1 / 28

Nanoelektronika Mihály György

Nanoelektronika Mihály György. Útközben A BME kutatóegyetemi pályán. Műegyetem - Kutatóegyetem Nanofizika, nanotechnológia és anyagtudomány. Nanoelektronika. Spin-polarizált transzport Spin-qbit kísérlet Kvantum információ elmélet Komplex mágneses szerkezetek

kiley
Download Presentation

Nanoelektronika Mihály György

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. NanoelektronikaMihály György Útközben A BME kutatóegyetemi pályán Műegyetem - Kutatóegyetem Nanofizika, nanotechnológia és anyagtudomány

  2. Nanoelektronika Spin-polarizált transzport Spin-qbit kísérlet Kvantum információ elmélet Komplex mágneses szerkezetek Mágneses optikai spektroszkópia GMR kísérlet és elméletMolekuláris elektronika Szén nanoszerkezetek Félvezető nanocsővek Nanoszenzorok fejlesztéseNapelemek antireflexiós rétege Nano-kompozit anyagok minősítés - memrisztor - grafén Spintronika Hibrid nanoszerkezetek Nanoelektronikai eszközök

  3. A hiányzó áramköri elem Leon O. Chua, IEEE Trans. Circuit Theory18, 507 (1971) Resistor Capacitor V I Q Memristor Inductor Ф

  4. „The missing memristor found” D.B. Strukov, G.S. Snider, D.R. Stewart, S.R. Williams, Nature453, 80 (2008) Vezető csatornák kialakulása és lebomlása – rezisztív kapcsoló Pt TiOx Pt Áram (mA) Feszültség (V)

  5. „The missing memristor found” D.B. Strukov, G.S. Snider, D.R. Stewart, S.R. Williams, Nature453, 80 (2008) Vezető csatorna - ionok migrációja nanométeres méretskála Pt TiOx Pt Áram (mA) 50 nm Feszültség (V) R. Waser et al., Adv.Mater21, 2632 (2009)

  6. Keresztező vezetékek D.B. Strukov, G.S. Snider, D.R. Stewart, S.R. Williams, Nature453, 80 (2008) 50 nm „Crossbar” technológia „analóg” memóriaelem

  7. Rezisztív RAM (RRAM) 50 nm HP laboratories Dynamical nanocrossbars

  8. „The missing memristor found” Pt TiOx Pt D.B. Strukov, G.S. Snider, D.R. Stewart, S.R. Williams, Nature453, 80 (2008) Vezető csatornák kialakulása és lebomlása – „analóg” memória Áram (mA) Áram (mA) Feszültség (V) Feszültség (V)

  9. „Biological-scale intelligent machines” 10.000 CPU 1000 W DARPA SyNAPSE Program 2009-2014, 4.900.000 USD kicsi gyors ? Célkitűzés: 106 memórialem/cm2 1010 kapcsolat/cm2 100 mW/cm2 Emberi agy: 106 neuron/cm2 1010 szinapszis/cm2 2 mW/cm2 Neurális hálózat HP szabadalom

  10. Pont-kontaktus memrisztor – NNA P1 MTA RMKI együttműködés Tanczikó Ferec – MBE Szilágyi Edit – RBS W AgSx Ag Minta: 80nm Ag réteg, S-kezelt felület Si/SiO2hordozó A.Geresdi, A.Halbritter, A.Gyenis P.Makk, G.Mihály, Nanoscale 3, 1504 (2011) Kémiai maratással hegyezetttű (W vagy Pt/Ir) Kontaktus méret: egyetlen atom 100 nm

  11. Pont-kontaktus memrisztor – NNA P1 W AgSx Ag A.Geresdi, A.Halbritter, A.Gyenis P.Makk, G.Mihály, Nanoscale 3, 1504 (2011) Kémiai maratással hegyezetttű (W vagy Pt/Ir) Minta: 80nm Ag réteg, S-kezelt felület Si/SiO2hordozó Kontaktus méret: egyetlen atom 100 nm

