1 / 21

Dispositivos de cuatro capas (PNPN)

Dispositivos de cuatro capas (PNPN). SCR (Rectificadores Controlados de Silicio). Dispositivo de 4 capas y 3 terminales Manejo de potencias significativas I > 5kA V > 10kV Las junturas externas están polarizadas en directa y la interna en reversa.

elon
Download Presentation

Dispositivos de cuatro capas (PNPN)

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Dispositivos de cuatro capas (PNPN)

  2. SCR (Rectificadores Controlados de Silicio) • Dispositivo de 4 capas y 3 terminales • Manejo de potencias significativas • I > 5kA • V > 10kV • Las junturas externas están polarizadas en directa y la interna en reversa. • Una corriente por el gate sirve para polarizar la juntura intermedia y poner el disp. en conducción

  3. The diode model

  4. Ppio. De funcionamiento: Actúa como un par de transistores realimentados positivamente.

  5. La suma alfa 1 + alfa 2 resulta < 1 (los transistores son de bajo beta) para Vak bajas • La relación aumenta con Vak debido a: • Aumento de la zona de vac en J2,3 y por ende del factor de transporte • Mayores niveles de inyección aumentan la eficiencia de Emisor • La multiplicación de portadores siempre produce el disparo (aún a pesar de los dos anteriores) • Una Ig > 0 produce corriente inicial mayor, y el dispositivo se activa con menor tensión Vak

  6. Conduce corriente en un solo sentido • Puede dispararse también por tensiones directas altas o dV/dt (capacidad de J2,3) • Una vez disparado conduce siempre y cuando I>IH • Un pico elevado de corriente di/dt (para prendido) puede quemar el dispositivo

  7. Factores importantes • Peak forward and reverse breakdown voltages • Maximum forward current • Gate trigger voltage and current • Minimum holding current, IH • Power dissipation • Maximum dV/dt

  8. Ventajas • Requiere poca corriente de gate para disparar una gran corriente directa • Puede bloquear ambas polaridades de una señal de A.C. • Bloquea altas tensiones y tiene caídas en directa pequeñas

  9. Desventajas • El dispositivo no se apaga con Ig=0 • No pueden operar a altas frecuencias • Pueden dispararse por ruidos de tensión • Tienen un rango limitado de operación con respecto a la temperatura

  10. Triacs • El dispositivo puede encenderse tanto con tensión A1-A2 positiva como negativa, utilizando una tensión del signo adecuado en el gate.

  11. MAC210A8

  12. DIAC • No conduce hasta que se supera la tensión de disparo • Puede utilizarse para disparar un triac • Disipaciones típicas de ½ a 1 W

  13. Características Típicas

  14. Aplicaciones • Control de iluminación • Control de motores • Llaves de protección y conección de circuitos

  15. Opto-SCR

  16. Opto-Triacs

  17. Transistor Unijuntura • Sobre una determinada tensión Vp exhibe una zona de resistencia negativa • Factores: Ip – corriente pico de emisor; Vmax; Rbb – resistencia de base; Vp

  18. Transitor Unijuntura (2) • Aplicación típica: Oscilador de relajación

  19. Referencias • Robert F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals, Addison –Wesley, 1996. Capítulo 13.

More Related