210 likes | 339 Views
Termomechanikus aktu átorok. Székely Vladimír. BME Elektronikus Eszk özök Tanszéke. Budapest, 2 007. Bent-beam electrothermal actuator. L. Que et.al.:Bent -beam electrothermal actuators - Part I , Journal of Microelectromechanical systems, V.10,pp.247-254, 2001.
E N D
Termomechanikus aktuátorok Székely Vladimír BME Elektronikus Eszközök Tanszéke Budapest, 2007
Bent-beam electrothermal actuator L. Que et.al.:Bent-beam electrothermal actuators - Part I, Journal of Microelectromechanical systems, V.10,pp.247-254, 2001
Bent-beam electrothermal actuator Si beam, méretei 800x13,9x3,7 m, 5 m elmozdulás 180 mW teljesítmény mellett, 1-10 mN erő, 700 Hz sávszélesség
Az élettartam vizsgálat eredményei Mind poli, mind egykristály Si 400 fok alatt dc üzem >1400 perc impulzus üzem >30 milllió ciklus A feltapadás elleni bütyök hatása
Egy nagy kitérésű megtört rudas meghajtó W=8 um D=34 um L=1000 um Anyag: Ni
Egy nagy kitérésű megtört rudas meghajtó P = 495 N Tmax 400 oC 3 V 670 mW
Kétrudas meghajtó Hot arm width, WHOT (nm) 350 Hot arm length, LHOT (m) 38 Cold arm width, WCOLD ( m) 1.5 Cold arm length, LCOLD ( m) 28.5 Flexure width, WFLEX (nm) 350 Flexure width, WFLEX ( m) 9.5 Sub-micron metallic electrothermal actuators Jeong-Soo Lee, Daniel Sang-Won Park, Arun Kumar Nallani,Gil-Sik Lee and Jeong-Bong Lee JOURNAL OF MICROMECHANICS AND MICROENGINEERING
Kétrudas meghajtó Nickel Young’s modulus 200 GPa Poisson’s ratio 0.31 Thermal expansion coefficient, 17 ppm/K Thermal conductivity 91 W/(mK) Resistivity 15 µcm
MEMS integrált izzólámpa Electrical and Optical Characteristics of Vacuum-sealed Polysilicon Microlamps, C.H.Mastrangelo et. al. IEEE Trans. on El. Dev. V.39, No.6
MEMS integrált izzólámpa Az izzószál 510x5x1m Fűtés 5 mW 1400K Thomson effektus! Optikai teljesítmény 0.25mW Spektrum maximum 2,5 m
Pirani elvű vákuummérő Fabrication and performance of a fully integrated -Pirani pressure gauge with digital readout C.H.Mastrangelo, R.S.Muller
Pirani elvű vákuummérő adalékolt poli-Si, vastagság 1 um, alatta 1,5 um gap, 0,02 ohmcm adalékolás. ON-CHIP HERMETIC PACKAGING ENABLED BY POST-DEPOSITION ELECTROCHEMICAL ETCHING OF POLYSILICON Rihui He and Chang-Jin “CJ” Kim