1 / 13

RTG DIFRAKCE NA SEMIPOLÁRNÍCH EPITAXNÍCH VRSTVÁCH G a N

RTG DIFRAKCE NA SEMIPOLÁRNÍCH EPITAXNÍCH VRSTVÁCH G a N. V áclav Holý Katedra fyziky kondenzovaných látek MFF UK, Ke Karlovu 5, hol y@mag.mff.cuni.cz. GaN – jeden z nejdůležitějších polovodičových materiálů Modré, zelené a bílé světelné diody. Struktura GaN:. Wurtzitová mřížka.

lilika
Download Presentation

RTG DIFRAKCE NA SEMIPOLÁRNÍCH EPITAXNÍCH VRSTVÁCH G a N

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. RTG DIFRAKCE NA SEMIPOLÁRNÍCH EPITAXNÍCH VRSTVÁCH GaN Václav Holý Katedra fyziky kondenzovaných látek MFF UK, Ke Karlovu 5, holy@mag.mff.cuni.cz Informace pro studenty

  2. GaN – jeden z nejdůležitějších polovodičových materiálů Modré, zelené a bílé světelné diody Informace pro studenty

  3. Informace pro studenty

  4. Informace pro studenty

  5. Struktura GaN: Wurtzitová mřížka Informace pro studenty

  6. Zakázaný pás šířky asi 3.1 eV Depozice metodou CVD na různé substráty: Al2O3, SiC, Si(111) Informace pro studenty

  7. (0001) basal c-plane Informace pro studenty

  8. (1120) a-plane Informace pro studenty

  9. a-GaN: basal stacking faults in (0001) planes, prismatic stacking faults in {1210} a-planes Basal stacking faults: fcc-like segment See the review in M. A. Moram and M. E. Vickers, Rep. Prog. Phys. 72, 036502 (2009) Informace pro studenty

  10. R. Liu, A. Bell, and F. A. Poncea, C. Q. Chen, J. W. Yang, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 86, 021908 (2005). cross-section TEM with basal SFs basal and prismatic SFs HRTEM, basal SF, type I1 Informace pro studenty

  11. In most cases, the basal stacking faults in the (0001) plane are larger than the coherence width of primary radiation  the stacking faults give rise to streaks in reciprocal space along [0001]. The simulation of the intensity distribution along the streak is made by a Monte-Carlo method Ideal hcp stacking: Ideal fcc stacking: I1 stacking fault: We assumed geometric distribution of random distances between stacking faults Informace pro studenty

  12. Cíle bakalářské práce: 1. Simulace rtg difrakce na vrstvách a-GaN s vrstevnými chybami 2. Měření rtg difrakce na epitaxních vrstvách a-GaN (prof. Krost, Univ. Magdeburg, prof. Hommel, Univ. Bremen) v naší rtg laboratoři a na synchrotronech Informace pro studenty

  13. Co požadujeme: Dobré znalosti přednášky Fyzika IV Zručnost práce s počítačem Základní znalost programování (Matlab) Základní experimentální dovednosti, např. chytnout vzorek do pinzety tak, aby nespadl na zem  Co nabízíme: Slušné zacházení a přátelské prostředí (zeptejte se sami Vašich kolegů) Zajímavou práci na zajímavém tématu na unikátních vzorcích Cestování na synchrotrony (Hamburg, Grenoble, aj.) pokud budete mít zájem M. Barchuk, V. Holý, B. Miljevic, B. Krause, T. Baumbach, J. Hertkorn, and F. Scholz, Journal of Appl. Phys. 108, 043521  (2010). M. Barchuk, V. Holý, B. Miljević, B. Krause, and T. Baumbach, Appl. Phys. Lett. 98, 021912 (2011). M. Barchuk, V. Holý, D. Kriegner, J. Stangl, S. Schwaiger, and F. Scholz, Phys. Rev. B 84, 094113 (2011). Informace pro studenty

More Related