1 / 31

Strukturuntersuchungen an elektronischen Schichten

Strukturuntersuchungen an elektronischen Schichten. David Rafaja Institut für Metallkunde TU Bergakademie Freiberg. Themen. SrTiO 3 – ferroelektrische gesinterte Keramik Ba x Sr 1-x TiO 3 – MOCVD ferroelektrische Schichten auf Al 2 O 3 Substraten

Download Presentation

Strukturuntersuchungen an elektronischen Schichten

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript


  1. Strukturuntersuchungen an elektronischen Schichten David Rafaja Institut für Metallkunde TU Bergakademie Freiberg

  2. Themen • SrTiO3 – ferroelektrische gesinterte Keramik • BaxSr1-xTiO3 – MOCVD ferroelektrische Schichten auf Al2O3 Substraten • SrTiO3/BaTiO3 – ferroelektrische Multilagenschichten auf Al2O3 Substraten • ZnO:Al – Halbleiterschichten auf Al2O3 Substraten

  3. Perowskit-Struktur von SrTiO3 und BaTiO3 • SrTiO3: kubisch, Pm3m, a = 3.9059 Å • SrTiO2.6: tetragonal, P4/mmm, a = 3.917 Å, c = 3.889 Å • PbTiO3: tetragonal, P4mm, a = 3.904 Å, c = 4.152 Å • BaTiO3: tetragonal, P4mm, a = 3.9945 Å, c = 4.0335 Å

  4. qz qz qy qy qx qx Beugungsgeometrien für Dünnschicht-analysen mittels Röntgenbeugung Symmetrische Beugungsgeometrie(XRR, XRD) Beugung unter streifendem Einfall (GAXRD)

  5. qz qy  qx 2   Beugungsgeometrien für Dünnschicht-analysen mittels Röntgenbeugung Vierkreisdiffraktometer

  6. Eindringtiefe der Röntgenstrahlung beim streifendem Einfall (GAXRD) SrTiO3

  7. SrTiO3 – Polykristalline „Keramik“ Bestimmung des spannungsfreien Gitterparameters und der Eigenspannung Beugungsbild

  8. SrTiO3 – Polykristalline „Keramik“ • SrTiO3: kubisch, Pm3m,a = 3.9059 Å • SrTiO2.6: tetragonal, P4/mmm, a = 3.917 Å, c = 3.889 Å; Mittelwert a = 3.903 Å • Bei der Oberfläche • nimmt der eigenspannungsfreie Gitterparameter ab  „Unterstöchiometrie“ im Sauerstoffgehalt • nimmt die Druckspannung zu  Konsequenz der Abnahme des Gitterparameters und der Wechselwirkung zwischen benachbarten Kristalliten

  9. SrTiO3 – Polykristalline „Keramik“ Ausbildung einer Druckspannung bei der Oberfläche Abnahme des spannungsfreien Gitterparameters Zunahme der Eigenspannung

  10. SrTiO3 Keramik bei tiefen Temperaturen • Tieftemperaturmessung: • Sprungartige Änderung des Gitterparameters bei T < 90K • Anstieg der Linienbreite bei T < 90K (tetragonale Gitterverzerrung, Phasenübergang)

  11. BaxSr1-xTiO3 Al2O3, (001)-orientiert Heteroepitaxie: SrTiO3 auf Saphir (Al2O3) MOCVD (injection metal-organic CVD) bei 800°C, 5 Torr SrTiO3, Ba0.1Sr0.9TiO3, BaTiO3 Nach der Beschichtung wurden die Schichten 30 min im Sauerstoff nachgeglüht  Ausgleich des Sauerstoffgehaltes

  12. Eine starke Vorzugsorientierung (111) der Ba1-xSrxTiO3 Schichten Symmetrische Röntgenbeugung Textur (111) in (Ba,Sr)TiO3 || (001) in Al2O3 Kleine Kippung der Vorzugsrichtung von der Oberflächennormale

  13. Zugängliche Netzebenen (im Reflexionsmodus) (111) SrTiO3 Al2O3 (001) (211) (111) (006) (108) Beugungswinkel (211): 57.3 Winkel zwischen (111) und (211): 19.5 Beugungswinkel (108): 61.3 Winkel zwischen (006) und (108): 21.5

  14. Reciprocal space mapping SrTiO3 auf Saphir Al2O3 (018) SrTiO3 (211) n Beugungsebene a qi qo Sample

  15. SrTiO3 auf Al2O3 Atomare Anordnung im direkten Raum Q-Scan Sr O in SrTiO3 Ti O in Al2O3 Al Zwei Kristallitgruppen – gedreht um 60°

  16. BaxSr1-xTiO3 auf Al2O3 SrTiO3 Ba0.1Sr0.9TiO3 BaTiO3 Linienverbreiterung im q-Scan  Defektstruktur  Gitterfehlanpassung (Abhängigkeit von der Zusammensetzung)

