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柳州职业技术学院计算机课程 2004 年

柳州职业技术学院计算机课程 2004 年. 微机组装与维护. 第 2 章 计算机硬件组成 内存编. 主讲教师：谭耀坚. 2.3 内存. 2.3.1 内存分类 一： ROM A:EPROM. 2.3 内存. 2.3.1 内存分类 一： ROM B:FLASH MEMORY. 2.3 内存. 2.3.1 内存分类 二： RAM A:SRAM 用触发器工作，体积庞大，不易集成。但速度快。. 2.3 内存. 2.3.1 内存分类 二： RAM B:DRAM 用电容工作，体积小，易集成。但要刷新。 1.SDRAM

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  1. 柳州职业技术学院计算机课程2004年 微机组装与维护 第2章 计算机硬件组成 内存编 主讲教师：谭耀坚

  2. 2.3 内存 2.3.1内存分类 一：ROM A:EPROM

  3. 2.3 内存 2.3.1内存分类 一：ROM B:FLASH MEMORY

  4. 2.3 内存 2.3.1内存分类 二：RAM A:SRAM 用触发器工作，体积庞大，不易集成。但速度快。

  5. 2.3 内存 2.3.1内存分类 二：RAM B:DRAM 用电容工作，体积小，易集成。但要刷新。 1.SDRAM SDRAM-SD（Synchronous Dynamic）RAM也称为“同步动态内存”，是168线，带宽64bit，工作电压为3.3V。它的工作原理是将RAM与CPU以相同的时钟频率进行控制，使RAM和CPU的外频同步，彻底取消等待时间，所以它的数据传输速度比早期的EDO RAM快了13%以上。同时由于采用64bit的数据宽，所以只需一根内存条就可以安装使用。

  6. 2.3 内存 2.3.1内存分类 二：RAM B:DRAM 用电容工作，体积小，易集成。但要刷新。 a.SDRAM

  7. 2.3 内存 2.3.1内存分类 二：RAM B:DRAM 用电容工作，体积小，易集成。但要刷新。 b.DDR SDRAM－DDR（Double Data Rate DRAM），它是在SDRAM的基础上，利用时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，因此不需提高工作频率就能成倍提高DRAM的速度，而且制造成本并不高。DDR发展很快，从刚开始时的DDR200、DDR266，已经发展到了现在的DDR333、DDR400。

  8. 2.3 内存 2.3.1内存分类 二：RAM B:DRAM 用电容工作，体积小，易集成。但要刷新。 b.DDR

  9. 2.3 内存 2.3.1内存分类 *关于内存表示： 早期JEDEC规定的DDR标准并不是以“DDRXXX”来标识，而都是以内存的带宽来标识的，如DDR266应为PC2100、DDR333应为PC2700。只是大家都已经习惯了速度来标识内存，所以“DDRXXX”也就成为了一种默认的标准。换算：位宽X频率X倍频/8（结果为MB/S,即M字节每秒。) 若不除8,则结果为Mb/s,即M比特每秒。

  10. 2.3 内存 2.3.1内存分类 二：RAM B:DRAM 用电容工作，体积小，易集成。但要刷新。 c.rambus Rambus（Direct Rambus DRAM），也叫RDRAM，Rambus是Intel所推崇的未来内存的发展方向，它将RISC（精简指令集）引入其中，依靠高时钟频率来简化每个时钟周期的数据量。它具有相对SDRAM较高的工作频率（300MHz以上），但其数据通道接口带宽较低，只有16bit。当工作时钟为400MHz时，Rambus利用时钟的上沿和下沿分别传输数据，因此它的数据传输率能达到400X16X2/8=1.6GB/秒。

  11. 2.3 内存 2.3.1内存分类 二：RAM B:DRAM 用电容工作，体积小，易集成。但要刷新。 c.rambus 由于工作频高，发热量大，故规定用金属片散热.

