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東京大学におけるマルチグリッド型 MSGC と ASIC エレクトロニクス開発

東京大学におけるマルチグリッド型 MSGC と ASIC エレクトロニクス開発. 東京大学人工物工学研究センター 高橋浩之. 3GeV/1MW 25Hz. J-PARC project. JAERI-KEK joint project. 統合計画における中性子散乱実験施設における中性子位置検出器. ガス型検出器 MSGC , He-3 tube , MWPC g 線に不感 シンチレーション検出器 ZnS, Li glass, LBO g 線に感度を有する 蛍光出力が高いものは低速 半導体検出器 照射損傷の問題が顕著 イメージングプレート（ＩＰ）

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東京大学におけるマルチグリッド型 MSGC と ASIC エレクトロニクス開発

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Presentation Transcript

  1. 東京大学におけるマルチグリッド型MSGCとASICエレクトロニクス開発東京大学におけるマルチグリッド型MSGCとASICエレクトロニクス開発 東京大学人工物工学研究センター 高橋浩之

  2. 3GeV/1MW 25Hz J-PARC project JAERI-KEK joint project

  3. 統合計画における中性子散乱実験施設における中性子位置検出器統合計画における中性子散乱実験施設における中性子位置検出器 • ガス型検出器 • MSGC, He-3 tube , MWPC • g線に不感 • シンチレーション検出器 • ZnS, Li glass, LBO • g線に感度を有する • 蛍光出力が高いものは低速 • 半導体検出器 • 照射損傷の問題が顕著 • イメージングプレート（ＩＰ） • ＴＯＦ情報が得られない

  4. Sparking Damage Counting rate GEM(Gas Electron Multiplier) type MSGC（MicroStrip Gas Chamber) TU Delft/JAERI GEM Low gain 2~3 at high pressure ILL/HMI/JAERI MSGC M-MSGC Gas gain MWPC Stability * n/g discrimination * position resolution MWPC(Multi Wire Proportional Counter) Virtual Cathode MSGC Low countrate 10~50kHz BNL/ILL

  5. ＭＳＧＣ （ＭｉｃｒｏＳｔｒｉｐ　Ｇａｓ　Ｃｈａｍｂｅｒ） 微細加工技術により製作した アノード・カソード ストリップ電極を用いた ガス比例計数管 • アノードカソード間隔を狭くできるので、高計数率 • 　従来の100倍以上 カソードのエッジに強い電場が生じるため、基板表面を走る 放電が顕著となり過去のものと思われていたが…

  6. 表面電極構造を工夫し、電場配置を制御することでMSGCの安定化を図る。表面電極構造を工夫し、電場配置を制御することでMSGCの安定化を図る。 グリッド2 グリッド1 表面抵抗が小さい 表面電荷が少ない マルチグリッド型 MSGC (M-MSGC) ２つの強い電場 を分離 ... カソード アノード

  7. MSGCとM-MSGCにおける電場の比較 SMALL-GAP MSGC 10mm gap 5mm Anode 0V 500V 500V 0V M-MSGC 10mm gap 5mm Anode 20mm Grid 800V 300V 10mm 0V Calculated by ELFIN

  8. DESIGN AND FABRICATION A test plate consists of 4 grids +anode+cathode 400mm G1 G3 A G2 G4 C 4 cm x 4 cm active area Anode width: 5 mm 4 grids(20,25,35,42.5mm) and 10 mm gaps #4 grid and cathode were connected together

  9. MEASUREMENT Gas gain of M-MSGC exceeds 18000 for 10mm gaps The gain is a function of multiple grid potentials.

  10. Pulse Height Spectrum for 6keV X-rays 6keV Ar escape Obtained energy resolution was 14.6% FWHM. (Gas gain =3000)

  11. カソードストリップからの信号電荷を積分して読み取る方法カソードストリップからの信号電荷を積分して読み取る方法 Readout from individual cathode strips

  12. Counting Rate > 108 cps/mm2 Anode 470V Grid 231V Gas Gain: 100

  13. 低計数率　～106cps/mm2 高計数率　～108cps/mm2

  14. X方向の位置情報 放射線 電荷 MSGCプレート 誘起電荷 Y方向の位置情報 裏面電極 MSGCを用いた2次元位置取得 • 表面電極でX方向、裏面電極でY方向の位置を検出する • 裏面では誘起電荷を拾う • M-MSGCではプレート表面が電極で覆われるため、裏面への誘起電荷が生じない！

  15. A G C Pad 電荷はしばらく ここに留まる 電子なだれ 領域 裏面電極 フローティングパッドを介した2次元位置読み出し方法 • カソード周辺にフローティングパッドを設置 • 電子雪崩で生じたイオンのある部分はパッドに乗る • パッドに乗った電荷は、表面RC回路の時定数で指数関数的に減少し、カソードに収集されるまでの間は裏面に誘起電荷を生成する 裏面に誘起される信号から もう１次元の位置情報を得る

