Sviluppo dei sistemi di rivelazione IR parallelo seriale
Eccitazione ottica nei semiconduttori generazione termica comparabile a quella ottica
BLIP (background-limited infrared photodetection) • Problema della background radiation • G = Gth + Gopt • The optical generation may be due to the signal or background radiation. • If the thermal generation is reduced much below the background level, the performance of the device is determined by the background radiation (BLIP) • For the BLIP requirements: Gth = Gopt
FPA ibrido CdTe, CdZnTe (max chip size 10 mm2) PACE (Producible Alternative to CdTe for Epitaxy)
Why HgCdTe? • Can be tailored for optimised detection at any region of IR spectrum • HgCdTe is the only material covering the whole IR spectral range having nearly the same lattice parameter • - The difference of lattice parameter between CdTe andHg0.8Cd0.2Te is 0.2%. Replacing small fraction of Cd with Zn or Te with Se can compensate the residual lattice • mismatch. • Problems in mass production, which result from a weak Hg–Te bond • Health hazard (toxic compounds) • High mercury vapour pressure over melts • - Difficulties in repeatable growth of uniform composition bulk crystals and epitaxial layers but…
Diagramma a bande di una omogiunzione n+ on p trasparente
Assorbimento intersubbanda interbanda interSUBbanda
n-doped bound-to-bound QWIP tunneling trasporto perpendicolare (mobilità più alta nello stato eccitato) si blocca la dark current dovuta alle cariche del ground state
n-doped bound-to-continuum QWIP no tunneling dark current si deve restringere la larghezza della well la barriera si può allargare senza far diminuire la fotocorrente
n-doped bound-to-quasibound QWIP barriera per l’emissione termoionica (dark current) = barriera per la fotocorrente la barriera sale di ca. 15 meV rispetto al caso continuo
n-doped broadbound QWIP super-reticolo quasibound progettati per diverse l
n-doped bound-to-bound miniband QWIP rivela a ca. 0 V (bias) V<minibanda riduce la ground-state dark current super-reticolo
n-doped bound-to-continuum miniband QWIP migliora il trasporto degli elettroni eccitati aumenta la dark current termo- ionica
n-doped bound-to-miniband QWIP come bound-to-continuum (ma minore mobilità) alta dark current
n-doped step bound-to-miniband QWIP si riduce la dark current (più barriere da attraversare) InGaAs.strained quantum wells (più profonde delle barriere del super-reticolo)
Dark current thermoionic emission (T>55K) thermal-assisted tunneling (30<T<55 K) tunneling (T<30 K)
Risposta spettrale barrier resonance
Accoppiamento della luce:dipendenza della risposta dal reticolo
Accoppiamento della luce:dipendenza della risposta dal reticolo
Accoppiamento della luce:dipendenza della risposta dal reticolo
Applicazioni QWIP: regime MWIR e LWIR MWIR LWIR
1 2 Applicazioni QWIP: campi minati