  12. 2.3 内存 2.3.2内存性能指标 一： Tck,时钟周期 它代表SDRAM所能运行的最大频率。显然这个数字越小说明SDRAM芯片所能运行的频率就越高。如，对于一片普通的PC100 SDRAM来说，它芯片上的标识10代表了它的运行时钟周期为10ns，即可以在100MHZ的外频下正常工作。 目前一般可有133/166/200MHz,写成周期则为7ns,6ns,5ns。

  13. 2.3 内存 2.3.2内存性能指标 一：Tck,时钟周期

  14. 2.3 内存 2.3.2内存性能指标 二： Tac,存取时间(时钟触发后的访问时间) 由于芯片体积的原因，存储单元中的电容容量很小，所以信号要经过放大来保证其有效的识别性，要有一个准备时间才能保证信号的发送强度.故尽管此时数据已经被触发，但要经过一定的驱动时间才最终传向数据I/O总线进行输出，这段时间我们称之为tAC（Access Time from CLK，时钟触发后的访问时间）。tAC的单位是ns，对于不同的频率各有不同的明确规定，但必须要小于一个时钟周期，否则会因访问时过长而使效率降低。　　

  15. 2.3 内存 2.3.2内存性能指标 二：Tac,存取时间 目前大多数SDRAM芯片的存取时间为5、6、7、8或10ns。如LG 的PC100 SDRAM芯片上的标识为7J或7K，将说明它的存取时间为7ns，但它的系统时钟频率依然是10ns，外频为100MHz。它们的数值肯定要比其时钟周期小。

  16. 2.3 内存 2.3.2内存性能指标 三：Cl,CAS的延迟时间 　 要读数据，先发出行地址（RAS),等若干周期后发出列地址（CAS），（它们共用数据线）此时间间隔为Trcp。两个地址到达后方可进行读/写（发指令）.

  17. 2.3 内存 2.3.2内存性能指标 三：CL，CAS的延迟时间 　　 读取数据的周期(CLK)已开始，但存储体中晶体管的反应时间仍会造成数据不可能与CAS在同一上升沿（T0）触发，肯定要延后至少一个时钟周期(T2),才可以读到数据，此时间间隔为CL。可以看到，Tac在CL内产生。

  18. 2.3 内存 2.3.2内存性能指标 三：CAS的延迟时间

  19. 2.3 内存 2.3.2内存性能指标 四、数据宽度 内存同时传输数据的位数。一般可有4bit,8bit,16bit.但这些数值与CPU的数据总线为64位（称为P-bank)相差甚远，为实现数据传输匹配，组成P-Bank所需的位宽，就需要多颗芯片并联工作。对于16bit芯片，需要4颗（4×16bit=64bit）。对于8bit芯片，则就需要8颗了。

  20. 2.3 内存 2.3.2内存性能指标 五、内存容量 和表格的检索原理一样，先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），我们就可以准确地找到所需要的单元格，这就是内存芯片寻址的基本原理。对于内存，这个单元格可称为存储单元,那么这个表格（存储阵列）叫什么呢？它就是逻辑Bank（Logical Bank，下文简称L-Bank）。 由于技术、成本等原因，不可能只做一个全容量的L-Bank，而且最重要的是，由于SDRAM的工作原理限制，单一的L-Bank将会造成非常严重的寻址冲突，大幅降低内存效率。所以人们在SDRAM内部分割成多个L-Bank，较早以前是两个，目前基本都是4个，这也是SDRAM规范中的最高L-Bank数量。到了RDRAM则最多达到了32个，在最新DDR-Ⅱ的标准中，L-Bank的数量也提高到了8个。

  21. 2.3 内存 2.3.2内存性能指标 五、内存容量 从前文可知，SDRAM内存芯片一次传输率的数据量就是芯片位宽，那么这个存储单元的容量就是芯片的位宽（也是L-Bank的位宽），显然，内存芯片的容量就是所有L-Bank中的存储单元的容量总合。计算有多少个存储单元和计算表格中的单元数量的方法一样： 存储单元数量=行数×列数（得到一个L-Bank的存储单元数量）×L-Bank的数量 此即芯片的位密度。 故内存条的容量=位密度×颗数/8（单位为MB）

  22. 2.3 内存 2.3.3品牌内存选购(看芯片，即颗粒） 一、LG （先看实例） LGS GM72V66841C T7J 9813 KOREA 第一行LGS：代表南韩LG公司 （LGs如今已被HY兼并）

  23. 2.3 内存 2.3.3品牌内存选购(看芯片，即颗粒） 一、LG （先看实例） LGS GM72V66841C T7J 9813 KOREA 第二行：GM是LGS的memory IC产品的前缀；72 代表SDRAM产品； V代表芯片的加工工艺是3.3V的CMOS；

  24. 2.3 内存 2.3.3品牌内存选购(看芯片，即颗粒） 一、LG （先看实例） LGS GM72V66841C T7J 9813 KOREA 第二行：66 代表芯片的密度是64Mbit和4K刷新；8 代表×8的结构；4 代表4bank的芯片组成；