  16. Design window of a Cadence layout editor 1mm pitch 3cm x 3cm - 9.5cm x 9.5cm

  17. Signals on rear strips:for 400mm pitch Substrate: fused silica Thickness: 0.3 mm #n 10% #n+1 22% #n+2 50% #n+3 100%

  18. ~1.2mm 400mm 0.3mm厚ガラスの裏面での誘起電荷の分布 誘起電荷 の大きさ ストリップ番号 ->何らかの重心演算を行う必要がある

  19. Anode (Left) Anode (Right) Cathode (Bottom) Cathode (Top) Pad & Strip surface charge division Both Anode and Cathode signals are usedforCharge division X-axis grids Surface circuit provides 2D information Y-axis

  20. 11mm 6mm Results from X-ray measurement Y 55Fe X-rays X 4.5mm pitch Beam scan image washer

  21. 多層微細配線技術を用いたMSGC in collaboration with Futaba corporation 10cm x 10cm / 400um anode pitch version

  22. 多層配線を用いる際の問題 • 絶縁層は薄いので、高電圧部分と低電圧部分がクロスすると、絶縁破壊を起こす。 • したがってアノード近傍は配線禁止部分となる。 • 限られたスペースしかないアノード間からアノードに平行な方向の位置情報を引き出すのは困難。 →厚い絶縁層・特殊な絶縁層．．． 他の解決法は？

  23. MSGCの位置読み出し手法の比較 Assume: Active area ~ 10x10cm, anode pitch ~ 400um

  24. GLG （Global Local Grouping)法 Y方向(アノードに平行な方向）はカソード を疎、密のパッドに分割してこれらの パターンから取得

  25. GLG 法　スプリットアノードによる　X方向位置検出 • divided one anode strip into two strips  two signals in the same time.  each anode will accept a half of total charges.

  26. split anode test plate • 1mm pitch

  27. Split-type anode

  28. K X-ray beam scan test LOCAL STRIPS GLOBAL STRIPS

  29. K Tube(diameter:6-10mm) 図 sealed gas mixture 600mm 1D-MSGC (thickness:0.5-1mm) Reconsideration of Linear PSD • Replacing wire with high-tech plate • Easy to maintain MSTube

  30. ASIC の開発 • ローコスト高密度マルチチャンネルシステム開発を目標 • ROHM 0.35mm CMOS Technology • 商用CADツールを用いた設計 • Mixed signal design (Analog + Digital) • プリアンプ、シェーパ、VGA、ディスクリ、１００MHzフォールディングAD、FIFOメモリ • Die size 4.9mm x 4.9 mm or 2.4 mm x 2.4 mm • 2 デザイン / 3 ヶ月 • ベアチップを基板に実装→　高実装密度 • ガスカウンタ・APDと組み合わせて実際に使用したところ、ダメージが顕著にみられた。 • 外部保護回路が必要

  31. Analog Circuit Ｄｉｇｉｔａｌ回路 Design Flow • Digital Circuit Behavior Circuit design simulation HDL Programming Verilog-XL CADENCE layoutPlus Simulation Layout Synopsis/ Design Compiler LVS,DRC Synthesis Simulation Simulation HSPICE Wiring Apollo / Milkyway

  32. Preamp • High Speed Low voltage 　　→　Folded Cascode Amp • Low noise 　　→　High gain transistor • Linearity →Polysilicon resistance/ capacitance 2.4mm x 2.4mm

  33. ENC and Shaping time Capacitance gradient60-80 electrons/pF ORTEC 142B 11500 electrons @100pF 68400 electrons@1000pF Clear pulse Hybrid54electrons/pF

  34. 48chpreamp board • 3 bare chips (each 2.4 mm x 2.4mm) • ENC 880e- (FWHM) • 時定数可変 • 3.3V 210mW

  35. 32ｃｈ Preamp+Shaper+3-level Discriminator boardの例(ROHM0.35um) 検出器 入力 (16CH) CMOS ディスクリ出力 (16CH) シェーピングアンプ出力(16CH)

  36. general purpose readout chip preamp decay time shaping time gain Adjustable 3 level Comparator 16 CH chip

  37. An 8 channel ASIC was designed using Rohm 0.35u CMOS technology. Requirements:- Fast Preamp ~ 10ns risetime, low noise (ENC ~1000e- fwhm).- ADC ~ 100Msamples/s, low power consumption, => folding ADC ideal. Preamplifier Folding ADC Digital (Encoder + FIFO) VGA 4.9 mm Waveform Sampling Front-End ASIC

  38. 100 Msamples/s DNL~ 0.7 LSBINL ~ 1.4 LSBTHD ~ -20 dB. 6-bit Folding ADC

  39. Preamp VGA ADC Encoder + FIFO Layout of the new 10-Ch ASIC

  40. FPGA USBコントローラ 検出器接続端子(40CH) ASIC(ベアチップ)×４ 本ボード2枚で24cm×24cm 160,000 pixels 2次元検出器の読み取りが可能 波形情報の利用・補間なども可能

  41. まとめ • マルチグリッド型MSGC開発の状況について示した。 • ASICエレクトロニクスは破壊の問題を解決したので、今後量産してマルチチャンネル読み出しに組み込んでいく予定 • その他の高機能素子についても開発検討中

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