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SHARPS S elf-resetting H igh-gain A ctive R adiation P ixel S ensors E.C. anno 2006 (2/3)

SHARPS S elf-resetting H igh-gain A ctive R adiation P ixel S ensors E.C. anno 2006 (2/3). (1) Istituto Nazionale di Fisica Nucleare Sezione di Perugia – Italy. (2) Dipartimento di Ingegneria Elettronica e dell’Informazione Università degli Studi di Perugia - Italy.

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SHARPS S elf-resetting H igh-gain A ctive R adiation P ixel S ensors E.C. anno 2006 (2/3)

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Presentation Transcript

  1. SHARPSSelf-resetting High-gain Active Radiation Pixel SensorsE.C. anno 2006 (2/3) (1) Istituto Nazionale di Fisica Nucleare Sezione di Perugia – Italy (2) Dipartimento di Ingegneria Elettronica e dell’Informazione Università degli Studi di Perugia - Italy (3) Dipartimento di Ingegneria dell’Informazione Università di Parma - Italy

  2. Risultati raggiunti (2005) • Messa a punto del banco ottico laser. • Caratterizzazione di sorgenti di diversa natura (alfa, beta, gamma, raggi-x). • Test dei sensori RAPS01 in differenti condizioni di irraggiamento (alfa, gamma, raggi-x). • Caratterizzazione elettrica e funzionale (luce visibile, laser IR) dei sensori RAPS02.

  3. Messa a punto del banco ottico

  4. Test RAPS01 Risposta a raggi gamma (Europio 122 KeV – 1.4 MeV) Risposta a raggi x (Emax= 10KeV, i = 25mA)

  5. WIPS dark G1P0large light G1P0 G1P1 Test RAPS02 Uniformità di risposta (matrice di test 3x3) Risposta alla luce (strutture APS e WIPS)

  6. Attività prevista (2005) • Analisi dei risultati del test del chip RAPS01 con sorgenti radioattive di diversa natura (gamma e raggi−x in particolare); • completamento della caratterizzazione del chip RAPS01; • completamento della caratterizzazione elettrica e funzionale del chip RAPS02, in particolare delle diverse modalità operative (lettura singolo pixel, full−frame, opzioni di self reset); • caratterizzazione del chip RAPS02 con sorgenti radioattive di diversa natura (alfa, beta, gamma, raggi−x). • caratterizzazione della resistenza alla radiazione dei chip RAPS01 e RAPS02.

  7. Attività prevista (2006) Identificazione e definizione completa delle specifiche dei sensori prototipo già disponibili. Definizione dell'ambito applicativo e delle specifiche di un nuovo sensore CMOS VLSI (SHARPS01): − pianificazione e progetto dei pixel attivi; − progetto sottosistemi di lettura e controllo; − progetto strutture di test; − integrazione del layout completo.

  8. Composizione 6.3 FTE RICERCATORI Bilei Gian Mario I Ric 20 Borio Rita P.A. 30 Ciampolini Paolo P.O. 70 Delfanti Paolo Dott. 100 Marras Alessandro Dott. 100 Matrella Guido As.Ric. 100 Passeri Daniele R.U. 70 Placidi Pisana R.U. 70 Salvadori Paolo P.O. 20 Servoli Leonello Ric. 20 TECNOLOGI Forini Nevio R.U. 30 TECNICI Rongoni Alba 20 Piero Degli Esposti 30 Daniela Maria Stefania Saetta 30 Composizione del gruppo di ricerca.

  9. Preventivo di spesa 53 k€ M.I. 8 k€ M.E. 12 k€ Mat. Consumo 25 k€ Mat. Inventariabile: 8 k€ Preventivo di spesa.

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