  25. 2.3 内存 2.3.3品牌内存选购(看芯片，即颗粒） 一、LG （先看实例） LGS GM72V66841C T7J 9813 KOREA 第二行：1 代表LTVVL的I/O界面；C 代表是第三代的芯片设计； 空白代表标准的芯片功耗；

  26. 2.3 内存 2.3.3品牌内存选购(看芯片，即颗粒） 一、LG（先看实例） LGS GM72V66841C T7J 9813 KOREA 第二行：T 代表普通的TSOP的IC封装；7J 代表在100MHz外频下可运行在10ns，CL值是3。 　　

  27. 2.3 内存 2.3.3品牌内存选购(看芯片，即颗粒） 一、LG （先看实例） LGS GM72V66841C T7J 9813G KOREA 第三行：9813代表芯片的生产封装日期是1998年第13个星期； KOREA代表是南韩出品，以便同非南韩的LG工厂生产的芯片相区别。

  28. 2.3 内存 2.3.3品牌内存选购(看芯片，即颗粒） 一、LG（再看通式） LG公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下: GM72V XX XX X X X X X XX ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ “GM”代表LG的产品。 “72”代表SDRAM。 “V”代表工作电压为3.3V。 ①代表一个内存芯片的密度和刷新速度: 其编号与密度及刷新速度的对应关系如表2所示。 ②代表数据位宽: 其中“4”、“8”、“16”分别代表4位、8位、16位等。

  29. 2.3 内存 2.3.3品牌内存选购(看芯片，即颗粒） 一、LG

  30. 2.3 内存 2.3.3品牌内存选购(看芯片，即颗粒） 一、LG LG公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下: GM72V XX XX X X X X X XX ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ③代表内存芯片内部Bank: 其中“2”表示2个Bank，“4”表示4个Bank。 ④代表内存接口: “1”代表LVTTL。 ⑤代表内核版本。 ⑥代表功耗: 其中“L”代表低功耗，空白则代表常规功耗。 ⑦代表封装类型: “T”表明是TSOP-Ⅱ封装，如果是“I”则代表BLP封装。

  31. 2.3 内存 2.3.3品牌内存选购(看芯片，即颗粒） 一、LG LG公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下: GM72V XX XX X X X X X XX ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑧代表速度: 其编号与速度的对应关系如下: “75”: 7.5ns(133MHz) “8”: 8ns(125MHz) “7K”: 10ns(PC-100 CL2或3) “7J”: 10ns(100MHz) “10K”: 10ns(100MHz) “12”: 12ns(83MHz) “15”: 15ns(66MHz)

  32. 2.3 内存 2.3.3品牌内存选购(看芯片，即颗粒） 一、LG LG公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下: GM72V XX XX X X X X X XX ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ 练习：请识别下面的LG芯片编号： LGS GM72V16821CT10K 9819G KOREA

  33. 2.3 内存 2.3.3品牌内存选购(看芯片，即颗粒） 一、HY （先看实例） 第一行：HYUNDAI 是HY全称。 KOREA 表明该芯片在韩国本土生产。

  34. 2.3 内存 2.3.3品牌内存选购(看芯片，即颗粒） 二、HY （先看实例） 第二行：“HY”表明是现代的产品。 “57”表示为SDRAM 。 “V”代表3.3V

  35. 2.3 内存 2.3.3品牌内存选购(看芯片，即颗粒） 二、HY （先看实例） 第二行：65表示密度和刷新速度 为64M及4k “32”表示数据位宽为32bit 。 “2”代表内部有2个Bank 。

  36. 2.3 内存 2.3.3品牌内存选购(看芯片，即颗粒） 二、HY （先看实例） 第二行： “0” 内存接口为“0”。 “B”内存版本号为“B” 。 “ ”空白表示正常功耗芯片。

  37. 2.3 内存 2.3.3品牌内存选购(看芯片，即颗粒） 二、HY （先看实例） 第三行： “0017A” 2000年月17周生产。 “TC”封装类型为 400mil TSOP-Ⅱ。 “-55 ” 表示速度为5.5Ns。

  38. 2.3 内存 2.3.3品牌内存选购(看芯片，即颗粒） 二、HY（再看通式） HY公司的内存芯片上的标识格式如下: HY 5X X XXX XX X X X X XX -XX ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨ ⑩ ①代表的是内存芯片种类: “51”为EDO，“57”为SDRAM，“5D”为DDR SDRAM。 ②代表工作电压: “U”为2.5V，“V”为3.3V，空白代表5V。 ③代表一个内存芯片的密度和刷新速度: 其编号与密度及刷新速度的对应关系如表1所示。

