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8 吋前段電漿輔助化學氣相沉積系統簡介 ( Front-end PECVD )

8 吋前段電漿輔助化學氣相沉積系統簡介 ( Front-end PECVD ). 主要建置最大可沈積至 8 吋晶圓之前段 SiH4 base SiOx 薄膜及 SiH4 base SiNx 薄膜其相關製程能力資料如下 : 沉積速率 ： SiOx 沈積速率 , 大於 400 nm/min 。 SiNx 沈積速率 , 大於 150 nm/min 。 U% 檢驗： SiOx/SiNx 小於 5 % 。 介電常數： SiOx 需介於 3.9~4.2 。 SiNx 需介於 7.0~9.0 。

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8 吋前段電漿輔助化學氣相沉積系統簡介 ( Front-end PECVD )

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  1. 8吋前段電漿輔助化學氣相沉積系統簡介(Front-end PECVD) 主要建置最大可沈積至8吋晶圓之前段SiH4 base SiOx薄膜及 SiH4 base SiNx薄膜其相關製程能力資料如下: 沉積速率： SiOx沈積速率,大於 400 nm/min。 SiNx沈積速率,大於 150 nm/min。 U%檢驗：SiOx/SiNx 小於 5 %。 介電常數：SiOx需介於3.9~4.2。 SiNx需介於7.0~9.0。 折射率(Refractive Index):SiOx薄膜 @635nm 1.465 +/- 0.015。 SiNx薄膜@635nm 2.02 +/- 0.03。 (Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Co)金屬元素小於 50E10 atoms/cm2。

  2. 機台簡介 • 公司 ：APPLIEDMATERIALS • 型號 ： APPLIEDMATERIALS • CENTURA SYSTEM 5200 • 使用年齡：2.5年(10年) • 製程模式：電漿化學沉積 • 製程能力：OX 沉積數率:150A/SEC • NIT 沉積數率:160A/SEC • 溫度:400 ℃ • 晶片尺寸：8 與6inch

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