1 / 14

М.Я. Дашевский «Материаловедение кремния (современное состояние и тенденции развития)» 2010г.

Национальный Исследовательский Технологический Университет «МИСиС» Научный совет РАН «Физико-химические основы полупроводникового материаловедения ». М.Я. Дашевский

mari
Download Presentation

М.Я. Дашевский «Материаловедение кремния (современное состояние и тенденции развития)» 2010г.

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Национальный Исследовательский Технологический Университет «МИСиС» Научный совет РАН «Физико-химические основы полупроводникового материаловедения » М.Я. Дашевский «Материаловедение кремния (современное состояние и тенденции развития)» 2010г.

  2. В материаловедении кремния объектами изучения и исследования • являются: • -монокристаллы (в том числе наномонокристаллы) кремния; • -поликристаллы (в том числе нанокристаллы) кремния; • -пористый кремний; • -аморфный кремния; • -расплавы кремния. • В рамках материаловедения кремния разрабатываются физико- • химические основы технологий получения кремния и приборных структур на его основе с заданными физическими свойствами. • Материаловедение кремния является составной частью общего • материаловедения полупроводников.

  3. Фактор электронных различий (валентный фактор) для твердых кристаллических растворов замещения на основе кремния. ФЕР=N1вал. эл. –N2вал. эл. ФЕР(Si)=4-N2вал.эл. Сmax~Ко~1\ФЕR. ФER=0 для системы: Si-Ge, Si-Ti.

  4. Изовалентное легирование • Тройные фазовые диаграммы Si-Ge-O Si-Ge-P Si-Ge-B Si-Ge-Ga • Термодонорный эффект Co=2,2*10^22 exp(-Q\T) • 1) 450С:(Si-O) • 2)450С(Si-Ge-O) • VCTD1>VCTD2 (при С0 <5*10^17см^-3

  5. Собственные точечные дефекты в бездислокационных монокристаллах кремния Критерий В.В. Воронкова В условиях когда N*CTD> NCTD образуются кластеры CTD (микродефекты)

  6. Выращивание по методу Чохральского бездислокационных монокристаллов кремния большой массы и большого диаметра Процесс с подпиткой К эф=const Cж=const Ст=const

  7. Список литературы1. С.С. Горелик, М.Я. Дашевский «Материаловедение полупроводников и диэлектриков», М., изд-во «МИСиС»; 2003г.2. В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашов «Дефекты в кремнии и на его поверхности», М., Наука, 1990г.3. В.И. Фистуль, «Атомы легирующих примесей в полупроводниках» М., Физматлит, 2004г.4. Сб. «Нанотехнологии в полупроводниковой электронике» (отв. ред. А.Л. Асеев\: Новосибирск: изд-во СО РАН, 2004г.5. Н.Н, Герасименко, Ю.Н. Пархоменко, « Кремний- материал наноэлектроники», М., «Техносфера», 2006г.6. М.И. Горлов, В.А. Емельянов, А.В. Строганов «Геронтология кремниевых интегральных схем» М.: «Наука», 2004г.7. В.И. Таланин «Моделирование и свойства дефектной структуры бездислокационных монокристаллов кремния»,-Запорожье: ТУ «ЗИРМУ», 2007г.

  8. 8. Н.В. Немчинова «Поведение примесных элементов при производстве и рафинировании кремния» М.: ид «Академия естествознания», 2008г. 9.И.Ф. Червоный, В.З. Куцова, В.И. Пожуев, Е.Я. Швец, О.А. Носко, С.Г. Егоров, Р.М. Воляр «Полупроводниковый кремний: теория и технология производства», Запорожье, 2009 г.

  9. Наномонокристалл – это монокристалл, который характеризуется тем, что хотя бы один из его размеров равен или меньше удвоенной толщины поверхностного слоя.

  10. Правило фаз в условиях гетерогенного равновесия нанофаз Р,Т,R К-строк- С=Ф(К-1)+3-К(Ф-1)=К-Ф+3 Тпл.~(R)

More Related