  39. 2.3 内存 2.3.3品牌内存选购(看芯片，即颗粒） 二、HY （再看通式）

  40. 2.3 内存 2.3.3品牌内存选购(看芯片，即颗粒） 二、HY（再看通式） HY公司的内存芯片上的标识格式如下: HY 5X X XXX XX X X X X XX -XX ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨ ⑩ ④代表芯片输出的数据位宽: 其中“40”、“80”、“16”和“32”分别代表输出数据位宽为4位、8位、16位和32位。 ⑤代表内存芯片内部由几个Bank组成: 其中“1”、“2”、“3”分别代表2个、4个和8个Bank。 ⑥代表内存接口: 一般为“0”，代表LVTTL接口。

  41. 2.3 内存 2.3.3品牌内存选购(看芯片，即颗粒） 二、HY（再看通式） HY公司的内存芯片上的标识格式如下: HY 5X X XXX XX X X X X XX -XX ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨ ⑩ ⑦代表内存版本号: 空白代表第一代，“A”代表第二代、“B”代表第三代、“C”代表第四代、“D”代表第五代。 ⑧代表功耗: 其中“L”代表低功耗的芯片，空白表示为正常功耗芯片。 ⑨代表封装类型: 其编号与封装类型的对应关系如下:

  42. 2.3 内存 2.3.3品牌内存选购(看芯片，即颗粒） 二、HY （再看通式） HY公司的内存芯片上的标识格式如下: HY 5X X XXX XX X X X X XX  -XX ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨ ⑩ “JC”: 400mil SOJ “TC”: 400mil TSOP-Ⅱ “TD”: TSOP-Ⅱ “TG”: TSOP-Ⅱ, GOLD

  43. 2.3 内存 2.3.3品牌内存选购(看芯片，即颗粒） 二、HY （再看通式） HY公司的内存芯片上的标识格式如下: HY 5X X XXX XX X X X X XX  -XX ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨ ⑩ ⑩代表速度: 其编号与速度的对应关系如下: “7”: 7ns(143MHz) “8”: 8ns(125MHz) “10p”: 10ns(PC-100 CL2或3) “10s”: 10ns(PC-100 CL3) “10”: 10ns(100MHz) “12”: 12ns(83MHz) “15”: 15ns(66MHz)

  44. 2.3 内存 2.3.3品牌内存选购(看芯片，即颗粒） 二、 HY HY公司的内存芯片上的标识格式如下: HY 5X X XXX XX X X X X XX  -XX ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨ ⑩ 练习：请识别下面的HY芯片编号：

  45. 2.3 内存 2.3.3品牌内存选购(看芯片，即颗粒） 三、NEC （实例加通式说明） 第一行：“NEC”表明是NEC的产品。 “CHINA”表示在中国大陆生产 。

  46. 2.3 内存 2.3.3品牌内存选购(看芯片，即颗粒） 三、NEC （实例加通式说明） 第二行：D4代表NEC的产品； 5代表SDRAM 64代表容量64MB； 8表示数据位宽（4、8、16、32分别代表4位、8 位、16位、32位，当数据位宽为16位和32位时，使用两位）；

  47. 2.3 内存 2.3.3品牌内存选购(看芯片，即颗粒） 三、NEC （实例加通式说明） 第二行：4代表Bank数（3或4代表4个Bank，在16位和32位 时代表2个Bank；2代表2个Bank）；1代表LVTTL（如为16位和32位的芯片，则为两位，第2位双重含义，如1代表2个Bank和LVTTL，3代表4个Bank和LVTTL）；G5为TSOPII封装；

  48. 2.3 内存 2.3.3品牌内存选购(看芯片，即颗粒） 三、NEC （实例加通式说明） 第三行：-A80代表速度：在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2（80=8ns［125MHz CL 3］，10=10ns［PC100 CL 3］，10B=10ns较10慢，Tac为7，不完全符合PC100规范，12=12ns，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封装外型（NF=44-pinTSOP-II；JF=54-pin TSOPII;JH=86-pin TSOP-II）。

  49. 2.3 内存 2.3.3品牌内存选购(看芯片，即颗粒） 三、NEC （实例加通式说明） 第四行：9951表明生产时间为99年第51周

  50. 2.3 内存 2.3.3品牌内存选购(看芯片，即颗粒） 四、日立 （实例加通式说明） 第一行：“商标”表明是日立的产品。 “MALAYSIA”表示在马来西亚生产 。

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