  17. BaxSr1-xTiO3 auf Al2O3 Atomic Force Microscopy Pyramidale Kristallite mit zwei unterschiedlichen lateralen Orientierungen 111 111 _ 110 _ 110

  18. ZnO: 2 wt.% Al, (001)-orientiert Hexagonal, a = 3.2498 Å, c = 5.2066 Å Al2O3, (001)-orientiert Hexagonal, a = 4.7588 Å, c = 12.992 Å Heteroepitaxie: ZnO:Al auf Saphir (Al2O3) RF Magnetron-Beschichtung (PVD, 13.56 MHz) 310 K und 900 K, 10–5 Pa (Ar) ZnO mit 2 wt.% Al Wachstumsgeschwindigkeit: 10 nm/min • Halbleiter mit breitem Gap (Eg = 3.2 eV) • Transparente Elektroden für Dünnschicht-Solarzellen • Blaue Laser und Leuchtdioden

  19. ZnO:Al auf Saphir (Al2O3), T = 310 K

  20. ZnO:Al auf Saphir (Al2O3), T = 310 K (100) Al2O3 (100) ZnO Atomare Anordnung an der Grenzfläche Al2O3/ZnO Stereographische Projektion

  21. ZnO:Al auf Saphir (Al2O3), T = 310 K Unterschied der Gitterparameter  12.6 % Eigenspannung 1. Art und plastische Verzerrung Eigenspannung 2. Art  = -2.06  0.08 GPa

  22. 100 nm ZnO:Al auf Saphir (Al2O3), T = 310 K Unterschiedliche Gitterparameter (Substrat – Schicht)  kleine laterale Kristallitgröße ZnO:Al Schicht auf (001) Saphir. Kleines Bild: SAED Bild (selected area electron diffraction) entlang der [0-20] Zone. Diameter des Primärstrahles ca. 150 nm.

  23. ZnO:Al auf Saphir (Al2O3), T = 900 K

  24. ZnO:Al auf Saphir (Al2O3), T = 900 K Zwei Gruppen von ZnO Kristalliten mit unterschiedlicher Ausrichtung zum Al2O3 Substrat

  25. ZnO:Al auf Saphir (Al2O3), T = 900 K Gitterfehlanpassung (lattice mismatch) Eigenspannungen 1. Art Eigenspannungen 2. Art sind erholt

  26. Heteroepitaxie: SrTiO3/BaTiO3 auf Saphir (Al2O3) • Strukturmodell: • Dicke der einzelnen Schichten • Elektronendichten • Rauhigkeit und Morphologie der Grenzflächen • Netzebenenabstände in einzelnen Schichten • Kristallinität • Rauhigkeit und Morphologie der Oberfläche SrTiO3 BaTiO3 15 x SrTiO3 BaTiO3 Al2O3, (001)-orientiert

  27. Röntgenreflexion im Kleinwinkelbereich • XRR • Kante der Totalreflexion  Elektronendichte der Oberflächenschicht • Abnahme der Intensität  Rauhigkeit der Probenoberfläche • Kiessig-Oszillationen  Dicke der gesamten Multilagenschicht (Limit bei ca. 1500 Å), Rauhigkeit des Substrates • Bragg-Peaks  Dicke einzelner Schichten in der Multilagenschicht, Elektronendichten, Grenzflächenrauhigkeiten

  28. Röntgenbeugung im Weitwinkelbereich • XRD • Bragg-Peaks von einzelnen Materialien in der Multilagenschicht  Netzebenenabstände in einzelnen Schichten • Satellitenreflexen  Dicke einzelner Schichten in der Multilagenschicht, Grenzflächenrauhigkeit, Grad der Kristallinität

  29. BaTiO3/SrTiO3 (105Å/94Å)x15 111 (Ba,Sr)TiO3 006 Al2O3 111 (Ba,Sr)TiO3 006 Al2O3 Oberflächenrauhigkeit: 10.8 Å Elektronendichte der Oberfläche: 0.87 (SrTiO3) d = 2.275 Å Keine scharfen Grenzflächen (XRR), kein Unterschied im Netzebenenabstand (XRR)  eine starke Interdiffusion an Grenzflächen

  30. BaTiO3/SrTiO3 (109Å/187Å)x15 Oberflächenrauhigkeit: 7.5 Å Elektronendichte der Oberfläche: 0.91 (SrTiO3) t (BaTiO3) = 122 Å; t (SrTiO3) = 193 Å  = 315 Å Keine scharfen Grenzflächen (XRR), sichtbarer Unterschied in Netzebenenabständen (XRD)  mäßige Interdiffusion

  31. Danksagung • Dr. J. Lindner, AIXTRON Aachen • Dr. J. Petzelt und Dr. J. Kub, Physikalisches Institut der AdW Prag • Dr. K. Ellmer, HMI Berlin

More Related