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Electrical Properties of Materials ( 전기물성 )

Electrical Properties of Materials ( 전기물성 ). Myung Gu - Han munggu7914@naver.com, 010-7227-7914 School of Engineering Chungbuk National University 2013/12/6. 4. 재료의 자기 특성.

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Presentation Transcript


  1. Electrical Properties of Materials(전기물성) MyungGu - Han munggu7914@naver.com, 010-7227-7914 School of Engineering Chungbuk National University 2013/12/6

  2. 4. 재료의 자기 특성

  3. 이 장에서 우리는 차이점을 설명하려고 시도 자기 특성의 관점에서 자성 재료의 다양한 유형원자 이러한 원자들 사이의 상호 작용. 장을 나누어져 있습니다. 두 부분으로파트 I은 일부에 독자의 기억을 하기 위한 것입니다. 기본 개념 자기장을 직결하고 설명 하기 간단함을 참조하여 자기 쌍극자의원자 이론의 본질모델. 일부 Ⅱ의 첫 번째 부분에서 수집한 정보는 하는데 사용됩니다. 원자 해석 다이아 , 파라 , 철근 , antiferro및 적층페리을 논의 .

  4. 파트 Ⅰ.준비 토론자기장에 관한 개념 4.1 개요: 이 부분에서 독자는 몇 가지 기본 개념을 생각 나게 한다. 자기장에 과정에 자세히 설명되어 있다. 자기공간의 포인트 자속밀도는 MKS에서 벡터 B로 표시된다. TEM , 자속밀도의 단위는 가해지는 힘의 관점에서 정의 될 수 있다. 통전 와이어자계 따라고려해야 한다. 4.1I 암페어의 전류를 운반 와이어 요소 DL의 자계자속 밀도 B는, 소자 DL에 힘이 주어진다. • 힘 DF의 방향은, 벡터 I 및 B 직교 및 방향과 일치한다.

  5. 그림 4.1 DF가 자속에 의해 가해지는 힘을 현재 I을 들고 와이어 DL의 요소에 밀도 BI 에서 B로 회전 할 때 힘의 크기는 같다. DF = IB DL (4.2 )도 나타낸 바와 같이 이 I 와 B 사이의 각도 이다. 4.1.의 비례 상수는 단위의 화합과 동일한 선택되었다. B에 나오는 ( 암페어 ) , ( 뉴턴 ) F 의 단위로 고정 하고, DL 이 된다. 따라서, B 는 뉴턴 하나 의 표현 은 일반적으로 뉴턴 = 1 웨버(4.3 )자기장은 전류에 의해 생성 된다. 자속은 보기와 이러한 전류에 의해 주어진 지점 에서 생산 밀도는 이와 같이 적용됩니다.비오 와 사바르도1을 참조 . 4.2, 요소 DL 의 고려

  6. 그림 4.2. 자속 밀도 dB에 대한 기여도를 설명 통전 소자 dL로 인한 표시된 바와 같이 현재의 I 를 들고 선기 부자속밀도로표시된벡터 τ 의 끝에 있는 점 P 에서의 요소 이며,밑에 의해 주어진 (4.4 )여기서, 일반적으로 자유 공간의 투자율로 지칭 되며, 이는 numer이다. × = 1.257 × (또는 웨버를) 4π 할 ically와동일 . 양은 매체의 투자율 이며 그것은 순수진공 화합 과 같다. 이 시점에서 알아야 되는게 있다(유전체 경우와 같이 )이 아닌 물리적인 의미가 없다. 그것은 여기에서 사용하는 각종의 특정 시스템의 결과로 나타나고 있다.( 유전체 경우와 같이 ) 양이 유일한 매개 변수 입니다.수매체의 자성 특성의 관점에서 해석 될 수 있다. 따라서( 8.8 )에 자속 밀도 dB의 방향 벡터에 수직인 I 및 τ 및 방향과 일치 하는 나사 우타자내가τ 에서 회전 할 때 진행한다. 자속밀도의 크기도 1의 요소 DL 에 기여했다.

  7. 4.2은 (4.5 ) α는 I 표시된 대로 τ 사이의 각도 입니다. 비오 와 사바르의 법칙의 특정 응용 프로그램 으로, 우리는 그것을 두고 자속 밀도의 크기가 생산 된것을 표시하는 전류 I 를 들고 무한 길이의 선 으로 점 P 는 다음과 같다.(4.6 )이 와이어의 축으로부터 P 를 가리키는 거리 이다. MKS 시스템에서자기장 강도 및 H의 단위는 디 아르termined개념에서 그 닫힌 곡선을 따라 H의 선 통합동봉 된 총 전류 와 동일하다. 따라서1을 참조 . 4.3 H 를 ∮ · DL을 = I ( 4.7 ) 택한 곡선으로 암페어의 전류를 나타냅니다. 따라서, 자기장 강도 H 는 A 로 표현된다.

  8. 그림 4.3 닫힌 곡선을 따라 H의 라인 적분과 동일 I 가 곡선으로 둘러싸인 전체 전류.이 경우에는 전류가 유입한다. 그림에 흐르는 전류를 운반하는 와이어를 통해 4.4 단면용지 부족 , 점 P 에서 생성된 자기장이 있는 dicated . 전류 I 를 들고 무한 와이어의 경우에 이 를보내고, 하자의 축으로부터의 거리의 점 P 에서 자계 강도와 이어지기때문에 손 에서 문제의 원통형 대칭. 닫힌 경로 반경의 원 ( 4.4 도 참조) 을 선택합니다. 다음 ,H 는 원을 따라 도처에 접선 하기 때문에 단순히 이∮ H · DL을 = 2πaH = IH = I/2πa (4.8 )또는 같은 문제 때문에, 자속 밀도 (4.6 ) 에 의해 주어진 도착B 와 H 사이에 잘 알려진 관계 에서 : (4.9 )가 유도 B 와 H 병렬 것을 암묵적으로 가정 하였다. 벡터 , 즉 우리는 등방성 매질 을 가정 하였다. 또한 이 같은 투자율이 있는 소재에 대해 정의 될 수 있음을 가정한다.

  9. Thank you for your attention

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