  12. Pont-kontaktus memrisztor – NNA P1 A.Geresdi, A.Halbritter, A.Gyenis P.Makk, G.Mihály, Nanoscale 3, 1504 (2011) Feszültség –áram karakterisztika Kémiai maratással hegyezetttű (W vagy Pt/Ir) Ag/AgSx/W Kontaktus méret: egyetlen atom 100 nm

  13. Pont-kontaktus memrisztor – NNA P1 A.Geresdi, A.Halbritter, A.Gyenis P.Makk, G.Mihály, Nanoscale 3, 1504 (2011) Vezető Ag ion-csatornák Feszültség –áram karakterisztika Ag/AgSx/W Több tízezer karakterisztika analízise megbízható működés érhető el 3nm-es kontaktussal is

  14. Pont-kontaktus memrisztor – NNA P1 A.Geresdi, A.Halbritter, A.Gyenis P.Makk, G.Mihály, Nanoscale 3, 1504 (2011) „analóg”memória elem Feszültség –áram karakterisztika Ag/AgSx/W Vküszöb Több tízezer karakterisztika analízise megbízható működés érhető el 3nm-es kontaktussal is

  15. Pont-kontaktus memrisztor – NNA P1 A.Geresdi, A.Halbritter, E. Szilágyi, G.Mihály, MRS Conf. San Francisco, 2011 félvezető memrisztor Shottky-gát

  16. Pont-kontaktus memrisztor – NNA P1 W AgSx Ag Ag/AgSx/W A memrisztor katakterisztika jellege nem változik szobahőmérséklet és cseppfolyós hélium hőmérséklete között A.Geresdi, A.Halbritter, E. Szilágyi, G.Mihály, MRS Conf. San Francisco 2011 Kis keresztmetszet - fémes memrisztor T=300K T= 4 K

  17. Grafén nanoelektronika – NNA P1 Tóvári Endre MSc témavezető: Csonka Szabolcs MTA MFA együttműködés Biró László Péter Neumann Péter

  18. Grafén – mintaelőállítás MTA MFA grafén lapka felhelyezése SiO2 hordozóra elektronsugaras litográfia – védőmaszk plama marás, 300 °C-os tisztító hőkezelés vezetékek maszkolása és növesztése (molekulasugaras epitaxia: 5nm Cr, 60 nm Au) + VH + VH B B I I V V

  19. 1 dimenziós ideális fém Elektronállapotok hullámfüggvénye -k +k Schrödinger

  20. 1 dimenziós ideális fém Áram eV elektronok száma vezetőképesség kvantum Szabadon terjedő elektronok vezetőképessége egy univerzális állandó

  21. 2d ideális fém mágneses térben Landau-nívók növekvő B εF Energia 3 dimenzió Állapotsűrűség

  22. 2d ideális fém mágneses térben εF Energia Landau-nívók A szabadon terjedő elektronok egyirányban körbepattognak a falon. 3 dimenzió Állapotsűrűség

  23. Kvantum Hall effektus +eV +eV +eV Nobel-díj 1985 - Klaus von Klitzing 1998 - R. Laughlin, H. Strömer, D. Tsui Anyaggal való kölcsönhatás nélkül, szabadon terjedő elektronok

  24. Kvantum Hall effektus grafén mintán E. Tóvári, MSc dissertation

  25. Kvantum Hall effektus grafén mintán E. Tóvári, MSc dissertation

  26. Kvantum Hall effektus grafén mintán E. Tóvári, MSc dissertation + VH B I V

  27. Nanoelektronika Spin-polarizált transzport Spin-qbit kísérlet Kvantum információ elmélet Komplex mágneses szerkezetek Mágneses optikai spektroszkópia GMR kísérlet és elméletMolekuláris elektronika Szén nanoszerkezetek Félvezető nanocsővek Nanoszenzorok fejlesztéseNapelemek antireflexiós rétege Nano-kompozit anyagok minősítés - memrisztor - grafén Spintronika Hibrid nanoszerkezetek Nanoelektronikai eszközök

  28. Nanoelektronika - W AgSx Ag 2 új eredmény Néhány nanométeres memrisztor előállítása Kapcsolás fémes értékek között A Grafén áramkör előállítása, töltéshordozó koncentráció kontrollja kapufeszültséggel Kvantum Hall effektus kimutatása grafénben

More Related